用聚合物裂解制造Si3N4或Si3N4—SiC陶瓷材料

本文对国外用聚硅氮烷或其它聚合物裂解制造Ｓｉ３Ｎ４，Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ陶瓷材料的研究进行了扼要的综述，着重介绍了聚硅氮烷的制造方法，并展望了其应用前景。     

Si_3N_4－SiC纤维先驱体──低分子量聚硅氮烷的合成与分析

以Ｍｅ_２ＳｉＣｌ_２、ＭｅＳｉＨＣｌ_２（式中Ｍｅ代表ＣＨ_３）或其混合物与ＮＨ_３反应制得低分子量聚硅氮烷，该产物是制备Ｓｉ_３Ｎ_４－ＳｉＣ纤维先驱体的基本原料。研究了不同配比的Ｍｅ_２ＳｉＣｌ_２／ＭｅＳｉＨＣｌ_２混合物氨解反应所需的时间，氨解产物的物理性能、分子量及其分布，着重分析了氨解产物的结构。     

Si3N4—SiC纤维先驱体——低分子量聚硅氮烷的合成与分析

以ＭｅＳｉＣｌ２（式中Ｍｅ代表ＣＨ３）或共混合物与ＮＨ３反应制得低分子量聚硅氮烷，该产物是制备Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ纤维先驱体的基本原料。研究了不同配比的Ｍｅ２ＳｉＣｌ２／ＭｅＳｉＨＣｌ２混合物氨解反应所需的时间，氨解产物的物理性能、分子量及其分布，着重要分析了氨解产物的结构。     

先驱体转化法制备SiC／Si_3N_4复相陶瓷异型件──成型工艺研究

研究了以先驱体为粘合剂制备ＳＩＣ／Ｓｔ３Ｎ４复相陶瓷异型件的成型工艺，以及各成型工艺参数对后续烧成、烧结工艺和制品性能的影响。     

Si_3N_4/TiC复合材料的显微结构与力学性能

本文通过XRD和SEM分析了热压Si_3N_4/TiC的显微组织特征,研究了添加TiC粒子对Si_3N_4陶瓷力学性能的影响。结果表明:在Si_3N_4/TiC颗粒复合材料中,TiC与裂纹前端的交互作用使裂纹发生偏转,增加了裂纹扩展阻力,使断裂韧性值提高,断口形貌趋于复杂;同时TiC与Si_3N_4的弱界面结合以及TiC团聚体的存在使Si_3N_4/TiC在韧性增加的同时强度降低。K_(IC)增加越显著,强度下降越明显。     

新型高耐热性SiC,Si3N4纤维的研究进展

综合叙述了国外近年来在高耐热性ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４纤维方面的研究进展。通过改进不熔化处理方法，可以降低纤维中的氧含量，并显著提高的性能；而在纤维制造过程中的先驱体合成或不熔化处理等阶段引入导无素，如硼，已制得高强高模，耐高温的ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４陶瓷纤维。     

先驱体转化法制备SiC/Si_3N_4复相陶瓷异型件──烧成工艺研究

研究了以先驱体为粘合剂制备SiC／Si3N4复相陶瓷异型件的烧成工艺，以及升温制度等对制品质量的影响。     

ＳｉＢＡｌＯＮ 陶瓷前驱体的制备与裂解

以聚铝氧烷为铝源ꎬ聚硼硅氮烷兼作硼源和硅源ꎬ共混得到ＳｉＢＡｌＯＮ 陶瓷前驱体ꎬ经高温裂解得

到ＳｉＢＡｌＯＮ 陶瓷ꎮ 采用ＴＧＡ 和ＸＲＤ 对ＳｉＢＡｌＯＮ 前驱体的裂解行为及陶瓷产物晶相结构进行表征ꎮ 结果表

明ꎬＡｌ 的引入降低了陶瓷的结晶温度ꎬ当陶瓷中的Ａｌ 含量为１０ｗｔ％时ꎬ１ ３００℃ 处理后析出β－Ｓｉ３ Ｎ４ 晶体ꎬ１

５００℃时ꎬ陶瓷中的Ａｌ 和Ｏ 与无定型的Ｓｉ－Ｎ 结合生成出现Ｓｉ２Ｎ２Ｏ 和Ｓｉ３ Ａｌ３ Ｏ３＋１.５ｘ Ｎ５－ｘ结晶ꎬ１ ７００℃时Ａｌ 和Ｏ

与结晶的β－Ｓｉ３Ｎ４固溶生成β’ －ＳｉＡｌＯＮ 结晶ꎬ最终陶瓷产物晶相组成为Ｓｉ２ Ｎ２ Ｏ/ Ｓｉ３ Ａｌ３ Ｏ３＋１.５ｘ Ｎ５－ｘ / β’ －ＳｉＡｌＯＮꎮ

对陶瓷的介电性能进行研究表明ꎬ温度<１ ０００℃时ꎬ其介电常数和介电损耗较为稳定ꎬ分别约为３ 和<０.００４ꎮ

     

SiO2—Si3N4天线窗材料的热学性能和抗热震性能研究

研究了ＳｉＯ２－Ｓｉ３Ｎ４天线窗材料的热学性能和抗热震性能。结果表明，复合材料的热膨胀系数、导温系数、导热系数随Ｓｉ３Ｎ４含量的增加而增大，对于同一Ｓｉ３Ｎ４含量的复合材料，三者均随温度的升高而增大，复合材料保持了ＳｉＯ２基体材料的良好抗热震性。     

先驱体转化法制备了SiC／Si3N4复相陶瓷异型件—烧成工艺研究

研究了以先驱体为粘合剂制备ＳｉＣ／Ｓｉ３Ｎ４复相陶瓷异型件的烧成工艺，以及升温制度等对制品质量的影响。     

先驱体转化制备SiC／Si3N4复相陶瓷异型件——成型工艺研究

研究了以先驱体为粘合剂制备ＳｉＣ／Ｓｉ３Ｎ４复相陶瓷异型件的成型工艺，以及各成工艺参数对后续烧成，烧结工艺和制品性能的影响。     

Si3N4-TiN-SiC复相陶瓷的燃烧合成

利用高压气－固燃烧合成法,以ＴｉＳｉ２和ＳｉＣ为原料制备了Ｓｉ３Ｎ４－ＴｉＮ－ＳｉＣ复相陶瓷,实验中发现反应过程中出现的液相降低了产物的转子率;分析了稀释剂对产物的转化率与燃烧温度的影响及氮气压力在燃烧中的作用;解决了液相,稀剂和燃烧温度之间的矛盾,即通过提高氮气压力来完成。     

FATIGUE DISLOCATION CONFIGURATIONS IN HEXAGONAL ZIRCALOY-4

ＦＡＴＩＧＵＥＤＩＳＬＯＣＡＴＩＯＮＣＯＮＦＩＧＵＲＡＴＩＯＮＳＩＮＨＥＸＡＧＯＮＡＬＺＩＲＣＡＬＯＹ－４￥ＸｉａｏＬｉｎ（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＭｅｃｈ．，Ｘｉ＇ａｎＪｉａｏｔｏｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｘｉ＇ａｎ，Ｃｈｉｎａ...     

先驱体转化法制备致密SiC／Si3N4复相陶瓷异形件—烧结工艺研究

研究了以陶瓷先驱体为粘合剂成型并转化制备致密ＳｉＣ／Ｓｉ３Ｎ４复相陶瓷异形件的烧结工艺及其对烧结体的结构和性能的影响。     

连接压力在Ti/Ni/Ti复合层TLP扩散连接Si3N4陶瓷中的作用机制

研究了Ｔｉ／Ｎｉ／Ｔｉ复合层ＴＬＰ扩散连接Ｓｉ３Ｎ４陶瓷时压力对接头形成的作用机制。结果表明,ＴＬＰ来不及与陶瓷发生充分反应并形成高强度结合界面就已完全凝固,为形成高强度的结合界面,必须进一步发生固态扩散反应。只有当连接过程中施加足够的压力,才能保证ＴＬＰ在其存在期间充分铺展陶瓷,并在ＴＬＰ完全凝固后形成大量扩散通道,为固态扩散反应提供必要条件。     

RATSi4Mo热冲模的铸造实践

介绍 职硅钼耐热球墨铸铁ＲＱＴＳｉ４Ｍｏ热冲模的铸造工艺，成功铸造了符合技术条件的合格铸件，对同类材料铸件的生产提供了宝贵经验。     

聚硅氮烷纤维的BCl3不熔化处理研究

研究了用三氯化硼对聚硅氮烷纤维进行了不熔化处理的过程，讨论了处理条件对不熔化反应的影响，并对不溶化过程的反机理进行了分析探讨。     

碳／碳复合材料表面沉积SiC的形态和成分

在ＰＡＮ碳布和沥青基体碳的Ｃ／Ｃ复合材料表面涂复了ＳｉＣ。用ＣＨ４和Ｎ,为载气的ＳｉＣｌ４作原料,用Ｈ２为稀释气,在两种气体混合比和三种温度下化学气相沉积ＳｉＣ涂层。分析表明,涂层的主要元素有Ｃ,Ｓｉ、Ｃｌ和微量Ｃａ。电镜观察表明,涂层中Ｃ原子含量为６２％时呈菜花状或云团状,而当Ｃ／Ｓｉ比接近于１时,表面呈菠萝状。     

氮化硼陶瓷前驱体的制备及表征

以三氯化硼和六甲基二硅氮烷为原料制备了聚硼氮烷预聚体,再经高分子化制备了可溶的氮化硼陶瓷前驱体—聚硼氮烷.该法合成工艺简单,反应温和.采用凝胶渗透色谱、核磁共振氢谱、傅里叶红外光谱、热失重分析仪、元素分析等对预聚体高分子化过程中的分子量变化、高分子化机理、聚硼氮烷的裂解过程、所得陶瓷的元素组成进行了研究.结果表明,高分子化过程中主要发生了六甲基二硅氮烷脱除和转氨基反应.所得聚硼氮烷重均分子量为7 582,氮气下1 000℃时的陶瓷产率为41.6 wt％,陶瓷化转变主要发生在400～600℃,800℃时陶瓷化转变基本进行完毕,800℃氨气下裂解得到低C含量的白色氮化硼陶瓷,进一步在1 500℃氩气中裂解可得到结晶度较高的氮化硼陶瓷.     

金属基高功率CO2激光沉积超硬Si3N4膜层性能研究

本文采用高功率ＣＯ２激光在金属基材汽相沉积出厚度－３０μｍ标准化学计量配比、平均硬度达２２００ＨＫ的ａ－Ｓｉ３Ｎ４膜层，与基材有良好的结合界面，实验分析表明所沉积膜具有超硬和良好的耐磨抗蚀等性能。