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| Y2O3涂层的MOCVD法制备工艺 | |
| 引用本文： | 付正,张立同,成来飞,龚磊,何国梅,罗立志,夏海平.Y2O3涂层的MOCVD法制备工艺[J].航空制造技术,2007(Z1). |
| 作者姓名： | 付正 张立同 成来飞 龚磊 何国梅 罗立志 夏海平 |
| 作者单位： | 1. 西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室 2. 厦门大学化学化工学院 |
| 摘 要： | 采用MOCVD法,通过金属有机先驱体Y(TMHD)3与O2反应在石英或CVD-SiC基片上制备Y2O3涂层,探索了制备工艺对沉积结果的影响.结果表明,先驱体气相浓度对Y2O3涂层生长方式和涂层与基片的结合强度有很大影响;沉积温度在600℃～700℃范围内,随着温度的升高涂层致密度提高,空洞缺陷减少. |
| 关 键 词： | 氧化钇 化学气相沉积 金属有机先驱体 基片 |
MOCVD Preparation Method for Y2O3 Coating |
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| Keywords: | |
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