基于耦合结构的双向可调无源互调参考源

文章针对无源互调测试领域中亟待解决的无源互调仪器测试校准问题提出了一种基于二极管非线性的人工可调互调参考源设计方法,该种结构使用新型的功率耦合电路网络实现了在双端口双向状态下同时输出可控的无源互调参考信号,两种验证拓扑均可在双路43dBm 载波激励情况下产生小于-110dBm 的可调三阶交调。这种被验证的双路互调参考输出结构在保留反射互调校准功能同时使得传输互调校准也成为可能。针对不同的测试需求还可以通过改变电路结构实现不同的互调调节区间,从而满足不同的互调动态范围的测试需求。在实际互调测试过程中,通过将该人工互调源接入测试回路同时调整偏置电压值,可实现在线的动态互调参考发生及互调测试仪器校准。该电路结构及基于该种结构的校准方法将有助于分析无源互调测试系统的误差水平并进一步指导提高互调仪器的测试准确度。     

辐射场中金属接触非线性源的无源互调仿真方法

文章提出并验证了一种可以预测被天线接收的金属接触无源互调(passive intermodulation,PIM)幅值的仿真方法。把辐射场中的金属接触界面设置为非线性电流源离散端口,以该非线性电流源作为激励源通过CST场仿真能够获取天线接收端口的PIM响应。通过少量PIM测试结果可以仿真提取待测样(device under test, DUT)的非线性参数,进而仿真预测DUT在辐射场中任意位置的PIM响应。针对铝合金金属接触DUT,首先采用方同轴缝隙天线测试辐射场中某一位置的三阶PIM(third-order passive intermodulation, PIM3)幅值,其次基于场仿真提取了非线性电流源的三阶非线性参数,最后利用确定的非线性电流源仿真预测辐射中不同位置处的PIM3响应,仿真评估和实验测试结果一致。文章为辐射场复杂场景中金属接触PIM的评估及其非线性参数的提取提供了一种可靠且方便的途径。     

美国阿尔忒弥斯载人登月计划进展

自美国20世纪70年代通过阿波罗计划实现载人登月后,人类再也没有踏上过月球表面。近年来随着深空探测活动的再次兴起,美国启动了新一轮的载人登月计划,即阿尔忒弥斯载人登月计划。这项由NASA主导、多方参与的登月计划,目标不仅是将美国宇航员再次送上月球,还要在月球建立长期运营基地,并为后续的载人探火行动奠定基础。文章对这一计划所涉及的战略部署及任务要素进行了概述,涵盖登月着陆点选择、运载火箭与飞船、着陆器与有效载荷、“门户”绕月空间站以及商业航天的参与。最后讨论了美国阿尔忒弥斯计划对我国未来探月工程的启示。     

一种激光刻蚀降低二次电子产额的方法

空间大功率微波器件受空间环境因素的影响，易于发生微放电效应导致器件性能退化甚至失效。二次电子产额（Secondary Electron Yield，SEY）大于1是诱导空间材料表面微放电效应发生的根本条件之一。在材料表面制备微纳结构能有效抑制SEY，从而降低器件在空间环境中发生微放电的风险。激光加工可操作性强、灵活度高，可用于构建材料表面微米结构。本文使用1064 nm红外激光器在铝合金镀银样品表面制备单元尺寸为百微米的圆孔阵列和沟槽阵列，使用磁控溅射在样品表面分别覆盖200 nm银和72 nm铁氧体。SEY测试结果表明，银表面δmax（SEY峰值）从1.932降至0.868，铁氧体表面δmax从2.672降至1.312。实验证明激光加工制备的微米结构能大幅降低材料表面SEY，从而有效降低材料表面发生微放电的风险。     

大功率条件下的无源互调干扰问题综述

随着各类无线通信系统朝着高功率发射机、高灵敏度接收机的方向进一步发展,以及各类无线应用的日益增多导致频谱资源日趋紧张,这使得无源互调问题越来越引起人们的重视。文章系统论述了国外无源互调领域的研究情况,包括无源互调的测试研究、频谱算法研究、多种典型微波器件的无源互调研究,并在此基础上对无源互调产生的物理机制研究进行了综述分析。最后,展望了该方面未来的几个关键研究方向。     

高温SiC器件及其集成电路在空间电子领域应用展望

金星、火星等行星空间探索对航天器电子学系统耐高温、抗辐照、抗腐蚀性等提出了严峻挑战。极低温电子学和高温电子学是近年来深空探索中的强烈需求。文章主要阐述高温SiC集成电路的起源,数字、模拟和功率IC的发展历程和研究现状。重点综述分析了高温SiC集成电路设计方法和流片验证的两条技术途径：首先,基于多层外延制造工艺的BJT器件单元及其双极集成电路;其次,基于离子注入掺杂工艺的互补单元及其CMOS集成电路。在此基础上还进一步介绍了高温SiC传感芯片、BCD功率IC及功率模块的应用可靠性验证。目前国际研究现状展示了SiC BJT和CMOS IC研制中大学学术界和半导体企业界的协同创新格局。最后展望了其在深空探索中的潜在应用及其面临的挑战性。本综述对国内研制空间环境用宽禁带半导体SiC高温集成电路及其电子学系统具有借鉴价值。     

一种基于调零理论检测低气压放电效应的方法

随着我国航空航天事业的飞速发展，对微波器件的功率容量要求也变得越来越高，其受低气压放电效应影响的问题也越来越突出，建立有效的低气压放电检测方法也就变得尤为重要和迫切。为提高低气压放电效应检测的灵敏度，文章研究了一种利用调零系统搭建的低气压放电效应测试平台来检测微波器件是否发生低气压放电的方法。首先，基于相位相消理论分析了调零系统应用于低气压放电测试的工作原理；其次，通过同频信号相位叠加实验对理论计算结果进行了验证，结果表明：相比于直接检测待测件反射信号幅度变化的传统低气压放电效应检测方法，调零法具有灵敏度显著增强的优点；最后，在100Pa~4500Pa的气压范围内，利用所搭建的测试平台对S波段的微带带通滤波器进行了低气压放电测试，结果表明：该测试平台可以根据调零信号的变化，有效实现对微波器件的低气压放电效应进行检测。     

模拟分析随机粗糙金属表面的二次电子发射特性

近年来，金属表面的二次电子发射系数（SEY）受表面形貌影响的研究得到了广泛关注。针对真空电子器件表面均为随机粗糙表面的实际情况，建立了基于二次电子发射唯象模型的随机粗糙表面SEY模拟仿真方法。以典型高斯分布型表面为例，针对表面粗糙度对SEY的影响规律进行了研究。结果表明，随机粗糙表面的SEY随初始电子入射能量变化的曲线，相比于理想光滑表面发生了右移（朝向高能端移动），且SEY与粗糙度之间不存在单调依赖关系。采用该模拟方法所得的SEY与粗糙度间的依赖规律与已报道的基于蒙特卡罗模拟方法所得规律一致，证实了该方法的合理性。     

利用微加工工艺提高空间行波管收集极效率

针对二次电子发射系数对空间行波管收集极效率的影响,通过降低二次电子发射系数的方法,提高收集极的效率。并以无氧铜为例,使用化学刻蚀的方法对无氧铜样片进行表面处理,得到规则微孔阵列结构。使用二次电子发射测试平台对有无表面处理的无氧铜样片进行测量。测量结果显示,经化学刻蚀处理后的样片的最大二次电子发射系数由1.33减小到0.96,二次电子发射抑制效果明显。将测得的两个二次电子发射系数曲线用于空间行波管收集极的模拟设计中。选用已有的3个收集极结构模型,使用模拟软件进行仿真并计算收集极效率。结果表明,3个收集极结构模型的效率分别由原来的80.1%、57.5%、42.1%提高到82.55%、62.6%、59.2%。该结果对于空间行波管收集极的设计具有重要参考价值。     

一种基于偶极子近场耦合法测量无源互调的方法

无源互调（PIM，Passive Intermodulation）是影响微波通信系统可靠性的关键问题之一。该文提出并实现一种利用近场耦合原理诊断接触结构待测件的PIM测量方法。该测量方法通过缝隙波导激励开口缝隙附近的接触结构，并同时在波导端面接收所产生的PIM信号，从而能方便地对不同物理接触状态的接触结构的PIM产物进行测试分析。并应用电磁商业仿真软件CST对PIM测试工装进行仿真验证，结果与基于偶极子的理论分析结论一致。最后利用铝合金接触结构开展了实验验证研究，获得了三、五阶PIM产物随载波功率的变化特性，实验验证了三阶和五阶PIM产物之差随载波功率降低而增大的变化规律。