移位损伤剂量模型及其应用

首先描述了移位损伤的机理及其影响器件性能的机制,引入了适合航天器工程抗辐射加固设计使用的移位损伤剂量模型,探讨了其在CCD器件电荷传输效率CTE,Si器件平均暗电流以太阳电池阵输出功率等工程参数衰降中的应用,介绍了建立的基于移位损伤剂量模型的空间环境中CCD器件CTE衰降预测模式,其结果与欧空局空间环境信息系统的计算结果相吻合．该程序在光电器件抗辐射加固设计中具有重要的应用价值．     

一种SEU实验数据的处理方法

对SEU数据——特别是看似不理想，但却包含了丰富的物理信息所谓“坏数据”——的处理方法进行了分析讨论，并具体针对IDT7164器件的SEU数据进行了处理，从中得到了死层厚度、灵敏体积厚度、能量阈值等进行单粒子翻转预测所需要的关键参数，并就如何根据国内加速器的实际情况开展有针对性的单粒子效应模拟试验提出了一些初步想法。