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| 集成电路铝金属化系统电迁移失效机理研究 | |
| 引用本文： | 何涛,吴廉亿.集成电路铝金属化系统电迁移失效机理研究[J].宇航材料工艺,1989(2):39-44. |
| 作者姓名： | 何涛 吴廉亿 |
| 作者单位： | 北京材料工艺研究所 (何涛，吴廉亿)，北京材料工艺研究所(雷祖圣) |
| 摘 要： | 本文研究了国产中规模集成电路铝金属化系统电迁移失效机理以及磷硅玻璃(PSG)和聚酰亚胺钝化层对铝条失效行为的影响,并对铝条的形貌进行了扫描电镜观察和分析。实验测得铝条电迁移失效激活能为0.48eV。 |
| 关 键 词： | 集成电路 铝条 金属化 电迁移 失效 |
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