支承刚度各向异性部分充液转子系统的稳定性

在二维无粘旋转流体模型的基础上,本文研究了支承刚度各向异性部分充液转子系统的稳定性问题,系统地分析了转子系统的各参数对其稳定性的影响。结果发现转子的支承刚度非对称并非一定导致出现两个互相独立的不稳定区。      

盘型磁流变流体阻尼器悬臂转子系统响应时间测试

在不同的磁流变流体、激励方式、转子转速以及磁场强度情况下系统地测量了盘型磁流变流体阻尼器悬臂转子系统的响应时间。结果发现转子系统的响应时间由初始响应时间、快速响应时间和慢变响应时间3部分组成。转子系统的初始响应时间一般小于100ms,快速响应时间一般在50～400ms的范围内,两者均不可能为几个毫秒。初始响应时间及快速响应时间不仅与磁场强度、磁流变流体的组分和转子转速有关,而且还与激励方式有关。突加电流过程中的响应时间比去掉电流过程中的响应时间短。无论是在突加电流还是在去掉电流的过程中,都存在着一个由磁化或去磁过程引起的初始滞后时间。      

三角翼涡破裂形态研究

通过对三角翼上漩涡破裂形态及涡破裂过程的流态变化的分析 ,可以得到以下结论。在三角翼上 ,除了通常知道的螺旋破裂核泡状破裂之外 ,还有双螺旋、涡丝以及蛙跳另外 3种破裂形态。涡破裂是一个非定常过程 ,在机翼形状、迎角及来流条件不变的情况下 ,通常可以看到涡破裂形态的变化 ,即从螺旋破裂逐渐转化成泡状破裂又返回到螺旋破裂的过程。泡状破裂可以认为是螺旋破裂的一种特殊阶段。它与螺旋破裂并没有本质上的区别。从形态上看 ,泡状破裂中会出现涡核分叉 ,涡核中分离出一些带有涡量的流体微团 ,但总有一根涡丝 (一部分涡核 ) ,自始至终存在 ,它或者表现成螺旋形态 ,或者由于自身的诱导形成了较复杂的缠绕形态。     

新型动静压挤压油膜阻尼器对转子系统振动的控制能力

以改善传统的挤压油膜阻尼器 (SFD)油膜力高度非线性的不足为目的 ,提出了一种新型的阻尼器 ,即动静压挤压油膜阻尼器 (HSFD)。在推导出无周向回油槽深油腔 HSFD油膜力近似解的基础上 ,以小孔节流的 HSFD为例 ,对其油膜力的动力特性进行了分析 ,并从理论及试验上研究了 HSFD对转子系统振动的控制作用。结果表明 HSFD不仅能够明显地改善 SFD油膜力的高度非线性特性 ,克服在 SFD系统中经常出现的具有极大振动的双稳态现象 ,而且还具有更有效的减振效果     

柔性转子-挤压油膜阻尼器系统在加速通过双稳态区时的动力特性

从理论及试验上研究了非线性挤压油膜阻尼器(SFD)柔性转子系统在加速通过共振及双稳态区时的瞬态动力特性。结果说明了设计合理的SFD不仅可以使系统具有良好的稳态特性, 而且还可以使系统具有良好的加速特性;设计不当的SFD不仅会产生具有较大振动的双稳态, 而且不可能单纯以加速转子的方式使转子通过双稳态区而不发生双稳态跳跃, 必须采用合理设计的SFD才可以避免以稳态的出现。SFD的非线性越强, 转子通过双稳态区也越困难。      

面向自动驾驶仿真的虚拟LiDAR传感器建模

在自动驾驶仿真领域，虚拟传感器输出数据的精准度是仿真结果可靠性的重要保障。激光雷达（LiDAR）作为车辆环境感知的关键传感器，其采集的点云数据的准确性是实现车辆对三维环境理解的关键。但在虚拟环境中，通过3D渲染技术模拟的点云数据难以真实反映传感器在复杂工况下的变化规律。本文提出一种用于自动驾驶仿真的虚拟LiDAR传感器建模方法。该方法首先基于Unity 3D引擎构建LiDAR的几何测量模型。其次，结合真实传感器的衰变特性推导简化的LiDAR物理模型。最后，基于蒙特卡罗方法在随机模型上对仿真数据进行噪声模拟，从而实现高保真的LiDAR数据输出。所提出的方法可结合精细化的虚拟场景进行数据验证，实验结果表明：该方法能够有效地在虚拟环境下模拟LiDAR数据，从而应用于自动驾驶仿真算法验证过程。     

基于MOCVD欧姆再生长制备的高性能AlGaN/GaN HEMTs

本文基于MOCVD欧姆再生长技术，制备了高性能的AlGaN/GaN HEMTs。器件具有016Ω·mm的低欧姆接触电阻，并且在100K到425K的温度范围内，欧姆接触电阻表现出良好的热稳定性。由于欧姆接触电阻的改善，源漏间距Lsd为2μm，栅长Lg为100nm的器件的最大饱和电流密度ID,max为1350mA/mm，跨导峰值Gm,max为372mS/mm，导通电阻Ron为1.4Ω·mm，膝点电压Vknee为1.8V。此外，器件也表现出优异的射频特性，电流增益截止频率fT为60GHz，最大振荡频率fmax为109GHz，在3.6GHz下，VDS偏置在15V，器件的功率附加效率PAE为67.1%，最大输出功率密度Pout为3.2W/mm；在30GHz下，VDS偏置在20V，功率附加效率PAE为43.2%，最大输出功率密度Pout为5.6W/mm，这表明了基于MOCVD欧姆再生长技术制备的AlGaN/GaN HEMTs器件在Sub-6G以及毫米波波段的应用中具有巨大潜力。     

新型再生长沟道GaN基准垂直MOSFET仿真研究

电能在转化与运用过程中会不可避免地出现能量的损耗，而电力控制和电能转换过程中最核心部分即为电力电子器件。GaN基准垂直MOSFET器件具有高输入阻抗、开关速率快以及对表面态陷阱不太敏感等优点，从而成为目前研究的热点，但由于沟道载流子的迁移率较低造成导通电阻与损耗较大。通过对再生长沟道GaN基准垂直MOSFET进行仿真，证明该结构可以有效解决沟道载流子的迁移率过低的问题。在再生长沟道GaN基准垂直MOSFET的基础上进行了结构改进，主要针对器件在源极区域与漂移区域的载流子分布进行了优化。其中，源极区域通过对源电极金属帽子下方Al2O3进行刻蚀，使得器件源极区域的电流导通路径得到了有效的缩短；而漂移区域通过在栅极下方插入一层载流子分布层，使得漂移区内载流子分布更加均匀。最终设计出了阈值电压为2.3V的新型再生长沟道GaN基准垂直MOSFET，器件的导通电阻低至18mΩ·cm2，击穿电压高达1053V。     

同心与非同心型挤压油膜阻尼器减振能力的实验比较

为了比较带定心弹簧的同心型与不带定心弹簧的非同心型挤压油膜阻尼器(SFD)的减振能力，在同心型与非同心型SFD 多盘柔性转子系统实验装置上进行了不同转子不平衡质量及油膜径向间隙条件下的系列试验。结果表明:相对于刚性及纯弹性支承，两种SFD都能够有效地减小转子系统的振动。在同心型SFD 柔性转子系统中，当SFD的作用相对定心弹簧的作用较弱时，可以用定心弹簧来调整转子系统临界转速的位置，转子的临界转速在弹支临界转速附近；当SFD的作用相对定心弹簧的作用较强时，定心弹簧对转子系统临界转速的影响不大，转子的临界转速在刚支临界转速附近。非同心型SFD 转子系统的非线性特性比同心型SFD转子系统更为复杂，不仅会出现主共振，而且还会出现超谐共振及亚谐共振。