首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   25篇
  免费   3篇
  国内免费   2篇
航空   19篇
航天技术   3篇
综合类   1篇
航天   7篇
  2019年   2篇
  2017年   1篇
  2016年   1篇
  2007年   3篇
  2006年   1篇
  2002年   1篇
  2001年   5篇
  2000年   5篇
  1999年   6篇
  1989年   1篇
  1985年   1篇
  1982年   2篇
  1980年   1篇
排序方式: 共有30条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
一、用途飞机、导弹等飞行器和船舰中,广泛使用陀螺仪等惯导元件做为导航和控制元件。速率转台是分析、研制、生产惯导元件的关键测试设备之一。SLT—03型速率转台是一种具有我国自己特点的高精度、低速率转台。主要用于  相似文献   
2.
为全面提升我国航天行业管理水平,确保我国航天行业管理标准的高起点和高水平,更加有效地开展航天行业管理标准化工作,2007年7月17日,航天行业管理标准体系建设方案研讨会在北京中建商务大厦召开。会议由七○八所诸一维副所长主持,国防科工委,  相似文献   
3.
热压工艺在Cf/SiC复合材料制备中的应用   总被引:4,自引:3,他引:4  
探讨了热压工艺 (HP)在常压浸渍裂解 (PIP)制备 Cf/Si C复合材料制备过程中的应用 ,认为热压浸渍裂解工艺 (HP-PIP)既可以改善碳纤维与基体 Si C之间的界面 ,又可以提高材料的致密度 ,使材料内部的空隙减少或消失 ,同时使孔隙排布均匀 ,从而使材料的性能有了大幅度提高 ,其强度由原来的 2 90 MPa提高到 5 40 MPa,并且可重复性很好  相似文献   
4.
标准件螺栓在生产中一般都采用冷镦工艺,但长螺栓,特别是带十字槽的螺栓(图1)则难以冷镦生产。过去采用的是切削加工后压十字槽的工艺,但效率低,材料浪费,而且质量不稳定,易出现飞边和十字槽凹陷(图2)。我们经过试验,采用了温锻挤工艺方法解决了这一关键。  相似文献   
5.
Cf/SiC复合材料先驱体转化法浸渍工艺条件优化   总被引:7,自引:1,他引:6       下载免费PDF全文
主要研究了先驱体转化法制备碳纤维三维编织物增强陶瓷基复合材料的浸渍工艺条件,探讨了不同温度,压力对PCS/DVB溶液法和PCS熔融法浸渍效率的影响,优化出最佳浸渍工艺参数。结果表明,温度对PCS/DVB溶液粘度影响较大,升高温度可急剧降低PCS/DVB溶液的粘度,有利于浸渍。PCS/DVB溶液法浸渍的最佳工艺参数为:50-60度,2MPa,PCS熔融法浸渍的最佳工艺参数为:300度,2MPa,采用PCS/DVB溶液法浸渍时的浸渍效率优于PCS熔融法,经四个浸渍裂解周期后溶液法制备的材料密度(1.53g/cm3-1.61g/cm3)明显优于先驱体熔融法(1.43g/cm3-1.52g/cm3)  相似文献   
6.
前言本文所介绍的标准机箱是专门为机载计算机及其它电子设备研制的加固型机载计算机标准机箱。它除了满足电气方面的技术要求之外,采用了体积小、重量轻的高密度组装结构,并朝着广泛应用在严酷飞行条件的各种类型的机载计算机及其它电子设备上的目标努力。  相似文献   
7.
8.
绪论     
原子频标是量子物理学与电子学高度结合的产物,它是将高稳晶振的频率通过锁频或锁相方式锁定于微观世界原子或分子能级跃迁的参考频率上,因而具有极高的准确度和稳定度,以此为基础的时间频率测量的相对精度远远超过其他物理量。为此,常把其他物理量,如长度、温度、电压等转换成频率(时间)来进行测量以提高其精确度。  相似文献   
9.
2000年12月22日至24日,中国实验室国家认可委员会(简称CN ACL)对中国运载火箭技术研究院一○二所进行了现场评审,依据ISO/IEC Guide 25及相关文件,CN ACL对中国运载火箭技术研究院一○二所申报的长度、热学、力学、电学等四类共87大项校准检测项目给予了认可。同时,该所获得国际实验室、认可合作组织的其他35个国际实验室认可机构的认可,由该所出具的相应参数的校准证书和检测报告将得到27个国家和地区的承认。 缪寅宵报道  相似文献   
10.
为了规范国内小卫星研制单位的行业管理,确保小卫星质量,整合小卫星市场资源,2007年7月17日,国防科工委系统一司在北京组织召开了"小卫星研制单位准入条件及评价方法"标准研讨会。来自国防科工委系统一司,航天科技集团公司科技委、七○八所、五院、东方红卫星公司,中科院军工办,航天科工卫星公司以及哈尔滨工业大学等小卫星上级主管部门和研制单位的相关领导与专家出席了会议。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号