基于DOA聚类算法的ARM抗有源诱偏技术研究

有源诱偏技术是雷达对抗反辐射导弹的一种重要手段,可以大大降低反辐射导弹的作战效能。为提高对敌目标的精确打击能力,在分析闪烁诱饵诱偏原理的基础上,针对有源诱偏干扰下被动雷达测角精度与稳定度不高的问题,通过对有源诱偏信号的时域特征进行分析,提出一种基于脉冲前沿检测的DOA聚类分选算法,找出前沿超前的辐射源信号,实现了高性能抗有源诱偏干扰和高精度抗干扰测向。仿真结果表明,该技术可以有效对抗四点源有源诱偏干扰。     

微型加工的硅加速度计B—290

加速度计Ｂ－２９０是应用在姿态与航向基准系统中新一代的惯性级敏感器。Ｂ－２９０敏感器是用微机械加工方法进行设计和生产的，它应用平板印刷术，化学汽化沉积法，异向性刨刻法、金属溅蚀法硅－硅粘接法。所用的主要设备和电子芯片的生产相类似。它包括粘接在一起的五个硅板，整个处理过程是在一个晶片组件上加工１４０个敏感器。     

30CrMnSiA钢氮基保护气氛淬火工艺

介绍了用经过甲醇裂解气净化的氮基保护气氛直接通入底开式井式淬火炉内,可保证30CrMnSiA钢件加热淬火保护气氛。生产实践证明,该工艺方法操作方便,安全可靠,可保证30CrMnSiA钢件的热处理质量。     

航天器回收用静压高度控制器的研制

静压高度控制器是载人飞船启动回收着陆系统的关键部件,也是返回式卫星和其它航天器回收系统启动信号的一种方式,其经受恶劣环境,性能、要求高。静压高度控制器又分为膜盒式和硅压力式,文章主要论述了硅压力静压高度控制器在回收系统中的作用,主要介绍了它的工作原理和组成,研制中解决的电路、结构及可靠性方面的问题,并给出了试验结果和研制结论。     

美国研究人员关注分子规模集成电路

为了制作比以前的体积更小的芯片,美国工业界和大学的科学家们都正在关注新一代集成电路的封装技术。 据美国惠普公司(HP)和洛杉矶加洲大学(UCLA)的研究人员称,他们已获得可能导致生     

Compression Creep Behavior of High Volume Fraction of SiC Particles Reinforced AI Composite Fabricated by Pressureless Infiltration

The compression creep deformation of the high volume fraction of SiC particles reinforced AI-Mg-Si composite fabricated by pressure-less infiltration was investigated. The experimental results show that the creep stress exponents are very high at temperatures of 673 K, 723 K and 773 K, and if taking the threshold stress into account, the true stress exponent of minimum creep strain rate is still approximately 5, although the volume fraction of reinforcements is very high. The creep strain rate in the high volume fraction reinforced aluminum alloy matrix composites is controlled by matrix lattice diffusion. It is found that the creep-strengthening effect of high volume fraction of silicon carbide particles is significant, although the particles do not form effective obstacles to dislocation motion.