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相似文献
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1.
采用串列静电加速器对同步轨道气象卫星扫描辐射计控制器用80C31微控制器进行了单粒子效应模拟试验,得到了器件的错误截面与LET关系曲线;根据试验结果,对器件在同步轨道重离子环境中的翻转率进行了预计。  相似文献   

2.
介绍了空间高能粒子环境及单粒子效应的机理、模拟试验方法和错误率计算方法。空间高能粒子环境由银河宇宙射线、太阳宇宙射线及地磁捕获粒子组成。单个高能粒子可在半导体中通过库仑作用或核反应电离出大量电子—空穴对,从而引起半导体器件逻辑紊乱或失效。用加速器产生的高能粒子进行模拟试验可获得器件对单粒子效应的敏感参数;由E.L.Peterson 等人的经验公式或CREME 程序预计器件在特定环境下的出错率。  相似文献   

3.
几种256Kbit SRAM芯片的单粒子翻转规律   总被引:4,自引:0,他引:4  
给出了实践4号(SJ-4)星载IDT71256D高速CMOS静态存储器和HM8832异步静态存储器单粒子事件(SEU)的总翻转率,器件类型翻转率,逻辑状态翻转率,并与国外某些卫星的监测结果进行了比较。另外对部分SEU数据进行了统计分析,给出了SEU的片上地址和到达时间差的分布规律及拟合曲线。  相似文献   

4.
太阳高能粒子(Solar Energetic Particle,SEP)事件是影响地球空间以及深空辐射环境的主要因素之一。“渐进型”太阳高能粒子事件中的高能粒子主要来自于日冕物质抛射(Coronal Mass Ejection,CME)所驱动的激波扩散加速(Diffusive Shock Acceleration,DSA)过程。CME驱动的激波在行星际的传播过程中,其结构不断演化,进而影响到高能粒子的加速过程。本文利用二维太阳高能粒子加速和传播模型,对发生于2014年4月18日的太阳高能粒子事件实例进行了数值模拟。模型考察了黄道面上2 AU的距离以内包含地球所在位置的4个不同点,分别计算了每个点上高能粒子的通量。数值模拟的结果表明:黄道面内不同位置的观察点,与激波波前的磁力线连接不同,从而导致观察点处高能粒子的通量有着显著的差异。该模型的计算结果可以为深空探测计划开展辐射环境研究提供必要的输入。  相似文献   

5.
空间辐射环境是导致光电倍增管性能衰变甚至失效的主要原因, 由于空间辐射环境的复杂性以及飞行器在空间活动的轨道、设计寿命和光电倍增管的类型不同, 光电倍增管需要的抗辐射屏蔽要求不同. 以太阳同步轨道高能粒子辐射环境为例, 对真空紫外光电倍增管进行了辐射屏蔽的Monte-Carlo计算, 在此基础上提出了运行于该轨道上的真空紫外光电倍增管的高能粒子屏蔽优化组合. 模拟计算表明, 采用Al-W-Al三层结构的屏蔽组合形式, 其中Al层厚2mm, W厚 0.5mm,可将辐射剂量从原本的9.98× 106rad (Si)降低到 8.41× 102rad (Si), 能较好地满足实际使用要求.   相似文献   

6.
美国“地球观测系统”卫星参数见表1。表1 “地球观测系统”参数表卫星EOS-AMEOS-PMEOS-COLOREOS-AEROEOS-ALTEOS-CHEM科学用途测量地表、云、气溶胶和辐射收支特性测量云、降水和辐射收支、地面雪和海冰、海面温度和海洋生产率研究海洋生物量和生产率观测大气和气溶胶测量海平面高度、洋流和冰层质量测量大气化学成分及其传输过程、海洋现象有效载荷ASTER,CERES,MODIS,MISR,MOPITTAIRS/AMSU/MHS,MODIS,CERES,MIMRSeaWIF…  相似文献   

7.
硬X射线调制望远镜(HXMT)卫星是中国首个专门进行天文探测的空间科学实验卫星,运行于高度约550km、倾角约43°的低地球轨道.星载空间环境监测器为星上科学任务开展提供背景辐射实测资料.该监测器采用固体探测器望远镜系统和扇形阵列全新组合设计,可获取轨道空间高能质子和高能电子能谱、方向综合动态结果,给出更为全面的粒子辐射分布图像.初步探测结果显示,卫星运行轨道遭遇的带电粒子辐射集中分布在经度80°W-20°E,纬度0°-40°S的南大西洋异常区,粒子辐射在该区域表现出不同程度的方向差异分布,高能电子方向差异分布显著强于高能质子.2017年9月空间环境扰动期间,爆发的太阳质子事件并未对该轨道粒子辐射产生影响,而地磁活动导致该轨道穿越经度120°W-60°E,纬度40°-43°N的北美上空和经度60°-120°E,纬度43°-40°S的澳大利亚西南区域时遭遇增强粒子辐射影响,增强的粒子辐射表现出极强的方向分布.   相似文献   

8.
介绍了中国科学院国家空间科学中心新建成的空间电子辐射环境探测载荷测试定标试验平台.该平台由中、高能极弱流电子加速器以及内置多维真空转台的真空靶室试验终端组成,用于对星载空间电子辐射探测器进行地面加速器测试定标.重点描述了为得到中能极弱流均匀平行束,采用电子轨迹程序Egun对中能极弱流电子加速器进行的物理设计和模拟计算,给出球形结构电子枪在栅网孔不加栅网、加理想栅网和直径1mm孔栅网以及在不同加速管出口能量情况下,初聚系统和加速管以及经过二次扩束时输运段中电子轨迹的模拟结果.最终得出能够实现电子枪初始束流减弱8个数量级,获得满足测试定标试验需求的极弱流均匀平行电子束(在试验终端直径50mm靶上束流面密度为105~109cm-2·s-1)的结论.   相似文献   

9.
运用计算机实验方法即三维电磁粒子模拟方法初步研究了暴时扰动情况下外辐射带粒子环境的动态演化特性。模拟计算了暴时辐射带粒子环境的演化情况。模拟计算结果显示,高能质子、电子注入午辐射滞后,两者一方面沿磁力线做弹跳运动,向高纬扩展,部分注入质子和电子沉降于南北两极区域;另一方面,注入质子和电子还经历顺时针和逆时针方向的漂移运动,粒子能量越大,漂移速度越快。暴时多次注入引起整个辐射带粒子能量的大幅增强;粒子注入颗次和强度越大,辐射带粒子通量增幅越大。本项研究为开发研制完整的辐射带动态模式积累了有益的经验。  相似文献   

10.
本文介绍了硅太阳能电池空间粒子辐射效应模拟试验的概况,评述了模拟试验方法中的等效通量,协合效应,加速实验,退火效应及原位测量等问题.  相似文献   

11.
空间轨道单粒子翻转率预估方法研究   总被引:5,自引:1,他引:5  
系统分析了国外单粒子翻转率预估方法,提出了一种适合国内现状的单粒子翻转率预估方法,计算了五个典型轨道上的单粒子翻转率和轨道翻转系数,为评价半导体器件抗单粒子效应的能力提供了依据。  相似文献   

12.
SRAM型FPGA的抗SEU方法研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
通过分析静态随机访问存储器(Static Random Access Memorg,SRAM)型现场可编程门阵列(Field Programable Gate Array,FPGA)遭受空间单粒子翻转(SEU)效应的影响,并比较几种常见的抗SEU技术:三模冗余(Triple Module Redwcdancy,TMR)、纠错码(Error Correction Code,ECC)和擦洗(Scrubbing),提出了一种硬件、时间冗余相结合的基于双模块冗余比较的抗SEU设计方法。在FPGA平台上对线性反馈移位寄存器(Linear Feedback Shift Register,LFSR)逻辑进行软件仿真的抗SEU验证实现,将各种容错设计方法实现后获得的实验数据进行分析比较。结果表明,64阶LFSR的抗SEU容错开销与基于硬件的TMR方法相比,可以节省92%的冗余逻辑资源;与基于时间的TMR相比,附加时间延迟缩短26%。  相似文献   

13.
质子引发的单粒子翻转率估算的研究   总被引:9,自引:4,他引:5  
根据质子单粒子翻转事件的物理本质,及空间高能质子环境特性,给出了一种基于重离子单粒子翻转实验数据基础之上的估算质子引发的单粒子翻转的方法.利用这种方法计算了几种器件的翻转情况,与地面模拟实验及飞行观测结果符合得非常好.   相似文献   

14.
临近空间大气中子诱发电子器件单粒子翻转模拟研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
根据重离子试验数据, 采用长方体(RPP)模型, 用GEANT4软件工具包编程, 建立了垂直于器件表面入射的中子诱发电子器件的单粒子翻转模型. 考虑敏感体积及其附近的次级粒子对单粒子翻转的贡献, 统计了次级粒子在敏感体积内沉积能量的微分能谱分布, 对在敏感体积内沉积不同能量的次级粒子对单粒子翻转的贡献进行了区分计算, 模拟计算结果与地面试验结果符合较好.   相似文献   

15.
This paper reports single-event upset (SEU) occurrence related to the space radiation environment in geostationary transfer orbit during solar-activity maximum period measured by the Tsubasa satellite. Most SEUs are measured in the inner radiation belt, indicating that they are mainly caused by trapped protons. Thus, the spatial distribution and the temporal variation of the SEU count correlate well with those of trapped protons. The peak SEU rate appears around L = 1.4. The transition point from SEUs caused by trapped protons to those caused by galactic cosmic rays is around L = 2.6. During the experiment period, increased SEU count was sometimes detected due to solar and geomagnetic events outside the inner radiation belt.  相似文献   

16.
单粒子(SEU)软错误是导致卫星中断、影响卫星可用性的重要因素。针对SEU软错误在导航卫星内部的失效传播过程描述与影响评估问题,提出一种基于有限状态机(FSM)理论/Stateflow的软错误影响传播过程建模方法,阐述了构建软错误传播过程有限状态机模型的基本元素与原则,并针对导航卫星特点提出软错误影响传播与防护恢复策略的建模思路。利用Stateflow仿真得到单星可用度与平均任务中断时间,分析了多种恢复策略时间对整星可用性指标的影响;并通过构建MATLAB与STK联合仿真平台,由单星软错误传播仿真结果得到星座位置精度因子(PDOP)可用性指标,从而评估了SEU软错误在整星与星座2个层级的影响。   相似文献   

17.
航天器中芯片工作时钟频率的不断提高使得单粒子翻转(single-event-upset,SEU)效应对时序逻辑的影响更加显著。目前已经提出的辐射加固锁存器存在面积和延时较大、功耗较高且抗单粒子翻转能力有限的问题。针对这些问题,提出了一款基于130nm部分耗尽绝缘体上硅(partially-depleted silicon on insulator,PD SOI)工艺的高速单粒子辐射自恢复锁存器。在对电路设计进行介绍的基础上,与其他已经报道的电路进行了对比,并利用节点翻转分析和仿真波形验证了该锁存器具有抗单粒子翻转自恢复的功能。对比结果表明,与其他的抗单粒子翻转自恢复锁存器相比,在牺牲部分功耗的代价下,大幅减小了锁存器的面积和延时。本方案所提出的辐射加固锁存器的综合开销指标APDP较其他辐射加固锁存器平均节省了71.14%,适用于辐射环境下的对速度和可靠性有较高要求的电路,为国产宇航高可靠自研芯片提供了选择。  相似文献   

18.
质子单粒子翻转截面计算方法   总被引:3,自引:0,他引:3  
在分析质子与硅反应的基础上,建立了质子单粒子翻转截面理论计算模型,提出了模拟计算方法。计算得到了不同能量的高能质子与硅反应产生的次级粒子种类、截面、能谱和双微分截面。采用Monte Carlo方法模拟质子与硅的反应;应用TRIM程序计算次级粒子的射程;计算得到次级粒子在存储单元的灵敏区内沉积的能量,产生的电荷。通过与临界电荷的比较,判断是否导致单粒子翻转,从而得到单粒子翻转截面。计算得到的单粒子翻转截面与实验数据符合较好。  相似文献   

19.
This paper presents a follow-up of the results of an 8-year study on radiation effects in commercial off the shelf (COTS) memory devices operating within the on-board data handling system of the Algerian micro-satellite Alsat-1 in a Low-Earth Orbit (LEO). A statistical analysis of single-event upset (SEU) and multiple-bit upset (MBU) activity in commercial memories on-board the Alsat-1 primary On-Board Computer (OBC-386) is given. The OBC-386 is an Intel 80C386EX based system that plays a dual role for Alsat-1, acting as the key component of the payload computer as well as the command and control computer for the micro-satellite. The in-orbit observations show that the typical SEU rate at Alsat-1’s orbit is 4.04 × 10−7 SEU/bit/day, where 98.6% of these SEUs cause single-bit errors, 1.22% cause double-byte errors, and the remaining SEUs result in multiple-bit and severe errors.  相似文献   

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