航空航天用碳碳复合材料抗氧化涂层的研究现状

介绍了航空航天用碳碳复合材料（Ｃ／Ｃ）抗氧化涂层研究的发展和现状，指出提高ＳｉＣ涂层系统抗氧化能力的根本途径在于选择合适的玻璃密封剂来覆盖和封闭剂ＳｉＣ上的微裂纹。最新研究结果表明，使用射频磁控溅射工艺能够在Ｃ／Ｃ上得到均匀的铱涂覆盖层，且在高温环境中仍能保持稳定。此外发现，铱和Ｃ／Ｃ复合材料间不发生界面反应。     

航空航天用碳硅复合材料抗氧化涂层的研究现状

介绍了航空航天用碳碳复合材料（Ｃ／Ｃ）抗氧化涂层研究的发展和现状，指出提高ＳｉＣ涂层系统抗氧化能力的根本途径在于选择合适的玻璃密封剂来覆盖和封闭ＳｉＣ上的微裂纹。最新研究结果表明，使用射频磁控溅射工艺能够在Ｃ／Ｃ上得到均匀的铱涂覆层，且在高温环境中仍能保持稳定。此外发现，铱和Ｃ／Ｃ复合材料间不发生界面反应。     

SiC涂层/B4C改性炭基复合材料的氧化行为研究

以Ｓｉ和ＳｉＯ为硅化蒸气源,用ＣＶＲ和ＣＶＩ工艺对两种基体材料（纯石墨和Ｂ４Ｃ粒子改性石墨）进行了高温硅化处理,得到了四种复合材料：ＳｉＣ涂层／石墨（ＳＣ／Ｇ）,梯度ＳｉＣ涂层／石墨（ＧＳＣ／Ｇ）,ＳｉＣ涂层／Ｂ４Ｃ改性石墨（ＳＣ／ＢＧ）和梯度ＳｉＣ涂层／Ｂ４Ｃ改性石墨（ＧＳＣ／ＢＧ）。考察了四种复合材料在１２００℃的恒温氧化行为。同时也考察了梯度ＳｉＣ涂层／Ｂ４Ｃ改性石墨在１３００℃及经历了１０     

聚碳硅烷纤维γ-ray辐射交联的研究

研究了聚碳硅烷（ＰＣＳ）纤维γ－ｒａｙ辐射交联的不熔化效果,利用ＩＲ、ＴＧ分析了交联机理,结果表明,ＰＣＳ纤维在空气、Ｎ２、Ｈｅ气氛下辐射１３．８ＭＧｙ时均已实现熔化,三者中以空气气氛下交联程度最高,Ｎ２、Ｈｅ气氛下辐照的ＰＣＳ纤维的氧含量较低,在Ｎ２、Ｈｅ气氛下,Ｓｉ－Ｈ及部分Ｓｉ－ＣＨ３辐照产生自由基交联,形成了Ｓｉ－ＣＨ２－Ｓｉ的桥联结构,而在空气气氛下,氧参与交联还形成了Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ的桥连结构。     

碳-碳复合材料Si-MoSi_2涂层的抗氧化性能

研究了Ｓｉ－ＭｏＳｉ２系统作为碳－碳（Ｃ／Ｃ）复合材料抗氧化涂层的可能性。结果表明，当涂层中ＭｏＳｉ２含量为２０（ｗｔ）％时，涂层具有优良的抗氧化和抗热震性能，在１５００℃下，该涂层表现出长寿命抗氧化性能，２４２ｈ的氧化失重为０．５７％，氧化失重速率稳定在２．４３×１０－５ｇ／ｍ２．ｓ。     

碳—碳复合材料Si—MoSi涂层的抗氧化性能

研究了Ｓｉ－ＭｏＳｉ２系统作为碳－碳复合材料抗氧涂层的可能性。结果表明，当涂层中ＭｏＳｉ２含量为２０（ｗｔ）％时，涂层具有优良的抗氧化和抗热震性能，在１５００℃下，该涂层表现出长寿命抗氧化性能，２４２ｈ的氧化失重为０．５７％，氧化失重速率稳定在２．４３×１０＾－５ｇ／ｍｓ＾２．ｓ。     

Si3N4—SiC纤维先驱体——低分子量聚硅氮烷的合成与分析

以ＭｅＳｉＣｌ２（式中Ｍｅ代表ＣＨ３）或共混合物与ＮＨ３反应制得低分子量聚硅氮烷，该产物是制备Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ纤维先驱体的基本原料。研究了不同配比的Ｍｅ２ＳｉＣｌ２／ＭｅＳｉＨＣｌ２混合物氨解反应所需的时间，氨解产物的物理性能、分子量及其分布，着重要分析了氨解产物的结构。     

Si_3N_4－SiC纤维先驱体──低分子量聚硅氮烷的合成与分析

以Ｍｅ_２ＳｉＣｌ_２、ＭｅＳｉＨＣｌ_２（式中Ｍｅ代表ＣＨ_３）或其混合物与ＮＨ_３反应制得低分子量聚硅氮烷，该产物是制备Ｓｉ_３Ｎ_４－ＳｉＣ纤维先驱体的基本原料。研究了不同配比的Ｍｅ_２ＳｉＣｌ_２／ＭｅＳｉＨＣｌ_２混合物氨解反应所需的时间，氨解产物的物理性能、分子量及其分布，着重分析了氨解产物的结构。     

C／C复合材料防氧化复合涂层的制备及其性能

提出并制备一种Ｃ／Ｃ复合材料防氧化复合涂层,其基本结构为ＴｉＣ粘结层／ＳｉＣ氧阻挡层／ＺｒＯ２－ＭｏＳｉ２外涂层,研究了其制备工艺、组织结构、对各单一涂层的防氧化作用及效果进行了分析,并对其抗氧化性能进行了测试。通过比较四种成分组成的抗氧化陶瓷外层的抗氧化性能,结果表明：随着外涂层中ＭｏＳｉ２含量的增多,复合涂层的抗氧化性能增强,其中带有ＴｉＣ／ＳｉＣ／ＭｏＳｉ２涂层的Ｃ／Ｃ复合材料试样在１３００     

30CrMnSiNi2A钢表面Cr和Si扩散涂层的抗蚀性

用原位化学气相沉积方法同时沉积铬和硅于３０ＣｒＭｎＳｉＮｉ２Ａ钢上的研究已获成功。试验表明，理想涂层的试样在自来水、０．５％ＮａＣｌ水溶液和０．５ＭＨ２ＳＯ４溶液中都显示了优良的抗蚀性。得到的涂层厚１６０～２００μｍ，表面成分达到２６％～３４％Ｃｒ、约４％的Ｓｉ（ｗｔ％）。该涂层是用９０Ｃｒ－１０Ｓｉ（ｗｔ％）、中间合金、活化剂（９５．５ＮａＦ＋４．５ＮａＣｌ）（ｗｔ％）和填充料（ＳｉＯ２）在一定温度下保持若干小时得到的。     

原位法制备C/C复合材料SiC/Si-Al2O3-mullite复合抗氧化涂层

 以Si和Al₂O₃为原料,采用原位生成法在带有SiC内涂层的炭/炭（C/C）复合材料表面制备出Si-Al₂O₃-mullite（莫来石）抗氧化涂层。采用X射线衍射、扫描电镜和氧化实验研究了Al₂O₃含量等工艺因素对Si-Al2O3-mullite涂层的物相组成、结构形貌、抗氧化性能影响。结果表明：Al₂O₃质量含量为30%~40%时,涂层主要由Si,mullite和Al₂O₃三相组成,涂层致密无裂纹,抗氧化性能最佳。在1 500 ℃等温氧化测试显示,SiC/Si-Al₂O₃-mullite复合涂层比单一的SiC涂层抗氧化性能有明显提高,1 500 ℃等温氧化75 h试样失重为4.6%。涂层试样失重的主要原因是涂层中产生了不可愈合的孔隙缺陷。     

碳纤维表面CVD硅涂层对其性能的影响

 分析了碳纤维表面化学气相沉积Ｓｉ涂层的相结构,研究了Ｓｉ涂层对碳纤维抗氧化性能及强度的影响。结果表明：涂层中Ｓｉ元素呈非晶态分布；Ｓｉ涂层可提高碳纤维的抗氧化性能；氧化温度不同,Ｓｉ涂层碳纤维的氧化失重或增重规律也不相同。同时,Ｓｉ涂层降低了碳纤维拉伸强度,而适度空气氧化又可使Ｓｉ涂层碳纤维强度得到大幅度提高；Ｓｉ涂层碳纤维的强度随氧化温度、氧化时间的变化而改变。     

防止 C/C 复合材料氧化的 MoSi2/SiC 双相涂层系统的研究

 由固相扩散-浸渗处理制备了防止碳/碳复合材料氧化的MoSi2/SiC双相涂层。通过对涂层的结构、成份以及氧化机理的研究表明，MoSi2/SiC双相涂层由内层为β-SiC和外层为MoSi2/SiC双相层构成，具有优异的高温抗氧化性能。     

C/ C 复合材料SiC/ SiO2 涂层的制备及其抗氧化性能

为提高C/C复合材料的抗氧化性能,采用包埋法和低压化学气相法制备了SiC/SiO2涂层.借助XRD、SEM和EDS等测试手段分析了复合涂层的微观结构,并研究了其在l273、1773 K静态空气中的抗氧化性能.结果表明,包埋法制备的SiC涂层具有一定的浓度梯度.低压化学气相法制备的非晶Si02外涂层则有效地封堵了SiC内涂层的的裂纹和孔洞,并解决了SiC涂层在中温区(1073～1473 K)无法形成完整SiO2膜的问题.在l 273、1 773 K静态空气中经10h氧化后,涂层试样的质量损失率分别仅有4.97和0.36 mg/cm2,表现出良好的抗氧化性能.     

高超声速飞行器TPS破损修复涂料

分别采用环氧树脂和呋喃树脂作为基体混合碳化硅粉末与晶须制备了耐高温修复涂料.以氧-乙炔烧蚀试验测试涂料的耐高温烧蚀性能,用扫描电子显微镜分析烧蚀后涂料表面的微观形貌,用X射线衍射、表面能谱分析对涂料烧蚀后成分进行分析表征.结果表明:碳化硅粉末与晶须的质量分数比为8/4的呋喃树脂/碳化硅体系涂料具有良好的耐高温烧蚀性能,...     

等离子-物理气相沉积硅/莫来石/硅酸镱环境障涂层的高温防护和耐热冲击性能研究

通过SiCf/SiC复合材料表面等离子喷涂(APS)硅黏结层和莫来石中间层,等离子-物理气相沉积(PS-PVD)制备硅酸镱面层,喷涂的整个环境障涂层体系组织致密,PS-PVD工艺制备的硅酸镱为层状结构,孔隙率＜1％.研究了 SiCf/SiC复合材料环境障涂层的抗静态氧化、循环氧化、水汽腐蚀和热冲击性能,发现复合材料表面...     

TEMPERATURE EFFECT ON OXIDATION PROTECTION LIFE OF MULTI-LAYER COATING FOR C/C COMPOSITES

Carbon-carboncomposites(C/C)exhibitexcellentstructuralpropertiesabove165OC,andareconsideredasthemostpromisingcandidatematerialsforthehighthrust-weightratioturbineengines.Asakeytechnologyforthehigh-temperaturestructuralapplicationsofC/C,oxidationprotectionispaidmoreandmoreattentionrecently.TheoxidationprotectionllfeofacoatedC/Cisdeterminedbyenvironmenta1temperature,becauseitnotonlydecidesthether-mochemicalconditionsofinterfacesinacoating,butalsocontrolsthedynamicprocessofoxy-gendiffusion.The…     

Photoluminescence Properties of Nanocrystalline 3C-SiC Films

Nanocrystalline (nc) 3C-SiC films on the Si substrate were prepared by the helicon wave plasma enhanced chemical vapor deposi-tion (HW-PECVD) technique. With the SiH4-CH4 gas flow ratio changing, the films exhibit different photoluminescence (PL) character-istics. Under the stoichiometric condition, the PL peak redshift from 470 nm to 515 nm is detected with the increase of excitation wave-length, which can be attributed to the quantum confinement effect radiation of 3C-SiC nanocrystals of different sizes. However, the ap-pearance of an additional PL band at 436 nm in Si-rich film might be sourced back to the excess of Si defect centers in it. This is also the case for C-rich film for its PL band lying at 570 nm. The results above quoted indicate an important influence of gas flow ratio on the PL properties of the SiC films providing an effective guidance for analyzing the luminescence mechanism and exploring the high-efficiency light emission of the SiC films.     

不同制备工艺对MoSi2涂层抗氧化性能的影响

为解决MoSi2和SiC线膨胀系数差异,在带有SiC外涂层的C/C复合材料表面采用等离子喷涂、电弧沉积和固渗等工艺制备MoSi2涂层。涂层表面形貌分析发现,等离子喷涂MoSi2涂层多孔不致密,电弧沉积MoSi2涂层易开裂剥落;而固渗MoSi2涂层致密均匀,且界面结合力好。氧化试验也表明,固渗MoSi2涂层性能较好。     

3-D C/SiC复合材料的氧化行为

研究了３－ＤＣ／ＳｉＣ复合材料的氧化行为。在航空发动机燃气环境中的实验结果表明,Ｃ／ＳｉＣ复合材料的氧化失重与材料内部的大量孔隙以及涂层和基体中的微裂纹有关,其中基体内部的孔隙起着主要作用。在燃气中氧化后,Ｃ／ＳｉＣ复合材料力学性能的降低幅度比在干燥空气中的小,这是由于燃气中的氧分压较低。