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以中间相炭微球和SiC粉为原料,模压渗硅制备了反应形成SiC陶瓷.计算了制品各相含量随SiC粉掺量、渗硅温度和保温时间改变的变化规律,同时测试了制品性能,并通过SEM观察了制品表面形貌.计算结果表明,随SiC粉掺量的增加,硅化后制品Si和SiC相体积分数提高,C相体积分数降低;渗硅温度的提高可降低制品开气孔率和提高密度...  相似文献   
2.
烧结温度对Si3N4显微结构及性能的影响   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
基于凝胶分子造孔机理,通过提高凝胶注模工艺中有机单体含量,制备微多孔氮化硅陶瓷,研究了烧结温度对Si3N4微多孔陶瓷烧结体的显微结构、强度、气孔率、孔径等方面的影响.结果表明,温度升高有利于β-Si3N4晶相的生成,烧结温度为1 680℃时,氮化硅陶瓷烧结体中α-Si3N4和β-Si3N4并存,当烧结温度为1 730和1 780℃时,氮化硅陶瓷烧结体的晶相全部为β-Si3N4;陶瓷烧结体的孔径均<1μm,而且孔径分布范围较窄、较均匀;随着烧结温度的提高,陶瓷烧结体的强度单调上升而气孔率下降.  相似文献   
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