快速凝固高温Al—Fe—Mo—Si—Zr—Ti合金凝固组织特征

研究了５～７４μｍ的快速凝固Ａｌ－Ｆｅ－Ｍｏ－Ｓｉ－Ｚｒ－Ｔｉ合金粉末凝固组织特征，探讨了凝固组织形成机制。结果表明，合金粉末主要有四种基本组织：初生Ａｌ＿９（Ｆｅ，Ｍｏ）＿２，α－Ａｌ与Ａｌ＿６（Ｆｅ，Ｍｏ）共晶，胞晶及显微胞晶，出现这些组织的典型尺寸依次为５６μｍ、４０μｍ和８μｍ；合金元素Ｍｏ的加入，显著提高合金粉末凝固前过冷度，使１０～４０μｍ粉末的凝固机制发生了变化，由导热控制型转变成溶质扩散控制型，从而基本上消除了该尺寸范围内粉末凝固组织中共晶成分和初生相。通过理论分析，建立了快速凝固形核动力学模型并进行了模拟计算，从理论上证实了胞间准晶相为初生相，计算得出在二元Ａｌ－Ｆｅ合金中抑制该相形成所需的冷却速度高达１０￣（１３）Ｋ／ｓ。     

旋转CVI制备陶瓷基复合材料碳界面层

用旋转ＣＶＩ工艺，通过优化工艺参数，在低压（５ｋＰａ）、高温（１１００℃）、高Ｃ３Ｈ６ 浓度（６２．５ｖｏｌ％ ）以及３．５ｍ ｍ ·ｍ ｉｎ－ １ 碳布旋转线速度条件下，在二维碳布上快速制备了厚度均匀（０．２５μｍ ）、表面规整的致密热解碳界面层。实验结果表明：沉积温度对界面层表面状况有较大的影响；采用减压法与优化沉积炉结构与几何尺寸，能有效防止高温高Ｃ３Ｈ６ 浓度下炭黑的形成。     

美国的几种微电子工艺设备

美国的几种微电子工艺设备①ＯＡＩ公司的Ｊ５０００型高分辨率掩膜对准曝光系统．该设各可以应用的主要场合如下：砷化镓场效应器件，薄膜混合集成电路，微波混合集成电路，声表面波器件，薄膜磁头器件，多层布线厚膜电路及高密度组装印制板．其光刻分辨率为０．５μｍ。...     

一种快速制备C/C材料方法的探索研究

介绍了一种新的Ｃ／Ｃ材料制备方法－－快速化学液气相渗透致密法。利用该技术,采用碳毡作预制体,以两种液态低分子有机物作碳源前驱体沉积时间在３ｈ内,沉积温度在９００℃￣１１００℃范围内可获得密度达１．７４ｇ／ｃｍ＾３的Ｃ／Ｃ材料。碳纤维表面最大沉积速率可达６４μｍ／ｈ,比传统的等温ＣＶＩ沉积速率（０．１μｍ／ｈ￣０．２５μｍ／ｈ）提高了２００倍以上,并初步分析了该技术快速致密多孔预制体的机理。     

采用以谐振隧道贯穿效应的光纤偏振器

我们首次演示了一种采用谐振隧道贯穿效应、多层漏泄、全光纤的光纤偏振器，实验证实器件的偏振水光比（ＰＥＲ）≈２７ｄＢ，插入损耗（ＩＬ）≈３ｄＢ，并有进一步改善器件性能的潜力；为分析该器件，提出了一种简单的平面波导模型，理论预计与实验结果完全一致，进一步研究表明：通过适当选取器件参数，对于波长λ＝０．６３８８μｍ，消光比为６８ｄＢ，插入损耗为０．２ｄＢ；当λ＝１．３μｍ时，实现ＰＥＲ约８０ｄＢ，插入损     

30～60μm粗铝粉（球形、非球形）在丁羟推进剂中使用研究

研究了３０～６０μｍ粗铝粉（球形，非球形）对丁羟推进剂主要性能的影响，并着重研究了粗铝粉的燃烧特性和能量特性，结果表明粗铝粉在推进剂中使用是可行的。     

2000年的半导体技术

２０００年的半导体技术１制造技术规模，将持续发展．到２０００年将获得１Ｇｂｉｔ１Ｃ样品（线宽０１５－２０μｍ）；探明线条（Ｃｕｒｖｅ）密度、性能、可靠性和成本极限；２．设计技术：容量和生产率将按比例上升．到２０００年，单个芯片系统上可集成１００Ｍ个晶...     

铸型材料对钛铝金属间化合物的污染研究

利用金相组织观察,电子探针分析及显微硬度测试等方法研究了在铸钢生产中常用的几种铸型材料及氧化钙对钛铝合金铸锭表面的污染情况。试验结果表明：几种铸型材料对钛铝合金的表面硬化层厚度分别为氧化钙１６μｍ ,刚玉６０μｍ ,氧化锆１３０μｍ ,锆英砂１３０μｍ ,远低于对钛合金的污染层厚度,而且不发生粘砂。     

精密工程中应用的宽范围原子力显微镜的研究

描述了一种用于精密工程中超精密测量的宽范围原子力显微镜．用管状扫描器工作时，测量范围可达２μｍ×２μｍ，能获得原子级的分辨率．当用新开发的定范围工作台扫描时，测量范围可为１４０μｍ×１４０μｍ；分辨率可在１～１００ｎｍ之间调节．     

国外工艺动态

国外工艺动态耐热复合材料的成形方法化学蒸镀法（ＣＶＩ）是化学气相沉积（ＣＶＤ）的一种方法。ＣＶＤ法主要用于改善材料的表面质量，而ＣＶＩ法用于改善材料空隙间的质量。使用ＣＶＩ法可将１～１０μｍ的空隙减小到接近零，从而大幅度提高材料强度。用已有的ＣＶＩ法...