SiC MOSFET器件单粒子烧毁仿真分析

应用于航天器的宽禁带半导体功率器件会受到空间带电粒子的影响而存在单粒子烧毁（SEB）风险。为研究单粒子烧毁的机理及防护措施，文章利用半导体工艺器件仿真（TCAD）对SiC MOSFET器件进行了SEB仿真分析，发现粒子入射最敏感位置时器件发生SEB的阈值电压在500 V。同时，通过仿真获得器件微观电参数分布特性，分析认为器件发生SEB的机理是寄生晶体管的正反馈作用导致缓冲层和基区的电场强度（5.4 MV/cm和4.2 MV/cm）超过SiC材料击穿场强（3 MV/cm）。此外，针对仿真揭示的器件SEB薄弱区域，提出将P+源区的深度向下延伸至Pbase基区底部的工艺加固思路，并通过仿真验证表明该措施使器件发生SEB的阈值电压提高到近550 V。以上模拟结果可为该类器件的抗SEB设计提供技术支持。     

GaN基半导体技术的空间应用研究与展望

空间太阳能电站需要高效率、良好环境适应性和长寿命的新型光电转换材料和大功率半导体器件。从功率器件和太阳能电池两个方面，概述了宽禁带半导体在太阳能技术中的应用和研发动态。采用宽禁带半导体设计的GaN高效固态功放和禁带宽度从0.7 eV(InN)～3.4 eV(GaN)连续可调的InGaN直接带隙的太阳能电池具有可靠性高、效率高、体积小、质量轻、高抗辐射能力等优点。因此，随着GaN基宽禁带半导体材料及器件的进一步发展，可助推空间太阳能电站早日实现。     

高温SiC器件及其集成电路在空间电子领域应用展望

金星、火星等行星空间探索对航天器电子学系统耐高温、抗辐照、抗腐蚀性等提出了严峻挑战。极低温电子学和高温电子学是近年来深空探索中的强烈需求。文章主要阐述高温SiC集成电路的起源,数字、模拟和功率IC的发展历程和研究现状。重点综述分析了高温SiC集成电路设计方法和流片验证的两条技术途径：首先,基于多层外延制造工艺的BJT器件单元及其双极集成电路;其次,基于离子注入掺杂工艺的互补单元及其CMOS集成电路。在此基础上还进一步介绍了高温SiC传感芯片、BCD功率IC及功率模块的应用可靠性验证。目前国际研究现状展示了SiC BJT和CMOS IC研制中大学学术界和半导体企业界的协同创新格局。最后展望了其在深空探索中的潜在应用及其面临的挑战性。本综述对国内研制空间环境用宽禁带半导体SiC高温集成电路及其电子学系统具有借鉴价值。     

SiC及其复合材料轻型反射镜的研究进展

文章描述了4代军用卫星反射镜用材料的研究发展历程，重点介绍了以SiC及其复合材料为标志的第三、四代反射镜的特点和优点、SiC反射镜及其复合材料反射镜的制备工艺、世界各发达国家关于SiC反射镜的应用，最后，对国内研究进展及今后需要进一步解决的问题提出了几点看法。     

X/Ku波段宽带GaN微波固态功放技术研究

GaN作为新一代半导体材料具有宽禁带、高击穿场强、高饱和电子漂移速率以及抗辐射能力强等优点成为近几年来的研究热点,随着GaN功率管性能的不断提高,以GaN为基础的微波功率器件的应用取得了很大的进步.根据电子对抗领域微波固态功放的特点,设计一款基于GaN功率器件的X/Ku波段20W宽带固态功放,并给出了测试结果.     

微波技术的发展动向

概述当前微波技术的研制动向及部分产品达到的水平.目前微波技术发展特点是,已由第三代微波集成电路技术向毫米波段过渡,而且发展势头仍在倍增,产品品种不断增加,质量不断提高; 半导体微波器件快速发展.介绍了部分主要微波产品性能和应用;着重叙述今后微波器件的发展方向.     

SiC及其复合材料轻型反射镜的研究进展

文章描述了 4代军用卫星反射镜用材料的研究发展历程 ,重点介绍了以SiC及其复合材料为标志的第三、四代反射镜的特点和优点、SiC反射镜及其复合材料反射镜的制备工艺、世界各发达国家关于SiC反射镜的应用 ,最后 ,对国内研究进展及今后需要进一步解决的问题提出了几点看法。     

AlGaN/GaN HEMT质子辐射效应研究进展

氮化镓（GaN）基异质结材料以其宽禁带、耐高温、高击穿电压以及优异的抗辐射性能成为航天领域半导体材料的研究和应用热点。而基于GaN材料的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）因其制备过程带来的缺陷和损伤,性能将受到空间辐射的严峻挑战。文章对空间辐射环境下AlGaN/GaN HEMT的辐射机理和效应进行梳理;针对低中地球轨道以质子为主的辐射环境,对不同能量和注量的质子辐照对AlGaN/GaN HEMT的效应进行系统分析。鉴于从压电极化角度分析AlGaN/GaN HEMT的质子辐射效应存在欠缺,且不同能量和注量的质子辐照对器件的影响不同,提出后续应开展AlGaN/GaN HEMT辐射损伤机制、不同轨道辐射环境模拟以及质子辐照对AlGaN/GaN HEMT宏观特性影响研究。     

星载氮化镓固态功率放大器整机高可靠设计技术研究

为了满足星载应用对于固态功率放大器长寿命的应用需求，针对近年来研究较多的氮化镓（gallium nitride,GaN）固态功率放大器（solid state power amplifier,SSPA），阐述了器件存在的可靠性问题，提出了整机高可靠设计方法。首先，探讨了氮化镓器件的典型失效机理，给出了氮化镓器件在高场退化以及热退化方面的研究结果，分析了逆压电极化效应及热载流子效应引起器件退化的物理机制。其次，围绕降额设计、整机热设计以及电路稳定性设计，研究了如何针对氮化镓器件的特点实现星载固放的高可靠设计，并给出了典型的仿真及实验结果。最后，给出了典型的星载固态功率放大器空间环境模拟试验结果，产品在热真空试验、温循老炼以及高温老炼等试验过程中表现出了较高的稳定性和一致性，为氮化镓固态功率放大器的上星应用提供了有力的支撑。     

半导体致冷器的发展与应用

半导体致冷器作为一种固态器件,比机械致冷更具优越性,文章详细论述了半导体致冷器的结构、工作原理和当前半导体致冷器的发展与应用。     

有源电磁超构表面应用综述

电磁超构表面具有卓越的电磁波人工控制能力，可应用于透射、反射、衍射等多种情况，因此，超构表面在基础光学和电磁调控领域中的具有巨大的应用潜力及前景。将有源元件引入电磁超构表面是开发下一代平面光学组件和电磁器件的关键步骤。在过去的几年里，许多研究者尝试开发基于各种新型活性材料和可调谐机制的超构表面器件，使之具有动态调控功能的光学特性（如振幅、相位、偏振、空间、时间响应）及器件功能（如光束转向、动态聚焦、可调谐滤波器、动态全息图等）。这些有源超构表面在实际应用中显示出巨大的前景，但仍存在重大挑战。本文主要讨论了基于有源电磁超构表面的若干潜在应用、新兴技术和研究方向。     

国际空间站是如何建成的？——连载八

2002年11月，奋进号航天飞机将长、宽、高、重量部与右舷第一组构架结构（S1）相同的左舷第一组构架结构（P1）运送至国际空间站，组装在SO构架结构的左边。同时为国际空间站送来了3名第六批长住航天员，并接回第五批长住航天员。     

一种可编程逻辑器件在导弹地测设备上的应用

介绍一种具有内部边线式结构、可预知逻辑定时关系、资源规模庞大、Ｉ／Ｏ管肢数目丰富的一种ＥＰＬＤ（Ｅｒａｓａｂｌｅ ＰＬＤ）器件ＭＡＣＨ４，该器件且可在系统上进行现场编程ＩＳＰ（Ｉｎ Ｓｙｓｔｅｍ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｉｌｉｔｙ），能有效消除竞争冒险、作用灵活方便、可靠性高的一种－ＭＡＣＨ４系列器件，并以设计某型导弹武器系统仪器－－测时测频仪为例说明了应用ＩＳＰ技术实现该系统设计的方法及技术要点。     

大众第三代防盗系统结构、原理与维修

本文详细说明了大众第三代防盗系统的结构及工作原理,在此基础上仔细阐述了维修方法、步骤,适用于各种配置大众第三代防盗系统的车辆。     

固体战略弹道导弹的多学科设计优化研究

运用多学科设计优化（MDO）方法对某固体战略弹道导弹的总体优化设计进行了研究。从满足固体导弹的MDO需求出发，基于第三代MDO理论，对固体导弹按学科分解为系统层（性能，弹道学科）和子系统层（推进学科、质量分析学科、气动学科），通过分析与建立以上各学科的优化模型及固体导弹的总体优化模型，以固体导弹起飞质量为目标函数将MDO单级优化过程中的同时分析与设计（SAND）过程应用于该固体导弹总体优化设计。与传统优化方法所得结果相比，固体导弹起飞质量减小15．1％，发动机结构质量减小23．3％，优化效率提高87％。算例表明，将MDO方法应用于固体导弹总体优化设计的思路可行。     

科技成果

欧盟先进硅材料研究取得重大突破 据中国科技部网站2012年5月2日消息，欧盟信息通信技术（ICT）主题资助850万欧元的研发项目“互补金属氧化物半导体的光电子功能集成”（HELIOS），近日取得了重大创造性突破。由法国原子能委员会电子与信息技术实验室（CEA-Leti）领导的法、英和比利时等欧盟成员国研究团队，首次研发出世界上第一个硅基材料可调谐发射器，     

电子元器件性能与液相外延工艺

分析了液相外延（ＬＰＥ）在微电子工艺中的状况及其原理，概述了ＬＰＥ在器件制造中的应用，指出了ＬＰＥ的电子元器件的优良特性，给出了ＬＰＥ在光电子领域研究中的最新成果。     

铝锂合金的发展和应用

铝锂合金是继铝镁合金、铝铜合金之后的第三代轻合金结构材料，在研究和应用上我国与俄国、美国的差距甚大。文中介绍了国外铝锂合金的发展．特点和应用情况，以供有关人员参考。     

AlN/GaN HEMT毫米波器件结构仿真研究

为实现更高工作频率的氮化镓（gallium nitride,GaN）基高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor,HEMT）器件，采用薄势垒外延结构、缩小栅长对提升器件的截止频率十分重要。通过对不同氮化铝（aluminium nitride,AIN）势垒层厚度以及不同尺寸栅长的AlN/GaN HEMT进行仿真分析，系统研究不同结构对器件短沟道效应、直流及频率等特性的影响。首先固定栅长为100nm，研究了跨导与截止频率随AlN势垒层厚度的变化情况。跨导随势垒层厚度的增加先增大后减小。当势垒层厚度为4nm时，跨导达到最大值(592mS/mm)，截止频率也达到最大值。为尽可能提升器件的截止频率，同时避免器件出现短沟道效应，固定AlN势垒层厚度为4nm，研究器件截止频率与短沟道效应随器件栅长的变化情况。仿真表明器件截止频率随栅长的减小而增大，50nm栅长的器件截止频率最高，但栅长为50nm时器件短沟道效应严重，此时器件纵横比(Lg/Tbar)为12.5。因此需要提升器件的纵横比，当器件栅长达到100nm时(Lg/Tbar=25)，器件短沟道效应得到抑制，且具有较高的截止频率。仿真结果表明，AlN HEMT具有较高的截止频率，同时应采用较大的纵横比设计(纵横比为25左右)以抑制短沟道效应，为后续高频AlN/GaN HEMTs器件的制备提供了理论依据。     

3GPP中TFCI编译码研究

在3GPP（第三代合作项目）协议中,为了提高传输格式组合指示（TFCI）的可靠性,对其采取了基于Reed-Muller码的超码编码。与经典RM编码相比,不但增加了码距,提高了纠错能力,而且可以利用快速哈达玛变换（FHT）提高译码速度。文章对协议中的编译码算法进行了研究,并对其纠错能力进行了仿真。