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421.
422.
通过分析前登机/勤务门的应急开门系统的原理,解析了实际工作中发生的因部件之间的间隙过大而引发的一起特殊故障。 相似文献
423.
张绪虎%胡欣华%关盛勇%曾凡文%汪翔 《宇航材料工艺》2000,30(1):19-26
综述了国内外B/Al复合材料的发展研究现状 ,具体介绍了几种制备技术的基本原理和工艺 ,包括热压扩散法、熔体浸渗法等。从工艺的角度分析了复合工艺参数———温度、时间、压力和环境对B/Al复合材料及对B纤维的影响。对B/Al复合材料的力学性能和在航空航天等方面的应用也做了较为系统的介绍 ,分析认为国内采用热压扩散法制备的B/Al复合材料性能稳定 ,其管材、型材已达到了应用阶段 ,为我国航空航天技术中应用此类复合材料奠定了基础 相似文献
424.
尹昌平%肖加余%曾竟成%李建伟%刘钧 《宇航材料工艺》2008,38(5)
以GA327改性芳胺为固化剂,对应用于RTM工艺的E-44环氧树脂体系的流变特性进行了研究。在黏度实验和DSC热分析实验的基础上,依据双阿累尼乌斯方程建立了与实验数据较为吻合的流变模型。结果表明:E-44/GA327体系在60~85℃内黏度低于800mPa·s,且低黏度保持时间大于20min,在75~85℃内黏度低于300mPa·s的时间可达10min。所得到的模型可揭示树脂在不同工艺条件下的黏度变化规律,定量预报树脂的低黏度平台工艺窗口,为该树脂RTM工艺窗口的确定以及RTM工艺参数优化提供科学依据。 相似文献
425.
邢素丽%王军%曾竟成%肖加余 《宇航材料工艺》2002,32(3):27-29
采用溶胶凝胶法,以正硅酸乙酯和酚醛树脂为原料,在草酸和六次甲基四胺的催化作用下,制备出了不含硫和氯等有害杂质的均相碳化硅先驱体,并在特定条件下,对所得先驱体进行烧结,使之转化为陶瓷。结果表明,溶胶凝胶法制得的先驱体呈黄色透明的玻璃态,其微观组成为几十纳米的微粒,树脂与SiO2可能通过氢键相互作用,有利于树脂在先驱体中均匀分布而形成均相先驱体,其陶瓷产率为78%;另外硝酸镍的加入对先驱体烧结过程中β-SiC的生成起到明显的促进作用。 相似文献
426.
采用双乙炔基封端的硅氮烷单体(双(4-乙炔基苯胺基) 二苯基硅烷,M1) 与含不同二甲基硅基
结构单元[—Si( CH3 )2—,—Si( CH3 )2—O—Si( CH3 )2—和—Si( CH3 )2—O—Si( CH3 )2—O—Si( CH3 )2—] 的
双溴苯基封端单体进行Sonogashira 交叉偶联反应,制备出一系列含炔基有机硅杂化聚合物。通过红外( FTIR)
、核磁氢谱(1H-NMR) 和凝胶渗透色谱( GPC) 对聚合物的结构和分子量进行了表征,并采用热重分析
(TGA)对聚合物的热性能进行了研究。结果表明,二甲基硅基结构的引入显著提高聚合物的溶解性,各组聚
合物均展现出良好的热稳定性能,其中引入—Si(CH3)2—结构的聚合物具有相对最好的热稳定性。 相似文献
结构单元[—Si( CH3 )2—,—Si( CH3 )2—O—Si( CH3 )2—和—Si( CH3 )2—O—Si( CH3 )2—O—Si( CH3 )2—] 的
双溴苯基封端单体进行Sonogashira 交叉偶联反应,制备出一系列含炔基有机硅杂化聚合物。通过红外( FTIR)
、核磁氢谱(1H-NMR) 和凝胶渗透色谱( GPC) 对聚合物的结构和分子量进行了表征,并采用热重分析
(TGA)对聚合物的热性能进行了研究。结果表明,二甲基硅基结构的引入显著提高聚合物的溶解性,各组聚
合物均展现出良好的热稳定性能,其中引入—Si(CH3)2—结构的聚合物具有相对最好的热稳定性。 相似文献
427.
428.
C型小行星主要由硅酸盐矿物和含碳有机质组成,保存了太阳系形成初期的原始物质,是认识太阳系形成初期的重要物质,对研究水和生命起源与演化具有重要科学意义。目前对小行星物质组成的认识主要基于光谱特征分析,但长期的空间风化作用会改变小行星表面物质的光谱特征,所以认识小行星的物质组成需要准确厘清空间风化对光谱的影响。随着中国小行星探测工程的推进,迫切需要深入认识C型小行星的光谱特征及对空间风化的响应规律。为此,分析了C型小行星的反射率、水和有机质吸收等光谱特征以及空间风化的影响,提出研究存在的主要问题,进而指出了该研究方向的未来发展趋势和研究重点。 相似文献
429.
应用于航天器的宽禁带半导体功率器件会受到空间带电粒子的影响而存在单粒子烧毁(SEB)风险。为研究单粒子烧毁的机理及防护措施,文章利用半导体工艺器件仿真(TCAD)对SiC MOSFET器件进行了SEB仿真分析,发现粒子入射最敏感位置时器件发生SEB的阈值电压在500 V。同时,通过仿真获得器件微观电参数分布特性,分析认为器件发生SEB的机理是寄生晶体管的正反馈作用导致缓冲层和基区的电场强度(5.4 MV/cm和4.2 MV/cm)超过SiC材料击穿场强(3 MV/cm)。此外,针对仿真揭示的器件SEB薄弱区域,提出将P+源区的深度向下延伸至Pbase基区底部的工艺加固思路,并通过仿真验证表明该措施使器件发生SEB的阈值电压提高到近550 V。以上模拟结果可为该类器件的抗SEB设计提供技术支持。 相似文献
430.
建立了考虑纤维束内部缺陷以及外部基体缺陷的多尺度单胞模型。首先依据电镜扫描图和材料内部单胞的密度,确定了纤维束单胞和复合材料单胞的几何尺寸;然后引入周期性边界条件,利用含缺陷的纤维束单胞模型计算了其初始模量和强度;最后使用由电镜扫描图确定尺寸的复合材料单胞模型,利用上一尺度的材料参数,对复合材料的模量进行了预测;并建立了含损伤纤维束单胞的刚度矩阵,运用基于不同失效模式下损伤状态变量的刚度渐进折减法表征材料积分点损伤,通过数值结果与试验结果的对比,分析了Hashin准则作为判定纤维束起始损伤的适用性,并最终据此给出了单轴载荷作用下受损材料参数的变化情况。分析表明:基于考虑两种缺陷的多尺度模型,使用Hashin准则对C/Si C复合材料单胞进行非线性应力-应变行为数值预报与实验吻合良好。 相似文献