压应力对非晶态Ni-Si-B合金的电子输运过程的影响

本文报导了Ni-Si-B非晶态合金薄带在压力作用下的电阻蠕变现象,发现电阻的蠕变现象和压力作用下应变的蠕变现象十分相似,也可以分为可逆的和不可逆的两部分,可逆部分又含有瞬时可逆和滞后可逆两种成分。文章对非晶态合金的不可逆塑性流变用位形熵的理论加以定性解释。     

非晶态(Fe_(0.5)Ni_(0.5))_(80-x)Cr_xP_(14)B_6合金薄带的磁场敏感特性的研究

本文对非晶态(Fe_(0.5)Ni_(0.5))_(80-x)Cr_xP_(14)B_6(x=0,1,2,3,4,6,10)合金薄带样品的室温直流磁场敏感特性进行了测量。结果表明,在几十个A/m范围的外磁场内,样品具有开关型磁场敏感特性。对影响开关特性的三个因素进行了一些讨论。     

非晶态合金传感器的发展

本文对近十年来国际上非晶态合金传感器的发展进行了综合评述。其中讨论了用于传感器的非晶态合金的特性,构成传感器的要素,介绍了非晶态合金传感器的分类、结构形式、实例及若干应用。按所利用的合金的磁致伸缩特性和物理效应把非晶态合金传感器分成5类:(1)利用零磁致伸缩合金制作的传感器;(2)利用超声传播效应的传感器;(3)利用应力-磁效应的传感器;(4)利用大巴克好森效应和迈悌欧锡斯效应的传感器;(5)利用电阻-应变等等其他物理效应的传感器。     

非晶态铁镍铬磷硼合金磁致伸缩的研究

本文分别以张力冲击法和应变电阻法对非晶态(Fe_(50)Ni_(50))_(80-z)Cr_xP_(14)B_6合金(x=0,1,2,3,4,6,10)薄带的室温饱和磁致伸缩系数进行了测量;测量结果表明,Cr元素的加入,使样品的λ_(?)有所减少;并对结果进行了讨论。     

非晶态Ni-Si-B合金薄膜的霍耳效应和磁阻效应

本文对非晶态Ni-Si-B合金薄膜的霍耳效应和磁阻随磁场变化等电磁性能进行了实验研究。在室温条件下,测量了非晶态Ni-Si-B合金薄膜的霍耳电势差,得出了该薄膜的霍耳系数和相应的每个原子的有效传导电子数Z≈0.3。结果表明,非晶态Ni-S-i-B合金薄膜具有正常的霍耳效应,可用自由电子模型的观点进行(?)述,本文还对非晶态Ni-Si-B合金薄膜的磁阻作了简要讨论。     

等离子体处理对非晶态合金镀层表面改性研究

通过微波等离子体处理方法对Ni-W、Ni-W-B非晶态合金镀层表面进行改性的研究,测量了表面改性对非晶态镀层耐蚀性、表面成分及结构的影响.结果表明,经过微波等离子体处理过的Ni-W、Ni-W-B非晶态合金镀层,提高了在H₂SO₄、HNO₃溶液中的耐蚀性以及在700℃环境下的抗氧化性能;微波等离子体处理过的非晶态合金镀层表面含W量和含O量相对提高了;镀层结构仍然是非晶态.     

非晶态（Fe0.5Ni0.5）80—xCrxP14B6合金薄带的磁谱的研究

以阻抗电桥法对非晶态(Fe_(0.5)Ni_(0.5))_(80-z)Cr_zP_(14)B_6(x=0,1,2,3,4,6,10)合金薄带的淬态和等温退火后样品的磁谱进行了测量。结果表明:退火后相对起始磁导宰μ_(?)提高了3.6～6倍,截止频率f_c下降,磁损耗μ_2的磁谱出现了共振峰。同时,等温退火处理对各样品相对起始磁导率的影响比改变Cr元素含量x要大得多。     

非晶态Fe_1—xBx-Fe_(1-x)B_x合金的电子结构

以四面体Fe_4B为原子团,利用多重散射X_a自洽场的方法,对非晶态Fe_(1-x)B_x合金的电子结构进行了计算。分析、对比了原子团Fe_4和Fe_4B的能级分布、轨道等高线图和状态密度分布,讨论了B原子的加入对非晶态Fe_(1-x)B_x合金的电子结构的影响。     

非晶态(Fe_(0.5)Ni_(0.5))_(80-x)Cr_xP_(14)B_6合金的内禀磁性和热稳定性的研究

对Cr含量变化对非晶态(Fe_(0.5)Ni_(0.5))_(80-x)Cr_xP_(14)B_6(x=0,1,2,3,4,6,10)合金薄带样品的内禀磁性和热稳定性进行了研究。对所得的随着Cr含量增加,样品的磁性原子的平均磁矩(?)和居里温度T_c的减少,热稳定性的提高等结果进行了讨论。当Cr含量x=4at％时,样品表现出一些特殊性质;而当x>4at％和<4at％时,样品的磁性和热稳定性的变化不尽相同。     

某种新型磁强计在星载部件测试中的应用研究

介绍了一种新型的磁强计，该磁强计用具有零磁滞伸缩系数的非晶态合金薄带作为探头铁心，多谐振荡回路作为磁强计电路。它具有结构简单，操作方便，频率响应范围大（０～５ｋＨｚ）等优点。给出了该磁强计的工作原理，并对其在星载部件测试中的应用进行了探索。     

化学镀Ni—P合金等温处理的结构转变

利用电子显微术研究了化学镀Ni—P合金层在260℃等温不同时间的非晶-晶体转变。结果表明,晶体镍首先从非晶态中析出,Ni_3P相亦直接从非晶态中生成,而不经过亚稳过渡相。     

非晶态NiSiB薄膜电阻的弛豫

用射频溅射制备了一组厚度不同的NiSiB非晶态薄膜.在不同温度下,用不同时间对薄膜进行了循环退火.实验测量了循环退火后的薄膜电阻随温度的变化,得到可逆和不可逆两组曲线.厚度较大(>1 000)的薄膜,电阻随温度的增加而增大,厚度较小(<400)的薄膜,电阻随温度的增加而减小.电阻温度系数有正有负.从非晶态材料的结构弛豫出发,应用激活能谱模型和推广的Ziman理论讨论了实验所得的结果.     

非晶态Co-T-Zr(T=Cr,Mo,V,W)合金作为磁强计磁芯材料的研究

以快淬法制备了非晶态Co_(90～x)T_xZr_(10)(T=Cr,Mo,V,W;x=0,4,6,8,10,12)合金系列样品,并对其一些热和磁性能进行了测试研究,探讨了它们在磁强计上应用的可能性。结果表明,随着样品中T元素含量的增加,样品的晶化温度和晶化激活能升高,饱和磁化强度和居里温度下降,交流磁导率变化不大。退火处理对交流磁导率和损耗有较大影响。以现有理论对实验结果进行了分析。非晶态Co_(78)Cr_(12)Zr_(10)合金适于用作磁强计探头的磁芯材料,尤其是它良好的高频性能使磁强计测量的交流磁场的截止频率大干20kHz。     

利用约瑟夫森电压标准装置测量直流电阻分压箱

提出了一种测量直流电阻分压箱比例的方法,利用可程控约瑟夫森电压标准装置(JVS)直接测量两个电压,计算其比例,具有测量周期短、准确度高、可靠性好的特点。还介绍了JVS和直流电阻分压箱的结构原理,以及测量分压比的技术。JVS能够短时间内连续多次测量10 V和1 V电压信号,几乎"同时"测量,通过合理设计测试方法和步骤,消除了以往测量方法中引线和其他测试设备以及电阻温度漂移的干扰,能够更加准确地测量出分压箱的分压比和线性度等指标,当测量分压箱比率为10∶1和100∶1时,测量的不确定度可分别达到1×10-7和3×10-7。     

铬镀层结构转变的氢效应

研究了常规六价铬镀铬并同时渗氢对镀层组织结构的影响。发现常规的薄镀铬层是一种不稳定的非晶态结构,在特定的渗氢条件下可以转变为稳定的非晶态结构或微晶结构。     

SmCox-0.4Ti0.4合金薄带的相结构和磁性能

SmCo_x-0.4Ti_0.4(x=5.0, 5.5, 6.5, 7.0)合金经42m/s速度甩带快速凝固制成薄带,在真空热处理炉中,进行750℃两小时热处理.对制得的甩带状态和热处理状态合金薄带分别测试其相结构和磁性能.结果表明:SmCo_x-0.4Ti_0.4合金甩带状态样品相结构随Co含量的不同而变化,其中x=5.0,5.5和6.5的合金样品由2∶ 17和1∶ 5两相结构组成;x=7.0成分样品由1∶ 7单相结构组成.甩带状态样品的比饱和磁化强度和比剩余磁化强度基本上线性增加,内禀矫顽力在合金成分为x=5.0时出现最大值,为1.01T.薄带样品热处理前后均具有纳米晶结构,表现出剩磁增强效应.样品矫顽力机制主要为形核型,反磁化形核场主要来源于SmCo硬磁相大的磁晶各向异性及其纳米晶结构.热处理后,除x=7.0样品外,其余样品矫顽力均有所下降.     

热反射测温系统测温准确度验证方法研究

针对热反射测温系统测温准确度验证结果不准确的问题,提出了一种热反射测温系统测温准确度的验证方法。采用以Si为衬底,利用半导体工艺制备金薄膜电阻,通过制作夹具,键合薄膜电阻与夹具的方式研制出验证电阻件。使用温控平台在30～100℃温度下对其进行温度系数考核,结果表明电阻件的阻值与温度有良好的线性关系。通过热电法计算出电阻件温度值,与热反射测温系统测量的电阻件温度值相比较,从而实现热反射测温系统测温准确度验证,保障了热反射测温系统的测温准确性。     

Zr-Al-(Ni-Cu)合金的非晶形成能力及热学性能

采用喷射铜模铸造法研究了Ni和Cu含量对Zr-Al-(Ni-Cu)四元合金的非晶形成能力的影响.利用X射线衍射仪分析了铸态合金的相结构,利用差示扫描量热仪研究了非晶合金的热学性能.结果表明:Zr-Al-(Ni-Cu)四元合金的非晶形成能力远大于Zr-Al-Ni和Zr-Al-Cu三元合金的非晶形成能力.Zr65Al7.5Ni10Cu17.5合金显示最高的非晶形成能力,其非晶形成临界直径可以达到7 mm.相似元素Ni和Cu在一定比例下共存,使液态合金的熵值增加,自由能降低,从而有效提高了合金的非晶形成能力.     

一种精密超高阻测量系统

为了对高阻和超高阻进行测量,采用全等电位屏蔽电桥线路、比例校准技术,并配以高灵敏指零仪和精密高压电流,研制出了 JRH 型精密超高阻测量系统。该系统是一个高精度、自校准、在0～5000V 下能测量高阻、超高阻、电阻比、电阻变化和电阻电压系数的电桥系统.其测量范围为10~3……10~(15)Ω,测量准确度最高为5×10~(-5)。文中还叙述了电桥系统的工作原理、结构与线路设计、误差分析和测试结果.     

量子霍尔效应及其在电阻计量中的应用

精密电阻在智能化仪器中发挥重要作用,对电阻的测量准确度需求也越来越高。基于量子霍尔效应的量子电阻标准可以解决传统实物电阻标准的诸多问题,为电阻计量提供了全新的途径。本文描述了量子霍尔效应和量子反常霍尔效应,阐述了基于砷化镓异质结和基于石墨烯的量子电阻器件及阵列的发展,总结了基于砷化镓异质结的传统量子电阻标准的优缺点,介绍和分析了新型石墨烯量子化霍尔电阻标准的优势、发展现状,以及交流量子霍尔电阻标准的最近进展。