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基于遗传进化算法反演吸波结构电磁参数 总被引:4,自引:0,他引:4
对多层吸波结构中未知参数层的电磁参数进行了反演.根据传输线理论确立的多层结构电磁参数与反射/透射系数的关系,建立正向反射率计算模型,根据自由空间法原理搭建的测试平台测量得到多层吸波材料不同入射角度下的反射率信息,利用改进的遗传进化算法获取了多层吸波结构中未知参数层的电磁参数.在遗传进化过程中,采用高斯随机数代替基本遗传算法的均匀随机数,避免了传统网络参数法厚度谐振、多值性问题和基本遗传算法易陷入局部最优点的问题.与传统传输/反射法结果的比较,验证了这种方法的可靠性.这种方法同时适用于计算高、低损耗介质材料的电磁参数. 相似文献
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拱形法中收发天线杂散耦合对测试结果的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
针对 1~ 5GHz频段 ,从收发天线之间的杂散耦合分析入手 ,对射频吸波材料拱形法测试系统的具体测试方法进行了研究。按照电磁波入射角和极化方式的差异 ,测量具体吸波材料在不同距离上反射系数的起伏 ,探讨了该系统测量误差的成因。 相似文献
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用加速老化试验的方法,在有氧存在的条件下,研究了TDE-85环氧树脂/E玻璃纤维体系、4501A双马来酰亚胺树脂/D3W玻璃纤维体系2种透波材料介电性能受核辐射影响的规律.用60Co辐射源在辐射量为50~800kGy范围内对样件进行辐射,用波导法测试样件的介电常数和介电损耗,测试频率为10GHz.结果发现2种体系透波材料介电性能受核辐射的影响较小,且后者比前者具有更好的抗辐射稳定性.同时利用IR,TGA等手段研究了材料介电性能变化的原因. 相似文献
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为降低多层高速PCB(Printed Circuit Board)电源/地谐振阻抗,根据平行平面腔体谐振模型理论推导出PCB电源/地谐振阻抗、谐振频率、谐振品质因数与构成PCB板的导体材料和绝缘材料的电磁参数的之间的函数关系式,并根据此关系式得出了从PCB材料选取角度减小电源/地谐振阻抗的两种途径,即采用高磁导率、低电导率的导体材料代替普通导体材料;采用高介电常数和损耗正切的平面间绝缘体材料.随后PCB电源/地平行平面结构的全波仿真结果证实了这两种途径的有效性. 相似文献
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碳化硅颗粒增强铝基复合材料弹性常数测量 总被引:1,自引:1,他引:0
为研究粉末冶金制备的碳化硅颗粒增强铝基复合材料(SiCp/Al)中SiCp含量对材料机械性能的影响,使用弹性波法测量了SiCp含量不同的标准试样的弹性常数矩阵.利用Christoffel方程建立了横观各向同性材料波速与弹性常数之间的关系,介绍了水浸斜入射法测量准横波和准纵波波速的基本原理和测量过程,基于上述原理进行了试验,计算出了被测试件的弹性常数.结果表明,SiCp/Al沿挤压方向的机械性能最高,并且随着SiCp含量的增加,弹性常数变大,材料的强度升高. 相似文献
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VLF电波渗透到卫星高度电离层传播的全波计算 总被引:3,自引:0,他引:3
考虑斜向地磁场的影响将电离层设为多层水平分层各向异性有耗介质, 利用传播矩阵法求解全波方程, 进而研究分析VLF频段电离层反射系数随电波频率的变化, 电离层中两种特征极化波的折射和极化特性, 两特征波的电磁场水平分量以及坡印廷能流密度随传播高度的变化. 数值计算结果表明, 地—电离层波导中的垂直极化波比平行极化波易渗透进入电离层; 电离层中两种特征极化波可分为左旋和右旋圆极化波, 左旋分支由于D层强吸收作用表现为速衰减模, 而右旋分支表现为可传播模, 在传播过程中电磁波的能量主要存储在磁场中; 电波频率越低, 其在电离层中的传播损耗越小. 由数值模拟结果发现, 卫星监测VLF频段的低频部分及更低频段的水平磁场变化对于发现地震电离层电磁前兆异常可能更为有效. 相似文献
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亚暴偶极化过程中离子加速是亚暴粒子注入的重要产生机制. 通过试验粒子的方法模拟研究了亚暴偶极化期间磁尾等离子体片-8Re~-5Re处超低频电磁波对质子的加速过程. 研究表明, 质子在大尺度偶极化电磁场的作用下向内磁层注入, 与质子回旋频率相近的超低频电磁波能够引起低能质子发生非绝热加速. 质子在偶极化前后的能量变化与质子的初始能量密切相关, 初始能量远小于截止能量的质子, 末能量要比初始能量显著增加, 其值与扰动波频率相关, 且量级与偶极化造成的低能氧离子能量增加量级基本相当; 初始能量在截止能量以上的质子受超低频电磁波影响不大, 注入过程能量基本保持不变. 相似文献
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给出用于毫米波频段精确测量介质片复介电常数的准光开放腔系统的误差分析,说明了近似理论引起的误差和被测量提取不准引起的误差。推导了相关的公式,给出了分析的数值结果和测量结果。 相似文献
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由于很大一部分来自激波上游的粒子被激波面所反射,因此在准平行无碰撞激波的上游存在着等离子体束流.通过一维混合模拟方法,计算了束流密度较小(nb/n0=0.02)和较大(nb/n0=0.2)两种不同情形下的等离子体束流不稳定性.结果表明,在束流密度较小时,束流激发的主要是平行于背景磁场方向传播的右旋波,此波动只能对束流粒子产生影响,包括减速和加热.在束流密度较大时,束流可同时激发平行和反平行于背景磁场方向传播的右旋波,除能对束流粒子产生影响外,还可通过非共振作用加速和加热背景粒子.文中对准平行无碰撞激波耗散机制的影响也进行了讨论。 相似文献
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考虑离子极化漂移中非线性项对动力学Alfven孤波特性的影响,采用双流体模型研究磁化等离子体中低频动力学Alfven稀疏型孤波的特性,所得的结果表明,两种类型的动力学Alfven稀疏型孤波在磁层中大范围内均存在(参数β约为10^-6,0,1,β为等离子体的热压之磁压之比,即β=20μ0nT/B0^2),它们或以超Alfven速或以亚Alfven速传播。同时发现在β值较小(10^-6-10^-4)时,离子极化漂移非线性项对动力学Alfven孤波特性有较大的影响,不可忽略,而在较大值时(β-0.1),此修正作用不大,由于动力学Alfven孤波允许平行电场存在,故它对等离子体中带电粒子的加速和能化起重要作用。同时也对离子的横向加速有一定的作用,它使一种新的能量转换机制成为可能。 相似文献
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通过数值求解无碰撞电流片中可压缩磁流体力学模型下得到的一般形式的色散关系,讨论了无碰撞电流片中引导场对低频电磁波不稳定性的影响.结果表明,平衡态磁场中的引导场,对于三维扰动传播的波不稳定性有很强的影响.(1)在电流片中间平面上(z=0),无引导场时,没有不稳定性发生,但若存在引导场,不稳定性便发生,并随着引导场的增强,不稳定性明显增强,不稳定的波模可能是低混杂模.(2)在中间平面附近(z=0.2),电流片是不稳定的.随着引导场的增强,不稳定性增长率明显地增强,不稳定的波模从平行和反平行两个方向传播变为反平行方向一个方向传播,并且是斜传播的,具有低频哨声模或低混杂模的特征.(3)在电流片边缘附近(z=0.8),引导场对不稳定的波模和增长率没有明显影响,不稳定的波模都是准平行的哨声波. 相似文献
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提出了一种反散射计算的简单、快速方法,用于用光纤半圆阵列的光散射技术测量准二维工件表面的粗糙度参数。这些参数包括高度特性参数 R_a、间距特性参数λ_a 和混合参数△_a。我们的研究证明了上述测量方法的正确性。因而,这种测量方法可用于测量工件表面粗糙度参数仪器的设计。 相似文献
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采用波导短路法对介质材料的相对介电常数进行扫频自动测量,通过VC++开发了一套宽频带(8GHz~18GHz)复介电常数自动测量系统。用矢量网络分析仪对波导采样器进行扫频测量,不仅可以得到被测材料介电常数的频率特性,而且能够解决超越方程多值解的判断问题,并减少了测量中的误差。通过对介质样品的实际测量,可以发现,该自动测量系统操作简单、测量速度快,测量结果能够达到较高准确度,结果令人满意。 相似文献