Ku波段低噪声放大器的设计

设计一款Ku波段低噪声放大器,放大器采用两级PHEMT晶体管(VMMK1225)级联结构,单电源供电模式。应用微波仿真软件ADS对匹配电路进行优化设计,在11.7GHz～12.5GHz的工作频段内放大器噪声系数小于0.23 dB,带内增益大于31dB,输入、输出驻波比小于1.6。仿真结果表明,设计完全满足性能指标要求。     

信道化接收机用的2～4GHz高增益晶体管放大器

本文简介一个增益为55dB,瞬时带宽2GHz,带内平坦度优于3dB,噪声系数小于5dB,三阶截止点高于14dBm的晶体管放大器研制过程。该放大器已用于机载杂波干扰机中作为信道化接收机前端,性能良好可靠。     

Ku波段25W场效应固态放大器

报导了研制的Ku波段25W固态放大器,高增益级和线性级用模快结构,功分/合成桥采用矩形腔四路同相功分/合成器。阐述了该固态放大器的组成、设计及实验结果。研制的25W固放主要性能为;中心频率11.93GHz,带宽100MHz,输出功率25W,饱和增益56dB,带内增益波动小于0.7dB。该固放已用于Ku波段双路转发器联试实验中。     

无线直放站的可变增益低噪声放大器设计

论文给出一种基于数字可编程增益控制方法来实现增益可调的低噪声放大器,该低噪放的工作频率在1.9GHz ~2.1GHz 范围内.通过设计一个增益控制电路,并将其添加 LNA 电路中,以获得增益可调的效果.利用ADS软件进行设计并仿真,结果显示,该LNA共有五种增益模式,分别约为4.179dB、4.928dB 、5.862dB 、8.628dB 、17.327dB ;噪声系数基本稳定在0.5dB ~0.6dB     

基于HEMT管芯的低噪声放大器设计方法研究

介绍了一种采用HEMT管芯研制低噪声放大器(LNA)的设计过程。所研制的产品在Ku频段500MHz带宽内,噪声系数小于2dB,增益大于20dB,与仿真结果吻合较好。     

用于导航接收机的高线性度可编程增益放大器

针对导航接收机的系统要求,设计一个高线性度、宽增益变化范围由吉尔伯特电路和电流反馈放大电路组成的可编程增益放大器。放大器在SMIC 0.18μm CMOS工艺下实现,增益控制范围为-11dB～40dB,步长为1dB,3dB带宽为60MHz;当输出差分峰峰值为1V时,三阶交调失真在-65dB以下;电源电压为1.8V时,最大功耗不超过3.5mW。     

雷达射频前端的仿真设计

采用自顶向下的设计方法,设计了工作于S波段的带宽为100MHz的雷达接收前端.使用Agilent公司的ADS微波设计软件对系统性能进行了仿真论证.分别设计了低噪声放大器、混频器、中频放大器模块,仿真结果均达到要求.前端仿真结果:增益大于75dB,噪声系数小于3dB,镜像抑制度为60dB,灵敏度为-90dBm,动态范围为50dB.     

EHF频段低噪声接收机

文章描述了为某预研课题研制的7套EHF频段低噪声接收机组成、设计及测试结果。接收机实现44GHz的低噪声放大、44GHz/4GHz的变频、中频放大等功能,7套接收机噪声系数3～5．3dB,典型增益55～58dB,输出1 dB压缩点均大于15 dBm。本振部分采用恒温槽晶振和锁相倍频技术,提供稳定的微波本振信号。     

EHF频段低噪声放大器设计

EHF频段低噪声放大器是EHF频段接收机系统的关键部件。文章介绍了利用混合集成技术设计的43.5GHz～44.5GHz的低噪声放大器。该低噪放采用BJ400标准矩形波导作为输入输出端口,通过鳍线耦合实现了微带到波导的过渡,采用一种新型电路构型实现电路设计。从测试结果可以看出,采用对脊鳍线过渡方式的EHF频段低噪声放大器中心频率偏移到43GHz,在常温状况下,在42.7GHz～43.2GHz带宽内增益为19dB左右,噪声系数小于5dB。     

低压低功率SiGe BiCMOS X波段低噪声放大器与IEEE 802．11a LNA的设计比较研究

介绍了一种采用0．25um SiGe BiCMOS工艺集成的低压低功率X波段低噪声放大器（LNA），比较了此种放大器与IEEE 802．11a LNA的设计。X波段LNA和IEEE 802．11a LNA的工作频率分别为10GHz和5．8GHz。所设计的LNA都采用了相同的结构和电压，并耗费同量的电流。两种LNA都只需要1．5V的电压，消耗1．5mW的直流功率。两种电路的差异是它们有不同的输入与输出匹配和负载。本文介绍的LNA在10GHz时的电压增益为11．49dB，噪声系数（NF）为3．84dB，输入反射损失为-15.37dB，输出反射损失为-17dB，P1dB为-3．75dBm。在5．8GHz时的电压增益为16．07dB，噪声系数为3．07dB，输入反射损失为-18．1dB，输出反射损失为-15．23dB，P1dB为-6．54dBm。两电路的关键特征是：低压、低功率和良好的噪声匹配。频率为IOGHz和5．8GHz时，噪声系数与最小噪声系数之差分别只有0．03dB和0．05dB。验证了一种高频（X波段）低成本设计，与其他技术（如GaAs、SiBJT、JFET、PHMET和MESFET等）相比，它是在SiGe BiCMOS中设计的。     

用于卫星导航接收机的折叠共源共栅放大器

根据我国双系统卫星导航兼容接收机IC芯片组对于放大器的要求,设计一种基于SMIC 0.18μm RF CMOS工艺的共源共栅电流镜做负载的折叠共源共栅全差分放大器。该放大器具有如下特点:增加共模反馈电路,稳定差分结构的共模输出电压;过渡电容加密勒电容补偿,增强相频特性的稳定。流片测试结果表明,在1.8V电压下,工作频点F1=46MHz、F2=180MHz时,增益均高于24dB,相位裕度为51°,单位增益带宽62.5MHz,共模抑制比为120dB,功耗为1.75mW。各项性能符合设计要求。     

C波段5瓦GaAs场效应晶体管功率放大器

研制成一种C波段5W GaAs FET(砷化镓场效应晶体管)四级功率放大器。该放大器工作频段为3.7～4.2 GHz,1分贝点带宽约300 MHz;在中心频率处,饱和输出功率为4.67W,增益大于26dB,总效率约14％。本文还介绍了利用浅漏偏置条件下的小信号S参数代替大信号S参数设计匹配电路的情况。     

一种新型微带宽频带180°调制器

该文在ε_r=9.6的微波复合介质材料上设计和研制了一种工艺上易于实现的新型宽频带180°调制器。实验表明:在3.65—4.35GHz 频率范围内,其驻波比小于1.46,插入损耗小于1.1dB,幅度不平衡小于±0.30dB,相位不平衡小于±3.2°。     

使用负反馈技术设计宽带低噪声放大器

负反馈技术是实现宽带放大器电路设计的重要方法之一,得到了非常广泛的应用。文中叙述负反馈技术的基本原理,介绍分别使用串联和并联负反馈技术实现4~8GHz和0.2~2GHz宽带低噪声放大器的设计情况。测试结果与CAD仿真基本吻合,4~8GHz和0.2~2GHz宽带低噪声放大器的噪声系数分别小于1.5dB和1.6dB。     

一种星载Ka频段宽带线性化器设计

为了改善星载功率放大器的线性度，文章设计了一种新型宽带Ka频段线性化器。该设计基于模拟预失真线性化技术，通过改变线性化器的二极管偏置电压，实现非线性形状可调，以匹配不同行波管的非线性特性，并在文章最后给出了实物测试结果。该设计在26GHz±0.5GHz频率范围内具有良好的一致性，带内波动小于0.8dB，增益扩张大于4dB，相位扩张大于40°，对行波管非线性特性改善明显，饱和区三阶载交比提高3dB以上，可有效提高使用效率并降低通道误码率。     

基于鳍线过渡的W波段低噪声放大器设计

对W波段鳍线过渡进行分析,设计并制作采用Spline曲线形式的鳍线过渡。在整个W波段,单个过渡结构插入损耗小于1.6dB,回波损耗小于-12dB,实现了良好的宽带性能。基于该鳍线过渡,设计一种W波段低噪声放大器,芯片选用MMIC单片CGY2190UH,整机在80GHz~100GHz之间增益大于20dB,平坦度小于3dB。     

基于噪声抵消技术的射频宽带低噪声放大器设计

基于SMIC 0.181μm CMOS工艺,设计一款可用于1GHz~2GHz射频接收机前端的低噪声放大器。放大器利用共栅结构实现输入阻抗匹配,采用噪声抵消技术实现低噪声,核心电路尺寸为600μm×650μm。仿真结果表明,在1GHz~2GHz频率范围内,输入反射系数小于-10dB,噪声系数低于3.63dB,输入1dB压缩点在1.414GHz为-6.93dBm,在1.8V电源电压下,主体电路的功耗为18.8mW。     

220GHz行波管设计与工艺实验研究

针对目前系统应用对于220GHz频段的大功率辐射源的需求,文章设计了一种折叠波导行波管,在215GHz～225GHz的带宽范围内能够输出10W以上的功率,增益大于25dB。通过模拟计算确定了折叠波导高频电路、注波互作用、电子光学系统以及输能窗等主要部件的设计尺寸,并加工了折叠波导高频电路样品,对制造工艺进行研究。     

高稳定13～18GHz GaAs FET介质振荡器

本文介绍一种Ku波段串联反馈式GaAsFET介质稳频振荡器(简称KuDRO)。该振荡器由一个Ku波段FET振荡电路及一个高Q、低耗的介质谐振器串联反馈电路组成。其性能指标:在13～18GHz频带内用不同尺寸的介质谐振器在一块MIC基片上分别制出5种点频率的高稳定振荡器,功率输出为10～20mW;室温频率稳定度达2×10~(-5);在-45℃～+70℃温度范围内频率温度系数达±2PPm/℃,功率温度系数为0.02dB/℃相位噪声达-75dBC/Hz;杂波抑制度小于-60dBC;体积为36×30×16mn~3;重量为35g。     

基于交错带状线3 dB电桥的大功率功放技术

在现今的军用电子系统中，功率放大器起着举足轻重的作用。功率合成器件作为功率放大器的重要组成部分，需要满足高合成效率、高功率耐受能力和小型化的特性要求。基于交错耦合带状线定向耦合器，通过宽带匹配级联设计了一款8 GHz~12 GHz的四路功率合路器。测试结果显示：四路功率合路器的隔离度<-15 dB，回波损耗<-19 dB，合成效率>78.7%。基于该四路功率合成模块研制了一款X频段功率放大器，样机尺寸为52 mm×38 mm×5.5 mm，放大器在8 GHz~12 GHz的最大输出功率为52.2 dBm（40%占空比），插入损耗<1.4 dB。与传统的平面结构相比，基于这种功率合成器的结构更紧凑，合成效率更高，隔离度更好，功率耐受能力更强，适用于卫星通信、雷达和电子对抗等领域。