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31.
本文利用PIV技术在风洞中对五种不同类型降落伞模型的绕流空间流场进行了测量,得到了绕降落伞的空间流场结构。PIV测量结果可以为数值模拟降落伞绕流流场提供可靠的数据,为降落伞的改进优化提供指导和依据。 相似文献
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35.
提出了某型机VHF电台通讯距离短的问题,简述了对某型机VHF电台进行地面试验、空中作用距离试飞情况。并用通讯原理,对VHF电台通讯距离短进行了理论分析,采取了整改措施。最终解决了某型飞机VHF电台通讯距离短的问题,使飞行通讯联络正常。 相似文献
36.
钛及合金电解加工困难,归困于自钝化膜强保护性及其阳极钝化膜的高阻性,形成电解池结构中的阻挡层。钛的钝化理论涉及电子配制说、吸附说、薄膜说。钛基体在热力学上具巨大活性,由于表面自钝化膜构成阻挡层,在电极过程动力学上具有巨大钝性。钛及合金的阳极钝化因电位、极化时间不同,形成不同氧化度且呈现金黄—紫—兰色特征的高阻性钝化膜。钛及合金的点蚀电位很高。在电解加工中加工面呈现点蚀→数量增加→空间扩大→重迭→成形的程序过程,非加工而因杂散电场易出现杂散点蚀,点蚀深度和电解液组成、电压、加工时间密切相关。杂散点蚀可采用适当措施而减缓。 相似文献
37.
基于130nm体硅CMOS工艺,设计了具有不同阱/衬底接触与MOS管有源区间距、NMOS有源区与PMOS有源区间距的反相器链,利用脉冲激光试验开展了不同设计和不同工作电压下CMOS电路的单粒子闩锁效应敏感性研究.结果表明,随着阱/衬底接触与MOS管有源区的间距减小,以及NMOS与PMOS有源区间距的增大,电路抗SEL效应能力增强.此外,不同工作电压下电路的SEL效应规律表明,电压越大,反相器电路的SEL电流越大,且随着阱/衬底接触与MOS管有源区间距的减小以及NMOS与PMOS有源区间距的增大,电路出现SEL效应的开启电压增大.结合CMOS中寄生结构和单粒子闩锁效应触发机制,分析了相关因素影响电路单粒子闩锁效应敏感性的内在机制. 相似文献
38.
采用压机压制工艺方法研制了T700/3234 管件,对其进行了拉伸、压缩和弯曲试验。结果表明,
T700/3234 管件胶接长度对于拉伸试验结果影响较大,安装记忆合金环有助于提高管件的抗拉伸性能,有记忆
合金环试样可承受的最大拉伸载荷较无记忆合金环试样提高10. 1%;压缩性能试验单独管件与不加记忆合金
的金属胶接后的管件对于压缩试验结果影响不大,记忆合金环有助于提高管件的抗压缩性能,有记忆合金环试
样可承受的最大压缩载荷、压缩强度较无记忆合金环试样提高10. 0% 以上,但压缩模量较无记忆合金环试样
无变化;有记忆合金环试样可承受的最大弯曲载荷可达20. 433 kN,较无记忆合金环试样提高5. 5%;为高性能
碳纤维复合材料管件设计提供了依据。
相似文献
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