EB-PVD工艺中基板温度对材料形成过程的影响

针对电子束物理气相沉积（EB-PVD）设备的特点，研究基板温度对材料形成过程的影响。首先建立薄膜生长的基本扩散模型，然后用嵌入原子法（EAM）计算扩散激活能，以入射粒子跃迁概率表征入射原子在表面上的稳定程度，研究基板温度对低能Ni在Ni表面上扩散过程的影响。分别在较低（250～450K）和较高（750～1000K）两种温度下进行上述计算。研究结果表明，基板温度对跃迁概率的影响存在临界值，Ni为375K；当基板温度低于375K时，基板温度对跃迁概率影响很小，而当基板温度高于375K时，跃迁概率随基板温度增加呈指数增长；基板温度较低（Ni低于375K）时入射原子在表面上不扩散，易形成多孔疏松状材料，而较高的基板温度则有利于密实材料的形成。     

电子束物理气相沉积Ni-Cr—Al合金薄板微观组织研究

采用电子束物理气相沉积技术(EB-PVD)在温度为700℃的不锈钢基片上沉积厚度为0.2mm的Ni-Cr-Al高温合金薄板,然后将合金薄板与基片剥离.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和透射电子显微镜(TEM)等测试手段研究了Ni-Cr-Al合金薄板的微观组织.结果表明,沿厚度方向合金具有两种不同晶粒形貌的两层结构,在沉积材料的靠近基板侧观察到柱状晶区,同时表现出{lll}织构,而在远离基板一侧晶粒形貌则为近等轴晶且无织构现象;合金表面晶粒细小均匀且呈岛状分布,每个"岛屿"由许多晶粒尺寸约为100 nm柱状晶粒组成;晶粒内部亚结构表现为孪晶.