空间用功率MOSFET器件2N7266总剂量

文章针对空间用功率MOSFET器件2N7266进行了60Co源γ射线辐射试验研究。在辐射过程中,采用JT-1型晶体管特性图示仪和计算机控制的摄像机实时监测器件电参数随辐射剂量变化的特征,通过试验研究获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量变化的特征,得出了被试器件抗总剂量辐射的指标。研究结果可为被试器件在航天器型号的使用提供技术参考依据。     

SiC MOSFET短路特性

为确保碳化硅(SiC)功率器件在过载、短路等工况下能安全可靠地工作,必须充分认识SiC器件的短路机理。首先对SiC MOSFET硬开关短路故障下短路电流原理进行了分析,在此基础上对不同电路参数对SiC MOSFET短路特性的影响进行了对比分析,揭示了短路特性的关键影响因素,并对Si与SiC MOSFET短路能力和器件恶化机理进行了对比分析,从而为设计SiC MOSFET短路保护电路提供一定的指导。     

功率MOSFET逆变器在VSCF电源中的应用

 以用于交直交飞机VSCF电源系统的SPWM逆变器作为研究对象。利用数字计算机对自然采样SPWM过程进行了数值分析,得到SPWM逆变器输出电压频谱与脉宽调制参数(M、N)之间的关系。同时,数值分析考虑了GTR存贮时间t_s和导通延迟时间t_0对SRWM频谱的影响。选择新型功率开关器件—功率MOSFET构成小容量VSCF电源的逆变器。并给出两种高效、可靠的功率MQSFET栅极驱动电路及逆变器的试验特性,     

MOSFET开关过程的研究及米勒平台振荡的抑制

设计功率MOSFET驱动电路时需重点考虑寄生参数对电路的影响。米勒电容作为MOSFET器件的一项重要参数,在驱动电路的设计时需要重点关注。重点观察了MOSFET的开通和关断过程中栅极电压、漏源极电压和漏源极电流的变化过程,并分析了米勒电容、寄生电感等寄生参数对漏源极电压和漏源极电流的影响。分析了栅极电压在米勒平台附近产生振荡的原因,并提出了抑制措施,对功率MOSFET的驱动设计具有一定的指导意义。     

碳化硅MOSFET的Matlab/Simulink建模及其温度特性评估

为了更好地评估碳化硅(Silicon carbide,SiC)MOSFET在功率变换装置中的性能,需要建立精确的SiC MOSFET模型。针对传统的SiC MOSFET的建模方法的不足,在Matlab/Simulink环境中提出了一种基于先进迁移率模型的SiC MOSFET模型。利用Matlab/Simulink强大的数学处理能力和丰富的模块功能,该模型考虑了实际SiC/SiO_2界面特性的影响。利用SiC MOSFET的产品手册中的实测曲线和所搭建的实验电路的测试结果验证了所建立模型的准确性。基于所建立的模型,研究了SiC/SiO_2非常重要的界面参数——界面陷阱电荷对SiC MOSFET温度特性的影响;从模型和实验上对比了SiC MOSFET与Si MOSFET在开关电路中瞬态温度的变化,结果显示碳化硅功率器件具有非常优秀的温度特性。     

卫星载荷二次电源用MOSFET的抗辐射设计及验证

针对某卫星载荷二次电源所面临的空间总剂量辐射环境及其效应,进行了二次电源用3款MOSFET(IRF5N3415、IRF7NA2907、IRF7N1405)的抗辐射总剂量设计,通过使用钽片加固及合理的结构布局防护使该3款MOSFET的辐照设计余量(RDM)均不小于3。开展总剂量辐照试验验证,对比参数变化得出MOSFET的抗电离总剂量数据,验证了加固设计的有效性。采用经过抗辐射设计的非宇航级元器件将成为空间降成本应用的趋势之一。     

空间磁场环境模拟线圈驱动恒流源设计

针对空间磁场环境模拟线圈磁感应强度0~20 Gs连续可调,磁场稳定度优于1%的要求,采用前级电压源与后级电流源串联的主电路拓扑结构,结合电压双闭环控制和电流闭环负反馈控制的方法,实现了稳定的电流输出,减小了功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的功耗,提高了恒流源的效率.测试结果表明:恒流源输出电流0~10 A连续可调,霍姆赫兹线圈中心磁感应强度能达到20 Gs的设计要求,电流稳定度优于0.1%,磁场稳定度优于1%.      

一种新型高可靠性箭上配电控制器设计

针对传统箭上配电器在新应用时期下产生的问题，设计了一种基于MOSFET的供配电开关和基于采样电阻进行电流采集的新型高可靠性箭上遥测配电控制器，解决了传统继电控制器触点大电流冲击粘连问题，实现了新形势下的全国产化、小型化设计要求，进一步提高了系统可靠性，具有广泛的应用推广性。     

功率MOSFET并联主动均流设计与仿真

功率MOSFET并联在低压大电流领域是一种常见而且有效的解决方案。但是，由于MOSFET器件参数、回路寄生参数以及栅极驱动参数的差异性等因素，功率MOSFET器件并联时常常出现电流不均衡现象。通过Multisim 仿真，分析了MOSFET器件参数因素以及外围电路特性对并联支路静态和动态电流的影响；根据法拉第电磁感应定律以及磁通约束原理，采用耦合电感的均流方法，在并联的各支路中串入共磁芯耦合线圈，实现了各并联支路的电流平衡；然后，通过建立耦合电感的电路以及数学模型，揭示了串入耦合电感实现均流的数学原理。最后，通过仿真验证了串入耦合电感实现并联功率MOSFET均流方法的有效性与可行性。     

基于脉冲电源的MOSFET驱动电路研究及应用

分析了在电火花等精密加工中MOSFET驱动器的隔离技术及特点,提出了可靠驱动MOSFET的设计思路,并在实际中得到应用。