钛合金表面抗激光涂层损伤特性及热效应影响研究

实验研究了钛合金和高反射型陶瓷涂层材料抗连续型激光烧蚀的损伤及温度分布特性，并从热效应影响角度对比分析了二者在抗激光损伤效果方面的差异性。研究结果表明：相比于钛合金，高反射型陶瓷涂层材料能有效增强钛合金基底抗激光损伤的能力；在同等激光功率密度辐照下，陶瓷涂层材料能有效提升钛合金基底耐受激光辐照的时间长度。实验结果表明该陶瓷涂层材料的激光损伤阈值比钛合金高约5.8倍。实验发现陶瓷涂层温升速率高于钛合金，但由于陶瓷材料具有较高的反射特性，以及良好的热吸收和热传导特性，因此能使由激光辐照产生的热量在其表面较快地扩散，而降低向基底方向传导的程度，最终提升陶瓷涂层的抗激光损伤阈值。     

NiCrAl/Diatomite可磨耗封严涂层制备及性能

分别利用大气等离子喷涂技术制备了Ni/Al粘结底层、火焰喷涂技术制备了NiCrAl/Diatomite可磨耗封严涂层，研究了喷涂距离、送粉速率、火焰气体总流量、喷涂角度和氧燃比等喷涂参数对生长速率和涂层硬度的影响。结果表明，在较低的氧燃比条件下（O₂∶C₂H₂<1.6），随着喷涂距离的增大，涂层生长速率逐渐下降，硬度先保持不变后逐渐上升；当O₂∶C₂H₂>1.6时，涂层的生长速率会随着喷涂距离的增大先增大后减小，硬度随之逐渐下降。随着喷枪对基体相对移动速度的增大，涂层生长速率略微下降，硬度略有上升。气体总流量的增大使得涂层的生长速率明显上升，硬度明显下降。随着送粉量的增大，涂层生长速率明显提高，硬度随之先上升后下降。     

高温存储对Sn-Pb-Ni凸点界面金属间化合物生长的影响

倒装焊工艺由于具有信号处理速度快、封装密度高、可靠性高等特点，已广泛应用于高密度集成电路封装工艺中。高可靠倒装焊器件的互连焊点通常采用10Sn90Pb等高铅焊料，该焊料具有剪切强度高、可靠性高等优点，但其熔点高、回流工艺窗口窄等特性给封装工艺带来一定难度，此外该焊料在高温存储环境的可靠性有待进一步提高。本文采用Ni元素对10Sn90Pb焊料进行改性，研究高温存储下Sn-Pb-Ni体系凸点的力学性能以及金属间化合物（Intermetallic compound,IMC）的生长演变规律，以此评估Ni元素对10Sn90Pb凸点可靠性的影响。主要结果如下：适量添加Ni元素可以细化10Sn90Pb焊点界面处IMC晶粒，降低高温存储条件下的IMC生长速度，但在一定程度上会降低凸点的剪切强度。0.05%~0.1%含量的Ni元素添加对10Sn90Pb凸点综合性能提升较为显著。     

低温微晶锌磷化工艺研究

过去获得的磷化复盖层,需要保持在60—98℃下操作,这样消耗了大量的能源。本工艺可在低温(20—49℃)下磷化,因而减少了工艺过程中能源的消耗,获得优质的磷化复盖层,而且该复盖层对涂饰等是优良的底层,并且该磷化工艺的成本较低。     

高精度齿轮箱盖制造工艺

论述氢氧涡轮泵高精度齿轮箱上、下盖在研制过程中的主要加工技术关键和采取的主要工艺措施。由于齿轮箱上、下盖工作环境恶劣，设计结构复杂，尺寸精度和形位公差要求高，在二级精度的常规设备上加工困难很大。经合理安排工艺过程，采用了冷锻和工序间时效工艺，选择可靠的装夹表面，充分利用了工艺基准与设计基准一致和一次定位装夹加工基本工艺原则，并克服了车削时的动态误差，达到了设计图样和技术条件的高精度要求。     

挑战当前刀具技术——创新的HyperCoat超级涂层

CERATIZIT公司秉承超过25年的专业技术,CERATIZIT涂层系统可以满足卓越切削性能的最高要求.     

金属热防护系统的发展

介绍了国外用于高超音速飞行器上的金属热防护系统的发展历程，以及先进金属热防护系统的研究状况，并阐述了金属热防护系统的发展方向。     

几种功能镀覆技术的现状及发展

本文简介几种功能镀覆的性能、工艺、应用及其发展,其中包括高抗蚀性代镉镀层、复合电镀、化学镀铜和化学镀镍、仿金和代金电镀、黑色镀层和氧化层。     

磨料水力喷射加工陶瓷热障涂层部件小孔的工艺试验

介绍美国ＧＥ公司航空发动机分公司利用磨料的水力喷射对具有陶瓷热障涂层的发动机部件进行小孔加工的可行性试验研究；研究表明，该方法能满足钻孔精度和重复性要求。     

LD—10板材拉伸粗晶对贮箱使用性能的影响

运载火箭共底贮箱选用LD-10板材,由6块瓜瓣拼焊,采用拉伸—压型工艺。由于拉伸变形量达到板材的临界变形量,在瓜瓣表面出现粗晶,导致报废。经大量实验,对比临界变形量产生的粗晶与未达临界变形量的细晶材料的力学、焊接、耐腐蚀性能。结果表明:粗晶晶粒度在GB3247-82标准晶粒度4级或4级以下时,对贮箱的使用性能无影响,据此可显著降低废品率;此外,采用减慢变形速率、降低变形温度的上艺技术措施,可增大板材的临界变形量和减小因临界变形所致粗晶尺寸。