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李戈  陆宏波  李欣益  张玮 《上海航天》2021,38(1):136-141
四元InGaAsP混晶是一种理想的可用于窄禁带太阳电池制备的半导体材料.本文研究了InP衬底上InGaAsP材料在不同外延生长速度下的掺杂特性和晶体质量.通过电化学电容-电压测试法,实验发现高生长速率下InGaAsP材料的Zn掺杂的掺杂浓度与Ⅲ族源流量无关,而Si掺杂的掺杂浓度随Ⅲ族源流量增加而减少.通过瞬态荧光光谱测...  相似文献   
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