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1.
2.
着重论述了采用真空氧等离子射频反应淀积技术,研制超微粒SnO_2薄膜的工艺。该薄膜的AES能谱分析及其计算结果表明,薄膜中Sn、O原子浓度之比小于但接近于1:2,x—ray衍射实验结果及其计算表明,该薄膜含有氧空位和锡间隙原子,且薄膜中SnO_2晶粒粒径平均值为400A左右。这说明该薄膜的微粒粒径的确在超微粒子范围之内,且具有优良的气敏性能,经实验检测发现该薄膜对氧气具有一定的敏感作用。 相似文献
3.
4.
本文阐述了多孔Al_2O_3薄膜湿敏元件的感湿机理及其电特性,提出Al_2O_3薄膜的感湿特性是以物理吸附为基础的,并基于这个模型,研究了表面导电机理和Al_2O_3的介电特性。通过理论计算得到了与实验结果相一致的C-RH、R-RH的关关系曲线,得到了元件感湿后电特性的变化是由于介电特性的变化引起的结论。在实验中,摸索到解决元件长期稳定性问题的工艺方法。 相似文献
5.
用溶胶-凝胶法在非晶玻璃上制备VO2薄膜,经过熔融、涂膜、烘干和热处理等工艺最后得到电阻相变2-3个量级的VO2薄膜。对烘干温度、熔融温度、膜厚和热处理温度对薄膜电阻开关特性的影响进行了研究。通过XRD(X-ray diffraction)和XPS(X-ray photoelectron spectroscopy)对薄膜的结构和价态进行分析,表明用溶胶-凝胶法制图VO2膜工艺简单,重复性好。 相似文献
6.
为满足低损耗的设计需求,太赫兹微波组件中一般使用熔融石英基板。不同于光学系统对熔融石英材料的要求,应用于太赫兹等高频段微波组件的熔融石英基板材料不仅需要具备稳定的介电性能,还需要更优异的表面镀膜特性与电路图形、外形等加工精度要求。本文基于薄膜电路制造工艺要求,针对JC-Z05石英基板膜层附着力、表面刻蚀精度、切割质量、粘接强度等关键工艺特性研究,并通过改进工艺参数,进一步优化JC-Z05石英基板工艺适用性,提升国产石英基板材料作为在太赫兹频段薄膜电路制备的可靠性。研究结果表明,国产化熔融石英基板,结合优化后的薄膜电路制作工艺,制作出的电路具有膜层附着力强、外形切割公差小以及粘接可靠性高的特点,可满足复杂宇航环境中的高可靠应用。这一工作可为后续熔融石英电路基板在太赫兹领域的应用提供参考。 相似文献
7.
文章对Kevlar面板Nomex蜂窝夹层结构表面粘贴镀铜箔聚酰亚胺薄膜的工艺进行了研究,分析了工艺特点、工艺流程、工艺难点,以及针对工艺难点所采取的工艺措施,最后根据产品的研制情况给出结论。 相似文献
8.
SiO_2/Ag薄膜系统是扫描辐射计内光路反射镜的主要组成部分。采用高分辨扫描俄歇微探针(SAM)和扫描电镜分析对SiO_2/Ag 薄膜系统失效进行了较为全面的分析研究。通过扫描电镜观察发现,失效的反射镜表面SiO_2薄膜上存在大量析出物,借助于SAM分析,表明这些析出物主要是银和铜,析出物表面伴随有硫化和氧化。SAM的深度剖面结果说明,有析出物存在的区域,各薄膜层中存在原子间的扩散。文章就反射镜中Ag、Cu、和O的扩散和穿透行为进行了讨论,认为SiO_2薄膜致密度较差是导致反射镜失效的主要原因之一。 相似文献
9.
掺磷纳米硅薄膜的微结构 总被引:4,自引:0,他引:4
采用喇曼(Raman)散射谱、高分辨率电子显微镜(HRTEM)和原子力显微镜(AFM)对掺磷纳米硅薄膜的微结构进行了分析,并对纳米硅薄膜的传导机制进行了探讨.结果表明:掺磷纳米硅薄膜由尺寸为2~4*#nm的晶粒和2~3个原子层厚的非晶界面构成,计算得到薄膜的晶态比为40%~55%.与本征纳米硅薄膜相比,掺磷纳米硅薄膜晶粒尺寸和晶态比没有明显变化,电导率却提高了2个数量级.随着掺磷浓度增加,纳米硅薄膜的晶粒尺寸、晶态比及电导率逐渐增大.AFM观察表明掺磷纳米硅薄膜由尺寸介于15~20*#nm的团簇构成,团簇排列具有带状特征. 相似文献
10.
叙述了为提高数据传输可靠性,在接收精密仪器所采集的数据过程中考虑将原有RS232串口通信,改进为USB接口通讯。但是接收到的信号出现了不明原因的周期性强干扰。为此,通过分析USB/RS232转换原理及A/D采集输出数据特点,对原软件的数据采集部分增补了具有特殊功能的子程序,使得应用程序可以自行恢复数据的完整性。此方法具有通用性,可在不同软件编辑环境中实现,且不影响硬件组成。文中又详细介绍了在薄膜厚度在线测量中应用上述USB接口通信的情况,实测结果表明试验取得了预想的效果。改进后的电容测量系统具有更为广泛的应用前景。 相似文献