CMOS电路瞬态电流测试及其解析模型研究

CMOS电路瞬态电流（IDDT）测试技术,在超高速高可靠芯片故障诊断领域有着良好的应用前景。由于芯片的集成度和工作速度越来越高,IDDT迅速增长,降低了其性能和可靠性,研究IDDT快速准确计算方法具有较强的应用需求。介绍了CMOS电路IDDT测试技术的发展及其基本原理和方法,深人分析了CMOS电路电流成份和特性,利用PSPICE及MOSFET仿真模型,建立了具有较高精度的瞬态电流解析模型。提出撬杠电流（“crow—bar”）相对于电容充电电流,在高速下不仅不小,甚至可能更大,在电流分析时不可忽略。