高温存储对Sn-Pb-Ni凸点界面金属间化合物生长的影响

倒装焊工艺由于具有信号处理速度快、封装密度高、可靠性高等特点，已广泛应用于高密度集成电路封装工艺中。高可靠倒装焊器件的互连焊点通常采用10Sn90Pb等高铅焊料，该焊料具有剪切强度高、可靠性高等优点，但其熔点高、回流工艺窗口窄等特性给封装工艺带来一定难度，此外该焊料在高温存储环境的可靠性有待进一步提高。本文采用Ni元素对10Sn90Pb焊料进行改性，研究高温存储下Sn-Pb-Ni体系凸点的力学性能以及金属间化合物（Intermetallic compound,IMC）的生长演变规律，以此评估Ni元素对10Sn90Pb凸点可靠性的影响。主要结果如下：适量添加Ni元素可以细化10Sn90Pb焊点界面处IMC晶粒，降低高温存储条件下的IMC生长速度，但在一定程度上会降低凸点的剪切强度。0.05%~0.1%含量的Ni元素添加对10Sn90Pb凸点综合性能提升较为显著。     

基于C167CS和MAS3507＋DAC3550解码器的音频播放器设计

多媒体播放器市场的快速发展为低成本的DSP/MCU混合器件的应用提供了发展的良机.本文分析了Infineon(SIEMENS)C167CS的结构,提出了Infineon(SIEMENS)C167CS单片机和MAS3507 DAC3550解码器开发的MP3播放器的方案,采用了自顶向下的设计方法对总体设计方案、硬件各个组成部分(播放器的硬件解码技术、数模转换的控制技术)和软件进行了分析和设计.全部程序用Keil公司的C编译器和链接器编译通过并运行良好,该系统具有实现简单,成本低,运行效率高,功能强大等优点,有很好的发展前途.     

IC制造中平坦化技术的性能与分析

表面平整化技术是半导体工业的关键技术,在一定程度上制约着半导体芯片集成技术的发展,针对多层立体布线的IC全局平坦化技术,介绍了代表当今平整化技术及其未来的发展方向,其中一些技术会取代传统的CMP技术而成为IC产业的主导技术之一;叙述了超大规模集成电路(ULSI)的发展对全局平整化的具体要求;对传统的CMP技术的特点进行了分析;并论述了当今主流的IC平整化技术的原理、性能以及未来的发展方向。     

实时嵌入式系统MIPS R3000和Intel 80960处理器的适用性评估

MIPSR30 0 0和Intel 80 96 0是实时嵌入式系统的两种候选处理器。本文描述了MIPSR30 0 0和Intel 80 96 0的结构特征。通过对流水线互锁、上下文转换、进程间通讯、同步及多进程支持、过程调用、容错和例外处理、中断处理、超越 /特殊功能、数据类型和调试支持等的分析 ,做出了两种结构的适用性评估     

一种基于FPGA的超高速FFT处理器设计

通过采用合并字节的预整序单元、全并行的基4运算单元、首级存储单元外置的移位延时整序结构和逐级 扩充字长的定点算法,用FPGA实现了一个超高速的基4全并行流水线FFT处理器;在66MHz时钟频率下,处理速度可 达到256K点／ms。     

干式变压器数据采集与控制系统的设计

介绍了一种基于V/F变换的高精度干式变压器数据采集与控制系统 ,采用LM2 3 1A/F变换芯片和89C5 2单片机实现工业现场测量对象的A/D转换。V/F变换器具有高精度 ,高线形度 ,且外围电路简单的特点。采用单片机直接与V/F变换器连接进行A/D转换 ,不需要额外的硬件电路 ,充分利用硬件资源 ,精心设计软件 ,系统分辨率可达 12位 ,转换精度可达 0 .0 2 %。当传感器与上位机距离较远时 ,可以采用RS -4 85接口或无线数据发送 /接收模块实现远距离的数据通信     

柠檬酸钙酸解过程的建模与计算机控制

通过研究柠檬酸钙酸解过程中溶液电导率的变化规律，建立了酸解体系的数学模型，提出了改革酸解工艺路线中的物料添加顺序，并用计算机自动控制物料添加量和添加速率，自动判定酸解终点的方法。     

多体卫星复合控制物理仿真试验系统

对于具有星间链路天线的多体卫星而言 ,进行星体姿态和天线指向复合控制的地面物理仿真试验研究是一个重要课题。本文主要叙述利用单轴气浮台模拟卫星姿态运动 ,由天线框架驱动机构 (GDA)实物连接组成的多体卫星平面运动动力学环境下的物理仿真试验系统。     

数字上变频器

介绍一种先进的数字上变频器的设计原理和实现方法 ,并讨论用数字信号处理的方法实现单边带调制 ,以及直接序列频率合成器 (DDS)和数字正交移相网络的设计方法。其中数字正交移相网络的研制成功 ,是对希尔伯特变换器在工程实际应用中的一次有益尝试。     

Xilinx SRAM型FPGA抗辐射设计技术研究

针对Xilinx SRAM型FPGA在空间应用中的可行性，分析了Xilinx SRAM型FPGA的结构，以及空间辐射效应对这种结构FPGA的影响，指出SRAM型的FPGA随着工艺水平的提高、器件规模的增大和核电压的降低，抗总剂量效应不断提高，抵抗单粒子效应，尤其是单粒子翻转和单粒子瞬态脉冲的能力降低。分析了FPGA综合后常见的Half-latch在辐射环境中的影响并结合实际工程实践给出了解决上述问题的一些有用办法和注意事项，如，冗余设计、同步设计、算术逻辑运算结果校验、白检等。最后还提出一种基于COTS器件的“由顶到底”的星载信号处理平台结构，分析了这种结构在抵抗辐射效应时的优势。有关FPGA抗辐射的可靠性设计方法已经在某卫星通信载道中成功应用，并通过了各种卫星环境试验，该技术可以为有关航天电子设备设计提供参考。