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对巨磁电阻材料La1-xZnxMnO3(x=0.1,0.3,0.5,0.7,0.9,1.0)样品的制备工艺、晶体结构、微观结构进行研究。结果表明,样品ZnO与MnO2固相反应的烧结温度和时间分别大于1300℃和6h时,反应生成具有四面体结构的ZnMnO3化合物;压制成型的压力对结构具有一定影响;不同浓度的Zn2 (x=0.1,0.3,0.5,0.7,0.9)掺杂样品在1350℃烧结12h后,均具有钙钛矿结构,但掺杂浓度在大于x=0.5时有新的衍射峰,产生新的物相,从而影响巨磁电阻效应性能。 相似文献
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通过射频磁控溅射法在Si(100)基片上沉积了La0.9 Ba0.1MnO3-δ(IJBMO)薄膜,并得到在不同温度下退火后的薄膜.采用X射线衍射(XRD),扫描隧道显微镜(STM),X射线光电子能谱(XPS),四探针法等手段对退火后薄膜的结构、微结构、表面化学态、磁电阻等性质进行了系统研究,结果表明,薄膜在800~850℃温度范围内退火,形成单相结构且晶粒与基片之间存在着相对固定的外延关系.退火温度不同会引起薄膜中含氧量的不同.在温度为300K,磁场为1.5T的条件下,退火温度为850℃的薄膜样品磁电阻可高达30%. 相似文献
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通过溶胶凝胶法制备钙钛矿结构的La_(1-x)Ba_xMnO_3(0≤x≤0.5),利用X射线衍射、四探针电阻测量仪、红外发射率测试仪、矢量网络分析仪分别研究Ba~(2+)掺杂对镧锰氧化物晶体结构、电阻率、红外发射率和微波吸收性能的影响。研究结果表明:当Ba~(2+)掺杂浓度比较低时,掺杂的元素几乎不改变镧锰氧化物的晶体结构;当掺杂浓度增加时,晶格畸变开始增大;样品红外发射率随Ba~(2+)离子掺杂浓度的增大先降低后缓慢增加,与电阻率的变化保持一致;Ba~(2+)离子可以对样品在2~18 GHz微波吸收性能进行调控,当掺杂浓度x=0.3时,样品的吸收效果最佳;在频率为10.8 GHz时,最低反射率为-32 d B;掺杂合适元素的镧锰氧化物材料有可能应用在红外/雷达兼容隐身领域。 相似文献
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采用EB-PVD沉积了3.5%Y2O3-La2(Zr0.7Ce0.3)2O7(3.5Y-LZ7C3)/YSZ双陶瓷热障涂层,分析了涂层的成分、相结构、组织形貌和热循环氧化性能.研究表明:La2(Zr0.7Ce0.3)2O7(LZ7C3)材料中掺杂Y2O3能有效地降低涂层中La2O3/ZrO2/CeO2的成分偏差;双陶瓷涂层在1050℃下氧化增重动力学为M=0.1219t1/3,相比抛物线型YSZ涂层的氧化增重曲线,较大减缓了氧化速度;沉积态双陶瓷涂层表面结构(即3.5Y-LZ7C3涂层结构)为烧绿石结构,经过热循环后逐渐分解,出现了萤石结构以及La2O3的衍射峰;在1050℃双陶瓷层热循环氧化寿命达768h. 相似文献
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电子束物理气相沉积Nd2O3和Yb2O3共掺杂的YSZ热障涂层研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用固相烧结的方法制备了10 mol% Nd2O3和Yb2O3共掺杂的YSZ(3.5 mol% Y2O3部分稳定的ZrO2)材料.掺杂材料为t/t'相,而8YSZ则为t/t'与m的混合相.测试结果表明:1 100 ℃时掺杂材料的热扩散系数为4.10×10-7 m2/s,而8YSZ(8 wt.% Y2O3部分稳定的ZrO2)的则为6.41×10-7 m2/s.在200~1 300 ℃温度范围内,掺杂材料的比热容均大大低于8YSZ.电子束物理气相沉积的掺杂材料的热障涂层陶瓷层为树枝晶结构.1 100 ℃下,掺杂材料的热障涂层热循环寿命为350~500 h,而同等条件下8YSZ涂层仅为160~200 h. 相似文献
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热处理对大尺寸铸态高Nb-TiAl合金组织中S-偏析的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了热处理对铸态高Nb-TiAl合金组织中S-偏析的影响.试验结果表明,对合金试样在Tα温度以上(1350~1400℃)进行热处理可以消除S-偏析,短时间内保温组织中会再次出现大量的β相,长时间保温后β相完全溶解并转变为α相,其冷却到室温变为片层组织;在Tα温度以下α γ两相区(1250~1330℃)由于γ相的存在不能消除S-偏析.合金试样经过1350℃/24h 900℃/30min/AC和1400℃/12h 900℃/30min/AC处理后,S-偏析都得到了有效的消除,并分别获得平均晶粒尺寸为210μm和 120μm的片层组织. 相似文献
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Nb/Nb5Si3合金是未来最具潜力的超高温结构材料,实现该材料的结构微叠层化是一种新颖的材料设计思路和制备方法.Nb/Nb5Si3微叠层材料是将Nb和Nb5Si3按一定的层间距及层厚比以ABABAB型交互重叠结构形成的多层材料,其几种典型的制备技术包括热压、等离子喷涂、磁控溅射和电子束物理气相沉积(EB-PVD).其中EB-PVD是一种最适合工程应用的Nb/Nb5Si3微叠层材料制备方法,结构和功能复合、纳米化叠层、高韧化工艺是EB-PVD技术制备Nb/Nb5Si3微叠层材料的发展方向. 相似文献
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采用含有纳米碳酸钙的硅酸钠水性悬浮液在酸性物质作用下,硅酸盐发生水解-缩合反应生成溶胶从而沉积在纳米碳酸钙粒子表面的溶胶沉淀法,制备出具有核-壳结构的纳米碳酸钙/二氧化硅复合粒子。用TEM、IR、xPs、TGA、xRD等方法对复合粒子的大小、形貌、化学组成、结构、热性能及晶型等作了分析和表征。 相似文献
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姚承照%胡宝刚%冯志海%刘武 《宇航材料工艺》2001,31(6):72-76
为了更好地研究三维整体纺织碳/酚醛复合材料的成型工艺对材料烧蚀性能的影响,选用不同纤维体积分数和不同编织结构的碳/酚碳复合材料试样,进行烧蚀试验,利用TalyScan150型表面粗糙度测试仪对试样烧蚀后的表面进行测试,并采用多种分析方法对测试结果进行分析。从分析结果可以看出三维四向结构的碳/酚醛复合材料随着纤维体积分数的增加,烧蚀性能变好,较低纤维体积分数(50%)的三维五向结构碳/酚醛复合材料具有较好的烧蚀性能。 相似文献
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从经典的Maxwell-Garnett公式出发,在考虑颗粒间相互作用的情况下,推导具有核-壳结构的四氧化三铁/导电聚苯胺球形填料复合体系的等效电磁参数的计算公式。数值分析结果表明,随着填料占空比的增加,表征颗粒周围媒质的磁导率μh的值越大,并且随频率的下降速度比低占空比的情况缓慢。在核壳比不同的情况下,复合材料的等效电磁参数产生超交换作用的电磁耦合共振现象,从而使2mm厚的吸波涂层在填料核壳比为0.6时的吸波效能达到最大,并随着填料占空比的增加,反射率的峰值增大且向低频处移动。优化结果表明,占空比为0.3时的四层吸波复合结构具有最佳的吸波效能,其反射率的最小值达到-62dB。 相似文献
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Tsai-Fu Wu Chh-Lung Shen Chien-Hsuan Chang Jeiyang Chiu 《IEEE transactions on aerospace and electronic systems》2003,39(2):635-646
This paper presents a single-phase three-wire (1/spl phi/ 3W) grid-connection photovoltaic (PV) power inverter with a of partial active power filter (PAPF) feature, which can not only deal with PV power but filter current harmonics and improve power factor. Once the processed power exceeds the switch ratings, the inverter can reduce its output reactive power and harmonic power, while still supplying the maximum real power generated by the PV arrays. In the derivation of control laws, a limit circle is defined to confine the output power of the inverter. To determine the power that the inverter can process, the instantaneous reactive power of a 1/spl phi/ 3W system is defined and used to calculate reactive power, which can avoid complex detections of phase angle and magnitude of the fundamental component of a nonlinear load current. Simulation results and experimental measurements have verified the proposed algorithm and the feasibility of the inverter. 相似文献
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用Ti/Cu/Ni中间层二次部分瞬间液相连接Si3N4陶瓷的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用Ti/Cu/Ni中间层对Si3N4陶瓷进行二次PTLP连接,研究Ti箔厚度、连接工艺参数对Si3N4/Ti/C/Ni连接强度和界面结构的影响.结果表明Ti箔厚度对连接强度的影响是通过对反应层厚度的影响体现的;在本文试验条件下,改变二次连接工艺参数对Si3N4/Ti/Cu/Ni二次PTLP连接界面反应层厚度无明显影响,其对室温强度的影响是由于连接接头残余应力的变化所导致的;Si3N4/Ti/Cu/Ni二次PTLP连接界面微观结构为Si3N4/反应层/Cu-Ni固溶体层(少量的Cu-Ni-Ti)/Ni. 相似文献