冲头对层合板低能量冲击损伤有限元模拟精度的影响

为探索冲头对低能量冲击损伤有限元模拟精度的影响,基于连续损伤力学模型,采用基于应变的Hashin失效准则,并利用VUMAT子程序实现刚度折减,建立了预测复合材料层合板低能量冲击损伤的数值模型;并选用圆形和锥形冲头进行了落锤低能量冲击试验,测量了冲击损伤形貌。研究结果表明:低能量冲击条件下,模型可以较为准确的预测损伤深度及面积,但相较于圆形冲头,锥形冲头的预测精确度更高,且在25J≥冲击能量≥15J时,模型预测精度更高。     

TiAl合金基本物性的第一原理计算与比较

采用第一原理赝势平面波方法,计算了L1o型超点阵结构TiAl合金的平衡晶格常数、合金形成能、电子态密度、能带结构及弹性常数,并与实验结果和其它理论计算方法结果作了比较.     

Sc在L10-TiAl金属间化合物中占位的理论研究

基于密度泛函理论,运用第一原理赝势平面波方法,采用CASTEP量子力学能量软件包研究了Sc占据Ti位与Sc占据A l位的超胞晶格常数、原子形成热、超胞总态密度与电子密度差分图,两种情况对比下,在L10-TiA l合金中,Sc优先占据Ti位,这一结论为进一步研究三元系TiA l-Sc合金提供了理论研究的基础。     

B2-NiAl弹性性质Ag合金化效应的理论研究

采用第一原理赝势平面波方法和基于虚拟晶体势函数近似(VCA),计算了Ag合金化(浓度x＜1.0%,原子分数,下同)时完整与缺陷B2-NiAl晶体的弹性性质,并采用弹性常数C44,Cauchy压力参数(C12-C44)、弹性模量E、剪切模量G及其与体模量B0的比值G/B0等,表征和评判了Ag合金化浓度x对NiAl金属间化...     

γ-TiAl金属间化合物室温脆性及其影响因素

本文对影响γ-TiAl金属间化合物的室温脆性的因素从晶体结构尺寸、合金成分、变形位错、电子结构等四个方面进行了比较全面的阐述,得出结论：空间电荷的均匀分布有利于γ-TiAl合金室温塑性的改善。     

L10-TiAl金属间化合物Mn,Nb合金化电子结构的计算

采用第一原理赝势平面波方法计算了L10型TiAl金属间化合物中掺入Mn,Nb后的电子结构和价键结构.通过合金原子形成热得出Mn优先占据Al点阵位置,Nb优先占据Ti点阵位置.Mulliken聚居数分析发现Mn或Nb合金化后,分别降低了(001)和(002)面内的原子间键合强度,掺入Nb还降低了层间的原子间键合强度,而掺入Mn,则使层间原子间键合强度增加.整体上来讲,掺入Mn有利于改善TiAl的室温脆性,而掺入Nb,不利于改善TiAl的室温脆性.     

B2-RuAl合金基本物性及电子结构计算

采用第一原理赝势平面波方法，计算B2型RuAl金属间化合物的平衡晶格常数、形成热、弹性常数以及点缺陷形成能，与其它计算方法和实验测试的结果进行比较。点缺陷形成能的分析结果表明：富Ru合金出现Ru反位缺陷，富Al合金出现Al反位缺陷。对于上述计算结果，还基于晶体总的电子态密度与各原子分波态密度等电子结构方面的信息对其进行初步分析。     

3d过渡金属在L10-TiAl中占位的第一原理计算

采用第一原理赝势平面波方法研究TiAl—X（X为3d过渡金属）超胞合金体系的几何、能量与电子结构。通过计算、比较、分析Ti7A18X与Ti8Al7X超胞的合金形成能,得出3d过渡金属在L10—TiAl合金中的占位情况：合金化元素的外层电子数,特别是外层的d电子数对其在L10-TiAl合金中的占位有非常明显的影响,d电子数较少的前过渡金属Sc、V和Cr主要优先占据Ti原子位,而d电子数较多甚至是满d壳层的Mn、Fe、Co、Ni、Cu和Zn则主要优先占据Al原子位。与相关理论研究比较,对Cr元素在L10-TjAl合金中占据情况得出不同结论。对于合金化元素在L10-TiAl合金中占据不同亚点阵的情况,还从电子分波态密度角度,很好地解释了其产生的电子机制。     

B2-RuAl合金中原子扩散的第一原理计算

采用第一原理赝势平面波方法,计算B2-RuA l合金中Ru和A l在不同情况下的扩散,用扩散激活能有效地表述和研究其化学反应的难易。计算发现:在空位扩散时,A l原子要比Ru原子容易扩散,即Ru原子比A l原子更稳定一些;当考虑不同扩散浓度和周边原子影响的情况时,也是A l原子要比Ru原子容易扩散,但其扩散激活能不同,所以在对B2-RuA l合金的原子扩散能计算时,周边的原子影响较大,我们应该考虑模型的尺寸效应。而比较不同扩散浓度下的扩散激活能,高浓度的扩散要难于低浓度。