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GaN基白光LED电流加速老化特性研究 总被引：1，自引：0，他引：1
本文对三组Al2O3衬底上生长GaN基蓝光激发黄色荧光粉的白光LED进行了对比电流加速老化实验,老化电流分别是30 mA5、0 mA和70 mA。随着老化电流的增大,GaN基白光LED的光输出功率随时间的衰减速率相对较快;随老化时间的加长,30 mA电流驱动下,GaN基白光LED相对光谱中黄光比重先增加再减小。其原因归结为荧光粉受热降解导致转换量子效率降低和荧光粉本身对短波长的光散射共同作用的结果。最后计算出用于实验的白光LED寿命为457 h。 相似文献
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介绍了一种利用单片机控制的半导体激光（LD）驱动电源，该电源通过控制LD的工作电流和温度以及采用了可靠的保护电路，实现了LD光功率稳定、可靠、准确输出。 相似文献
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