星载数字电子设备的辐射加固技术(一)

对国外星载电子设备特别是常用的ＣＭＯＳ器件在空间环境下的抗辐射性能进行大量调研和长期跟踪，在此基础上总结了国外近年来对大规模集成电路辐射失效机理的研究成果，对比了各种器件工艺集成电路的抗辐射性能，重点分析了星载电子系统总剂量辐射损坏、单粒子翻转和单粒子锁定机理，针对这三种由空间辐射引起的星载电子系统失效这一特殊问题，分别介绍了国内外行之有效的辐射加固技术，最后提出了设计星载电子系统的一些建议。     

星载数字电子设备的辐射加固技术(二)

５　星载电子设备的抗辐射加固技术纵观国内外在星载电子系统辐射加固技术领域的理论研究和工程实践中所取得的成果与经验，可以发现，星上电子系统辐射加固技术主要从下列三种技术途径着手：１）对集成电路器件进行实质性加固，使器件本身耐辐射；２）对集成电路器件进行辐射屏蔽，力图在辐射到达器件之前就将其屏蔽在外；３）采用软硬件相结合的故障检测和恢复技术，容许辐射轰击器件，但能使器件从辐射影响下恢复正常工作；图４形象地表示这三种方法［１１］。前两种方法以往一直是辐射加固的主要手段，但这些方法要在工艺成本和系统重量…     

星载设备抗单粒子效应的设计技术初探

本文探讨了现代星载设备研制过程中遇到的抗辐射设计问题之一，即抗单粒子效应的设计问题，首先简单介绍高能粒子引起的单粒子效应──单粒子翻转（ＳＥＵ）和单粒子锁定（ＳＥＬ），在此基础上分别探讨了星载设备抗ＳＥＬ和抗ＳＥＵ的设计方法。