十八烷-棕榈酸/膨胀石墨相变储能材料的制备与性能

以十八烷和棕榈酸的低共熔物作相变材料,膨胀石墨为基体,采用真空浸渗方法,制备出十八烷-棕榈酸/膨胀石墨相变储能材料。由于膨胀石墨的多孔结构,其毛细作用力和表面张力使得相变材料在发生固液相变的过程中,失去了流动性。采用DSC,ESEM、熔化凝固过程分析对相变储能材料进行了结构和热性能研究。结果表明,癸酸-月桂酸被有效地包封在多孔石墨孔内,膨胀石墨作为基体材料,较大的提高了相变材料的导热率,同时该储能材料还具有较高的相变潜热和较好的热稳定性,可被应用于储能和热能回收系统中。     

纳米石墨薄片的制备、表征与应用

为了获得适宜于同聚合物进行纳米复合的纳米石墨薄片(NGS),采用微波膨化制备膨胀石墨(EG),利用超声剥离与表面修饰获得NGS,并借助SEM、XRD、FTIR等分析其微观结构。结果表明:EG由许多厚100-300 nm的石墨薄片连接而成并形成网络结构,孔隙尺寸约几十纳米到几十微米;通过对EG的超声剥离可破坏其原有网络结构并将石墨晶片进一步剥离为大量30-60 nm厚的石墨薄片;石墨微波膨化与超声剥离过程中微观形貌的变化及其表面活性基团的引入,有利于进一步借助插层法实现聚合物与石墨的纳米复合。     

掺杂硅再结晶石墨微观结构及其性能的研究

用煅烧石油焦作填料、煤沥青作粘结剂、硅粉作添加剂 ,采用热压工艺制备了一系列不同质量配比的掺杂硅再结晶石墨。考察了不同质量配比的添加硅对再结晶石墨的热导率、电阻率和抗弯强度的影响以及微观结构的变化。结果表明 :与相同工艺条件下制备的纯石墨材料相比较 ,掺杂硅再结晶石墨的导热导电性能均有较明显的提高 ,而力学性能却有所降低。与纯石墨材料相比较 ,当硅掺杂量为 4wt%时 ,再结晶石墨电阻率可降低 2 5 % ;而当硅掺杂量超过 4wt%时 ,对再结晶石墨的电阻率影响不大。室温下 ,RG-Si-6再结晶石墨的层面方向热导率可达 3 2 5 W/ (m·K)。微观结构分析表明 ,随着硅掺杂量的增加 ,石墨微晶的石墨化度以及微晶尺寸均增大 ,晶面层间距 d0 0 2 降低。原料中掺杂硅量为 6wt%时 ,再结晶石墨的石墨化度为 94.3 % ,微晶参数 La/为 1 94nm。 XRD分析表明 ,硅元素在再结晶石墨中以 α-Si C的形式存在。硅对再结晶石墨制备过程的催化作用可以用碳化物分解机理来解释     

新颖高温密封材料——膨胀石墨

本文介绍了膨胀石墨的性能、制造工艺、密封机理以及在使用时的一些情况.     

碳/碳复合摩擦材料制备新工艺研究

研究了用新工艺快速定向流动法化学气相沉积碳 /碳复合摩擦材料的制备工艺。对总体方案进行了分析 ,确定了最优工艺参数 ,所得制品具有良好的摩擦磨损性能。并探索了沉积温度、炉压、气体流量等工艺参数及石墨化处理工艺对制备工艺和材料性能的影响     

B-7生焦基石墨的工艺和性能

前言 在研制抗热应力石墨方面,主要方向是降低石墨的热膨胀系数,增大石墨的断裂应变。 生焦工艺制备高应变石墨显示了令人鼓舞的前景。这种工艺是美国国立橡树岭实验室在六十年代为研制核石墨而发展起来的。1971年美国国立橡树岭实验室在海军武器实验室的支     

TA2钛合金表面Al2O3/石墨自润滑沉积层的制备及其摩擦学性能研究

采用阴极液相等离子体电解沉积技术(PED)在TA2钛合金表面一步制备了含石墨的Al2O3陶瓷沉积层。利用SEM和XRD对沉积层的结构和成分进行了表征,并探讨了沉积层的形成过程和机理。用摩擦试验机评价了沉积层的摩擦磨损性能。结果表明,通过在电解液中添加适量的石墨,利用PED技术可在TA2钛合金表面制备由α-Al2O3、γ-Al2O3和石墨相组成的复合沉积层。与TA2钛合金以及不含石墨的Al2O3沉积层相比,Al2O3/石墨复合沉积层的摩擦系数显著降低,磨损率随之减小,具有良好的减摩抗磨性能。     

膨胀石墨用作烟幕材料衰减毫米波性能研究

以无机-有机混酸为介质用电化学法制备了膨胀石墨，分析了影响膨胀石墨蠕虫长度的因素；对样品进行了红外及热重分析。样品在8-14μm红外波段有数个特征吸收峰；在DTG曲线上第一个失重峰出现在201℃；540℃时混酸插层化合物失重率为12．9％。测试了不同长度分布的膨胀石墨蠕虫对8毫米波的衰减性能，结果表明：当石墨蠕虫长度主要分布在2．7—3．9mm时，干扰效果较好，衰减率可达11．61dB，为潜在的宽波段干扰剂。     

掺杂锆再结晶石墨微观结构及其性能的影响

用煅烧石油焦作填料、煤沥青作粘结剂、锆粉作添加剂,采用热压工艺制备了一系列不同质量配比的掺杂锆再结晶石墨。考察了不同质量配比的添加锆对再结晶石墨的热导率、电阻率和抗折强度的影响以及微观结构的变化。实验结果表明,与相同工艺条件下制备的纯石墨材料相比较,掺杂锆再结晶石墨的导热、导电以及力学性能均有较大的提高。当锆掺杂量为6wt%时,再结晶石墨电阻率有明显的降低;而当锆掺杂量超过6wt%时,对再结晶石墨的电阻率影响不大。室温下,RG-Zr-12再结晶石墨的层面方向热导率可达410W/(m·K)。微观结构分析表明,随着锆掺杂量的增加,石墨微晶的石墨化度以及微晶尺寸增大,晶面层间距降低。原料中掺杂锆量为12wt%时,再结晶石墨的石墨化度为97.7%,微晶参数La为475nm。XRD及SEM分析表明,锆元素在再结晶石墨中以碳化锆的形式存在。锆对再结晶石墨制备过程的催化作用可以用液相转化机理来解释。     

共熔法制备超高温陶瓷基复合材料

首次采用共熔法制备超高温陶瓷基复合材料,三个样品初始组分分别为ZrB_2与鳞片石墨,ZrB_2、TaB_2、SiC及鳞片石墨,ZrB_2、MoSi_2与鳞片石墨。研究结果表明,共熔法制备的复合材料中各相分散均匀,产物中的石墨高度有序,石墨层间距分别为0.335 4、0.335 9与0.337 7 nm,且三者的微晶厚度分别为63.4、51.5及68.7 nm,拉曼光谱结果表明硼已经掺杂进入了石墨的网格结构。所制得的超高温陶瓷基复合材料样品中均存在一定的孔隙率,且制备的超高温陶瓷基复合材料的热导率较低。该方法为一种新型、快速、一步法制备超高温陶瓷基复合材料工艺。