放电发射光谱在金属微弧氧化表面处理中的应用研究进展

液相火花放电现象是金属微弧氧化表面处理时典型特征,发射光谱(OES)技术是表征微弧放电光谱特征和探索微弧氧化机理的有效手段。本文综述了铝、镁、钛等金属微弧氧化过程中发射光谱的研究现状。介绍微弧放电区等离子体的电子温度、电子密度等特征参数计算原理。重点关注了不同金属基体材料、电参数及电解液组成条件下,等离子体放电行为对微弧氧化膜结构的影响规律,并比较不同放电模型的异同。基于OES谱线评估得到的各种金属微弧等离子体温度为3000~10000 K,为放电通道内快速熔化-凝固过程促进陶瓷膜生长机制提供证据。     

LC4超硬铝微弧氧化膜的生长及表征

研究Al-Zn-Mg-Cu系LC4铝合金微弧氧化陶瓷膜生长动力学,测量样品外形尺寸随氧化时间的变化。分析膜的形貌、成分和相组成,测定膜层的显微硬度分布,并评估氧化前后样品的电化学腐蚀性能。氧化初期电流密度较高,膜生长较快。进入平稳生长期后,电流密度基本保持恒定,膜生长速度降低。膜层由γ-Al2O3,α-Al2O3和SiO2非晶相组成,γ-Al2O3的含量较高。氧化膜硬度比铝基体高得多,膜内层和外层平均硬度分别为1600 HV,450HV。LC4铝合金经过微弧氧化处理后,腐蚀电流大幅下降,耐蚀性得到很大提高。