新型固态纳米团簇NaXe在核磁共振中的量子尺寸效应

介绍了从体材料、薄膜(面材料)至量子点材料的发展。讨论了纳米材料中量子尺寸效应的重要意义。在实验中,用Xe离子注入NaCl微晶的方法,获得了尺寸小于80 nm的新型固态纳米团簇NaXe,测得了这种新型纳米材料在核磁共振中化学位移的量子尺寸效应。     

金属多层膜超晶格结构研究

用高分辨的三晶体x—射线衍射仪测量了Zr、Cu金属交替的多层膜的x—射线小角反射谱。用扩展了的Born—wolf光学模型对Zr、Cu多层膜的x—射线小角反射数据进行了定量分析。结果表明，该金属多层膜在其生长方向具有超晶格结构。在两层金属膜之间的界面上，由于内扩散，形成了界面交混层，它使x—射线小角反射所产生的高阶Bragg峰的强度减弱。由于两种金属膜的晶格不匹配，使高阶Bragg峰加宽。界面的粗糙度可用来模拟x—射线小角反射曲线的阻尼振荡效应。     

GaInP2外延膜中施主—受主对复合发光带的能量关量

通过变温与变激发强度的近红外光致发光研究了用ＭＯＣＶＤ方法、生长在ＧａＡｓ衬底上的Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ（ＧａＩｎＰ２）外延薄膜的１．１７ｅＶ发射带的发光特性。１．１７ｅＶ发光带性质与０．９９ｅＶ及０．８５ｅＶ发光带的性质有着明显的差别。１．１７ｅＶ发光带的机理可用施主－受主对的复合发光来解释，其中施主－受主对系白处在Ｇａ格位上的Ｓｉ（ＳｉＧａ）及其最邻近的Ｇａ空位（ＶＧａ）所组成，记作ＳｉＧａ－ＶＧａ。考虑到ＧａＩｎＰ２中存在着很强的电子－格子耦合作用及其Ⅲ族子格子为部分有序，所以在施主－受主对复合发光中应计及Ｆｒａｎｃｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移△ＦＣ及该对在等效的部分有序势场中的相互作用能Ｅｓ（ＤＡＰ）。Ｘ—射线衍射实验表明，部分有序结构相当于成分调制，因而可用Ｋｒｏｎｉｇ－Ｐｅｎｎｅｙ模型来计算Ｅｓ（ＤＡＰ）值。这样，我们就导出了施主－受主对复合发光的新的能量表示式。     

正电子素络合形成研究(Ⅱ)

本文讨论了不同测量条件对正电子素络合反应速度常数测定值的影响。实验结果表明,在稀溶液的条件下,使用我们特殊设计的盛装溶液的匣式容器能大大提高放射源的使用率并能完全避免放射性废水。     

关于《狭义相对论》的讨论

本文讨论了在工科院校普通物理教学中讲授狭义相对论的一些问题。着重说明: (1)教科书中常用迈克尔逊-莫雷实验作为狭义相对论的实验基础是不妥当的。 (2)狭义相对论的基本假设可归结为两条:(a)空间和时间是均匀的,由此导致动量守恒与能量守恒;(b)物理定律对所有惯性系都应保持不变,由此导致真空中光速C=1/(ε_0μ_0)~(1/2)在所有惯性系中保持不变。所以说,光速不变并不是狭义相对论的基本假设,洛仑兹变换也很容易在上述两条基本假定下导出。 (3)相对论效应中的动尺收缩与时间膨胀都是由同时概念相对性所导致的,所以应强调同时概念相对性的重要性。 (4)用动量守恒,能量守恒定律来导出相对论动力学部分时,要尽可能做到简而明。     

生长在Si上的GaAs外延膜中有关深能级缺陷与其形貌间的关联研究

由于在GaAs和Si单晶材料间有着很大的格子常数及线性热膨胀系数差别，所以在St上生长的GaAs异质外延薄膜（GaAs／Si）中会存在着界面失配形变与高密度的结构缺陷。我们的实验显示，GaAs／Si外延膜的无序与其生长条件有关，尤其与其［As］／［Ga］比密切相关。与GaAs／Si无序相关的失配位错、线位错及畴区的形貌已用扫描电子显微镜作了观察;与深能级相关的缺陷与其形貌间的关联也已用实验说明。对于高有序GaAs／Si外延膜来说，其与离域相关的主发光峰的强度对温度的变化服从阿兰纽斯方程，而对低有序的GaAs／Si外延膜来说，其与局域相关的主发光峰的强度对温度的变化关系则遵循对无定型半导体才成立的另一种方程。     

GaInP_2外延薄膜的成份调制与超结构间的关联

用自制的具有极高分辨率的微机控制的三晶体x-射线衍射仪测量了用MOCVD方法生长的Ga_(0.52)In(0.48)P外延薄膜的超结构。我们发现,在Ga_(0.52)In(0.48)P外延薄膜内由In平面和Ga平面交替组成的(?)平面中,存在着交替的In丰与Ga丰平面。对此,我们定义了有序因子,并首先精确地测定了有序因子值。由此导出了成份调制的表达式。这样,我们就可用成份调制表示式来表达GaInP_2外延薄膜中存在的部分有序相的超结构特征。     

航空润滑油残炭值的测定

用康氏法测量了在室温下航空润滑油ＨＨ－２０与ＨＰ－８的任意体积比的混合航空润滑油的残炭值。实验结果表明,样品中ＨＰ－８与ＨＨ－２０的体积比值与其残炭值呈良好的线性关系。因此,通过混合航空润滑油体积比的测量就可直接读出该油品的准确的残炭值。     

在 Si 上生长的 GaAs 外延薄膜的近红外光致发光(英文)

在Ｓｉ上生长的异质ＧａＡｓ外延薄膜（记作ＧａＡｓ／Ｓｉ）中，存在着深能级，它们是由各类缺陷的各种不同荷电态所导致的。这些缺陷则是由于ＧａＡｓ与Ｓｉ之间存在着很大的晶格失配及热膨胀系数差异所引起的。研究了与ＧａＡｓ／Ｓｉ的深能级有关的变温与变激发强度的近红外光致发光谱。实验中所用的ＧａＡｓ／Ｓｉ样品是用ＭＯＣＶＤ方法生长的，而且具有不同的［Ａｓ］／［Ｇａ］比。利用组态模型，通过测量发光峰在半极大处的全宽度随温度的变化，获得了Ｆｒａｎｃｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移。考虑了ＧａＡｓ／Ｓｉ的带隙随温度与随失配形变的移动。利用所获得的Ｆｒａｎｃｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移及带隙移动，修正了施主－受主对、导带－受主及施主－价带间跃迁的能量关系式，给出了新的表达式。按照建立的新的跃迁能量表达式及ＧａＡｓ／Ｓｉ外延薄膜发光谱的特征，鉴定出ＧａＡｓ／Ｓｉ中的三个发光峰属施主－受主对复合发光，另外两个发光峰则是由Ａｓ填隙－Ｇａ空位的复合发光中心所产生。     

在Si上生长的外GaAs的深化能级研究

本文对在Ｓｉ衬底上用金属－有机的化学汽相沉积法生长的ＧａＡｓ外处膜中的１．０４ｅＶ发射作了变温与变激发强度的近红外光致发光研究。该１．０４ｅＶ发射可用由Ｖ＾１－ＡＳ施主及Ｖ＾１－ＧＡ受主所组成的施主－受主对的复合发光来给予很好解释。