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SRAM型FPGA的抗SEU方法研究
引用本文:黄影,张春元,刘东.SRAM型FPGA的抗SEU方法研究[J].中国空间科学技术,2007,27(4):57-65.
作者姓名:黄影  张春元  刘东
作者单位:国防科学技术大学计算机学院,长沙,410073
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划)
摘    要:通过分析静态随机访问存储器(Static Random Access Memorg,SRAM)型现场可编程门阵列(Field Programable Gate Array,FPGA)遭受空间单粒子翻转(SEU)效应的影响,并比较几种常见的抗SEU技术:三模冗余(Triple Module Redwcdancy,TMR)、纠错码(Error Correction Code,ECC)和擦洗(Scrubbing),提出了一种硬件、时间冗余相结合的基于双模块冗余比较的抗SEU设计方法。在FPGA平台上对线性反馈移位寄存器(Linear Feedback Shift Register,LFSR)逻辑进行软件仿真的抗SEU验证实现,将各种容错设计方法实现后获得的实验数据进行分析比较。结果表明,64阶LFSR的抗SEU容错开销与基于硬件的TMR方法相比,可以节省92%的冗余逻辑资源;与基于时间的TMR相比,附加时间延迟缩短26%。

关 键 词:单粒子翻转  现场可编程门阵列  三模冗余  错误代码校验  空间电子干扰
修稿时间:2006-06-16

Research on SEU Mitigation of FPGA Based-on SRAM
Huang Ying,Zhang Chunyuan,Liu Dong.Research on SEU Mitigation of FPGA Based-on SRAM[J].Chinese Space Science and Technology,2007,27(4):57-65.
Authors:Huang Ying  Zhang Chunyuan  Liu Dong
Institution:School of Computer Science, National University of Defense Technology, Changsha 410073
Abstract:
Keywords:Single event upset Field programmable gate array Triple module redundancy Error code correction Space electronic warfare
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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