高空低气压下电晕放电电磁脉冲辐射特性模拟实验

为研究高空低气压下飞行器表面电晕放电电磁脉冲辐射特性,以尖端导体电晕放电为研究对象,进行了低气压下电晕放电电磁脉冲辐射特性模拟实验,给出了辐射电场幅值与气压的关系表达式,并基于气体放电和电磁场理论总结了电晕放电电磁脉冲辐射特性随电压极性、气压以及测试距离的变化规律。结果表明:电晕放电电磁脉冲辐射电场时域波形呈衰减振荡形式,持续时间约为600 ns,首脉冲方向随电压极性的不同而不同,且辐射电场分量主要集中在与放电针相同的极化方向;辐射电场频谱主要分布在500 MHz以内,在35 MHz和170 MHz处出现稳定的波峰;在气压为4~30 kPa范围内,随着气压的降低,放电电磁脉冲辐射电场增强;随着测试距离的增加,电晕放电电磁脉冲辐射电场逐渐衰减。该研究结论可为低气压下飞行器电晕放电电磁脉冲辐射特性研究提供有益参考。     

小旋转角的逆合成孔径转台成像

在地面雷达成像中,目标经过运动补偿和相关处理后大都可以看作匀速转动的转台目标,所以分析转台目标的成像原理是对实际目标成像的基础。本文从理论上详细分析了采用线性调频波形去调频机制的小旋转角转台目标逆合成孔径成像的基本原理;给出了距离维和方位维的理论分辨率,推导出了距离维和方位维的成像尺寸与雷达参数的具体关系;为了和去调频距离维成像相比较,分析了距离维匹配滤波的成像原理,得出二者有相同分辨率的结论;最后针对理想点模型和圆台模型分别进行了计算机仿真,仿真结果证明了去调频成像结论的正确性。     

美军航天器装备采办风险监控机制探析

文章介绍了美军在航天器装备采办过程中遇到的风险,分析了美军通过制定评判标准和制度监督采办中的风险,详细探讨了美军控制和消除风险的几种做法。     

脉冲多普勒雷达特征提取技术分析

为了准确快速地对脉冲多普勒雷达进行识别,选择3个具有代表性的参数:相参性、脉内调制特性及脉冲重复频率进行提取,并讨论了各参数提取的几类理论研究和比较成功的应用方法,分析了脉冲多普勒雷达识别技术中存在的难点及发展方向.     

某型地空导弹制导雷达抗干扰性能评定研究

对地空导弹制导雷达抗干扰性能的评定方法进行了研究,提出了综合抗干扰能力因子和剩余度因子,并对某型地空导弹制导雷达的抗干扰性能进行了计算,最后得出了防空导弹武器系统抗干扰性能的评定方法。     

AlGaN/GaN HEMT质子辐射效应研究进展

氮化镓（GaN）基异质结材料以其宽禁带、耐高温、高击穿电压以及优异的抗辐射性能成为航天领域半导体材料的研究和应用热点。而基于GaN材料的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）因其制备过程带来的缺陷和损伤,性能将受到空间辐射的严峻挑战。文章对空间辐射环境下AlGaN/GaN HEMT的辐射机理和效应进行梳理;针对低中地球轨道以质子为主的辐射环境,对不同能量和注量的质子辐照对AlGaN/GaN HEMT的效应进行系统分析。鉴于从压电极化角度分析AlGaN/GaN HEMT的质子辐射效应存在欠缺,且不同能量和注量的质子辐照对器件的影响不同,提出后续应开展AlGaN/GaN HEMT辐射损伤机制、不同轨道辐射环境模拟以及质子辐照对AlGaN/GaN HEMT宏观特性影响研究。     

静电电磁脉冲场诱发聚四氟乙烯材料表面闪络实验

为了解自然环境下静电电磁脉冲辐射场诱发绝缘材料闪络的基本特性,进一步分析诱发闪络的特征规律,依据二次电子发射雪崩(SEEA)模型对外加场诱发材料表面闪络的电极电压阈值进行分析,建立了大气条件下静电电磁脉冲场诱发聚四氟乙烯(PTFE)表面闪络实验系统.采取理论分析和实验验证的方式对静电电磁脉冲场诱发材料表面针-板电极结构...