攻坚克难,解北斗空“芯”之忧——从北斗芯片用于揭秘藏羚羊大迁徙说起

最近在国内外媒体上报道的几则新闻引起我们的关注:一是中国空"芯"之忧:一年进口芯片总值远超石油。"2012年中国进口的集成电路芯片是1920亿美元,这一数字超过了进口石油的1200亿美元。"iSuppli半导体首席分析师顾文军对《第一财经日报》记者表示,高端芯片最为紧缺,其开发过程需要雄厚的研发基础、资本投资以及多年积累,而中国厂商在这几方面都还比较薄弱。二是美国卫星元件制造商违反ITAR(国际武器贸易条例)向中国转口抗辐射加固元器件而被罚800万美元。     

存储器抗辐射加固的矩阵纠错码研究

为了纠正辐射环境中的高能粒子对存储器造成的多位翻转,研究了一种矩阵纠错码电路,对存储器进行有效的抗辐射加固。提出了一种矩形循环校验法构造校验位,并设计了纠错码的译码算法和相应的译码电路。根据校验位构造了检测位。对数据的输入顺序进行排列,确保了冗余位发生翻转时纠错码电路仍可以正常工作。在16位宽的码字中,所研究的矩阵纠错码可以纠正数据宽度为5位的多位翻转。同目前已知的二维纠错码在相同条件下进行比较,其获得了更高的平均失效时间。     

空间紫外辐射环境及效应研究

空间紫外辐照度虽然很低（只有约118.1 W/m2）,但是由于单个紫外光子的能量很高,可以使大多数材料分子的化学键断裂,所以紫外辐射会对航天器外露材料的性能产生严重影响。紫外辐射可以导致航天器的热控涂层光学性质改变,使有机聚合物材料发生降解,光学、力学性能降低。文章介绍了空间紫外辐射环境的模型,列举了对航天器常用的有机粘合剂、柔性材料、有机薄膜等的紫外辐射效应,并对空间紫外辐射效应的深入研究提出建议。     

新型航天器抗辐射加固技术的研究重点

未来新型航天器在研制模式、设计技术、元器件及材料等方面与以往卫星相比将有较大变化,从而对抗辐射加固技术提出新的要求。因此,抗辐射加固技术的研究重点须在以往研究基础上进行调整。文章从航天器总体角度,对新型航天器抗辐射加固技术的研究重点进行探讨。     

卫星抗辐射加固分析

就卫星抗辐射加固的必要性和状况进行分析,提出了分层次加固和卫星抗辐射加固研究内容,以及“九五”期间加固技术飞行试验验证的设想。     

SRAM HM—65642的单粒子闩锁特性

由空间高能带电粒子引起的CMOS器件单粒子闩锁效就(SEL),在卫星工程中已日益受到重视。本文对试验获得的SRAM HM—65642的各种SEL特性进行了详细分析,希望对卫星电子系统设计师们在进行CMOS器件的防闩锁设计中能有所帮助。     

14 nm pFinFET器件抗单粒子辐射的加固方法

为探究先进互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺在空间应用中的可靠性问题，研究14 nm工艺下P型沟道鳍式场效应晶体管(pFinFET)器件中的抗单粒子瞬态(SET)加固策略。通过在器件中插入平行于鳍方向的重掺杂N型沟槽(Ntie)和P型沟槽(Ptie)来减缓SET的影响。三维TCAD仿真结果表明：加固之后器件的抗SET特性和沟槽本身的偏置条件相关。当重掺杂沟槽处于零偏状态时，抗辐射加固的性能最好，SET脉冲宽度降低程度可达40%左右；然而，当处于反偏状态时，由于特殊的电荷收集过程的存在，使得SET脉冲幅度反而会明显增大，脉冲宽度减小程度并不明显。此外，还研究沟槽面积、间距及掺杂浓度对pFinFET中的SET脉冲宽度的影响，得到提高抗SET效果的加固方法。     

基于TCAD仿真建模的瞬时剂量率效应研究

针对一款百万门级0.18 μm互补金属氧化物半导体（0.18 μm CMOS）工艺抗辐射加固的微处理器电路，提出了采用TCAD仿真建模技术对加固电路开展瞬时剂量率效应研究的方法，仿真结果表明通过保护环结构加固设计，可有效提升电路的抗瞬时剂量率效应性能，并利用瞬时剂量率辐射源进行了仿真有效性的试验验证。结果表明,采用TCAD仿真手段得到的瞬时光电流峰值与试验得到的光电流峰值误差小于5%，证实了仿真研究电路瞬时剂量率效应方法的有效性。