真空紫外探测器关键参数校准装置

当前真空紫外空间探测技术迅猛发展,真空紫外载荷应用越来越广,其中的核心器件真空紫外探测器的特性校准变得越来越重要,针对国内真空紫外探测器关键参数校准能力缺失问题,研制了一套真空紫外探测器关键参数校准装置,实现光谱响应率、线性度等参数的校准。论述了真空紫外探测器光谱响应率、线性度参数的校准方法,介绍了校准装置的硬件组成、校准方法和软件功能,并对其进行了测量不确定度评定。测试结果证明表明,该校准装置可以对真空紫外探测器进行主要参数的校准,校准结果准确、有效。     

基于虚拟仪器的阳极化电压控制器校准装置

本文介绍了基于虚拟仪器技术开发的阳极化电压控制器校准装置,对系统软件和硬件进行了分析,利用该校准装置能够实现对阳极化电压控制器的校准,满足飞机铝合金零部件阳极化表面处理的工艺规范要求。     

交流电子负载校准技术研究

介绍了交流电子负载的校准方法、校准设备和校准原理等。交流电子负载是对是各种交流电源、UPS电源测试和老化试验的主要设备之一,其各项参数指标的优劣对被测设备的检测及故障分析具有重要意义。研究了交流负载的恒定电压、恒定电流、恒定电阻和恒定功率等功能的校准方法和指标,并通过实际测试、校准进行了验证,对校准结果的不确定度进行了评定,校准结果表明本文的校准方法能够满足仪器的技术要求。     

高准确度直流标准电流源的校准与不确定度评定

利用Fluke8508A参考级数字多用表和Guildline9334A直流标准电阻作标准,采用电流电压转换法,实现对高准确度直流标准电流源准确、可靠的校准。通过对其测量不确定度进行准确、详细的评定,证明可圆满地实现误差为±0．003％的高准确度直流标准电流源的校准,从而大大增强了对高准确度直流标准电流源的校准能力。     

交流电流校准方法的研究

介绍了用精密交流电阻器、放大器、电流互感器、交流数字电压表组成的交流电流校准装置及其校准方法,校准电流的范围：１０μＡ～１００Ａ,频率范围：５０Ｈｚ～５ｋＨｚ,校准不确定度：５×１０－４～５×１０－５。     

倾斜摇摆试验台校准技术研究

介绍了倾斜摇摆试验台的倾斜、摇摆及振荡等参数的校准原理及现状,提出了采用具有零频响应的高灵敏度加速度计对倾斜摇摆试验台进行校准的原理和方法,构建了相应的校准装置,进行了不确定度评定。实践表明,使用加速度计可完成倾斜摇摆试验台大部分参数的校准,操作简单方便,并可溯源至国家振动基准。     

小电流测量单元校准技术研究

在电子、航空航天领域及型号工程中小电流测试设备（如静电计、皮安表、源/测量单元、半导体精密分析仪等）,发挥着极其重要的作用,其电流测量分辨力达到fA级,接近其物理极限值。对这些高灵敏度、高分辨力的精密小电流测量仪器进行参数校准是一项新的计量难题。本文使用Fluke公司5440B型直流电压源和自行研制的高值电阻器,构成测试平台,可以对Keithley公司6517B型静电计（20pA～2μA电流量程）进行自动校准。软件采用Visual C++ 6.0利用校准算法对测量结果进行分析,解决了小电流测量单元校准的计量难题。     

Boost电路开关瞬间电压尖峰产生机理及抑制方法

Boost变换器常用作两级式逆变器的前级升压电路，由于电路中寄生参数的存在，开关瞬间输出电压叠加有瞬态尖峰，降低了波形质量，甚至影响逆变器的正常工作。为了抑制直流环节电压尖峰，研究了Boost电路开关瞬态过程，针对瞬态电路开关特性和开关器件工作状态，建立了基于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和肖特基二极管（SBD）的换流单元的解析模型，进一步分析了不同寄生参数对开关瞬态电流特性的影响，以及导致电压尖峰的机理等。仿真分析了寄生参数与输出电压尖峰大小的关系，提出了“减缓开关速度”和“降低输出端寄生电感”2种从源头抑制输出电压尖峰的方法。仿真和实验表明，这2种抑制方法能够有效减小电压尖峰，提高Boost电路的输出电压性能。      

数字仪器标准装置期间核查的实施

介绍了对数字仪器标准装置实施期间核查的时机、核查方案的策划、核查的频次、核查的方法、核查的记录方式和核查结果的处理。运用同量级比对的核查方法,通过对数字仪器标准装置的直流电压、交流电压、交流电流三个参数期间核查过程数据的分析,建立控制图,取得了对测量标准实施期间核查的成果。     

电离辐射对部分耗尽SOI器件关态电流的影响

针对辐射前后环栅与条栅结构部分耗尽绝缘体上硅(SOI,Silicon On Insulator)器件关态电流的变化展开实验,研究结果表明辐射诱使关态电流增加主要取决于侧壁泄漏电流、背栅寄生晶体管导通、带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应.在条栅结构器件中,辐射诱生场氧化层固定电荷将使得器件侧壁泄漏电流增加,器件前、背栅关态电流随总剂量变化明显;在环栅结构器件中,辐射诱使背栅晶体管开启将使得前栅器件关态电流变大,而带-带隧穿与背栅泄漏电流的耦合效应将使得器件关态电流随前栅电压减小而迅速增加.基于以上结果,可通过改良版图结构以提高SOI器件的抗总剂量电离辐射能力.     

用一般脉宽调制器构造的变频式脉宽调制器

提出为直流变换器增加一个控制变量的概念,以弥补现行直流变换器只有一个调节变量引起的一些缺陷.本文选定的控制变量是直流变换器的运行频率f,将它与一次电源电压V联系起来,使f随V上升按预设的规律下降,以解决直流变换器以固定频率运行时这种情况下出现的许多问题,如开关管发热加剧等.实现这一设想的主要问题是将一般脉宽调制器构造成变频式脉宽调制器.现以脉宽调制器1842/3/4/5(简记为184X)和1842A/3A/4A/5A(简记为184XA)为例,给出了将它构造成变频式脉宽调制器的方法,示出了可实现的变频特性.设计了两个将一次电源电压转换为变频式脉宽调制器输入电压的线性转换电路,推导了计算这些电路中各元件参数的表达式.实验结果与设计一致.     

150kV逆变电源性能优化及其束源特性

为了进一步提高电子束流发生系统工作的可靠性和稳定性,提高电子束加工质量,采用AC-DC-AC-DC-AC-DC的拓扑电路、新型功率变压器、高压脉冲检测技术、优化的束流反馈控制与灯丝加热电流闭环反馈控制技术等,分别优化了高压加速电源、偏压电源与灯丝加热电源。将所研制逆变电源与150 k V/30 k W电子枪、真空系统等组成了一套电子束流发生系统,测试了该电子束流发生系统输出的高压、最大束流以及灯丝加热电流、偏压变化对束流输出的影响。试验结果表明:经过优化的逆变电源高压输出达到-150 k V,高压输出线性度较好,最大束流达到200 m A;高压、灯丝加热电流给定时,随着偏压降低,束流输出逐渐增大;高压、偏压给定时,随着灯丝加热电流增大,束流输出存在死区、线性增大区和恒流区。     

防静电屏蔽包装袋测试方法研究

列举了目前市场上针对防静电屏蔽包装袋的表面电阻测试方法和静电感应峰值电压测试方法,并根据其各自的测试原理说明了其缺陷,对美标提出的静电放电感应能量法进行了详细的分析,其特点是使用接近实际环境的HBM模型,用不影响测量回路的电流探针取代电压探针,用200MHz带宽500MS/s采样率示波器覆盖更宽的频率范围减小误差,从能量的角度表述了静电屏蔽性能的优劣。     

空间磁场环境模拟线圈驱动恒流源设计

针对空间磁场环境模拟线圈磁感应强度0~20 Gs连续可调,磁场稳定度优于1%的要求,采用前级电压源与后级电流源串联的主电路拓扑结构,结合电压双闭环控制和电流闭环负反馈控制的方法,实现了稳定的电流输出,减小了功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的功耗,提高了恒流源的效率.测试结果表明:恒流源输出电流0~10 A连续可调,霍姆赫兹线圈中心磁感应强度能达到20 Gs的设计要求,电流稳定度优于0.1%,磁场稳定度优于1%.      

复杂线束在双BCI耦合下的终端响应机理

高强度辐射场实验室环境下构建困难，应用双大电流注入(BCI)法替代辐照法进行抗扰度研究具有广阔的前景。针对当前双电流钳与线束耦合机理不清晰的问题，建立了双电流钳与线束耦合的精确解析模型。采用先分段后级联的方法对线束进行研究，首先在电流钳与线束的耦合区间建立π型等效电路模型，然后在电流钳与线束的非耦合区间基于传输线理论构建链路参数矩阵，最后将各区间级联为线束终端响应预测模型。基于有限积分法建立数值电磁仿真模型，比较解析模型与数值仿真模型对线束终端响应的预测结果，结果显示:二者对线束终端响应电压的求解结果有较好的一致性，MAPE为17%，进而验证了模型的有效性。应用模型分析电流钳与线束的相对位置对终端响应电压的影响，结果表明:低频段几乎无影响，超过100 MHz，线束终端响应电压的幅值与谐振点发生改变。      

放电电压和屏栅电压对离子推力器性能的影响

利用试验和数值模拟相结合的方法研究6 cm Kaufman离子推力器放电电压和屏栅电压的变化对其工作性能的影响。试验中,离子推力器使用氩气作为推进剂,测量了多组不同工况下的性能参数。此外,基于Goebel的理论模型模拟了放电电压对束流电流和推进剂利用率的影响;采用单元内粒子 蒙特卡罗碰撞（PIC-MCC方法模拟屏栅电压对束流电流、推进剂利用率和加速栅极电流的影响。试验和数值模拟结果一致,发现当放电电压逐渐增大时,引出的束流电流和推进剂利用率先增加然后趋于稳定;当屏栅电压逐渐增大时,引出的束流电流和推进剂利用率先增加然后趋于稳定,加速栅极电流先减小后趋于稳定。研究可以为提高多模式离子推力器的性能提供参考。     

低轨道航天器高电压太阳电池阵电流泄漏效应分析计算

在一种简化的太阳电池阵结构模型基础上, 利用太阳电池阵电流收集经验模式,基于电流平衡, 建立了一种计算低轨道航天器高电压太阳电池阵在等离子体环境中电流泄漏的方法. 利用该方法, 对高电压太阳电池阵电流泄漏效应与低轨道等离子体环境、电池阵电压、电池阵裸露金属面积的关系进行了分析计算.结果表明, 随着轨道高度增加, 电流泄漏引起的电池阵功率损失迅速下降, 影响最严重的区域为电离层等离子体密度最高的300～400 km高度的轨道区域; 电流泄漏引起的功率损失与太阳电池阵电压呈指数关系, 电压越高功率损失越大; 200 V以下的电池阵功率损耗较小, 远低于电源系统总功率的1%;电流泄漏与太阳电池阵裸露金属导体的表面积呈正比关系, 因此, 通过减少太阳电池阵裸露面积, 可以降低电流泄漏的影响.      

微弱电信号检测技术

主要介绍微弱电压信号和电流产生的主要因素及其测量方法，指出在精密测量过程中需要注意的一些问题：如接地、屏蔽和抗干扰等。