以聚铝氧烷为铝源ꎬ聚硼硅氮烷兼作硼源和硅源ꎬ共混得到SiBAlON 陶瓷前驱体ꎬ经高温裂解得 到SiBAlON 陶瓷ꎮ 采用TGA 和XRD 对SiBAlON 前驱体的裂解行为及陶瓷产物晶相结构进行表征ꎮ 结果表 明ꎬAl 的引入降低了陶瓷的结晶温度ꎬ当陶瓷中的Al 含量为10wt%时ꎬ1 300℃ 处理后析出β-Si3 N4 晶体ꎬ1 500℃时ꎬ陶瓷中的Al 和O 与无定型的Si-N 结合生成出现Si2N2O 和Si3 Al3 O3+1.5x N5-x结晶ꎬ1 700℃时Al 和O 与结晶的β-Si3N4固溶生成β’ -SiAlON 结晶ꎬ最终陶瓷产物晶相组成为Si2 N2 O/ Si3 Al3 O3+1.5x N5-x / β’ -SiAlONꎮ 对陶瓷的介电性能进行研究表明ꎬ温度<1 000℃时ꎬ其介电常数和介电损耗较为稳定ꎬ分别约为3 和<0.004ꎮ
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