一种激光刻蚀降低二次电子产额的方法

空间大功率微波器件受空间环境因素的影响，易于发生微放电效应导致器件性能退化甚至失效。二次电子产额（Secondary Electron Yield，SEY）大于1是诱导空间材料表面微放电效应发生的根本条件之一。在材料表面制备微纳结构能有效抑制SEY，从而降低器件在空间环境中发生微放电的风险。激光加工可操作性强、灵活度高，可用于构建材料表面微米结构。本文使用1064 nm红外激光器在铝合金镀银样品表面制备单元尺寸为百微米的圆孔阵列和沟槽阵列，使用磁控溅射在样品表面分别覆盖200 nm银和72 nm铁氧体。SEY测试结果表明，银表面δmax（SEY峰值）从1.932降至0.868，铁氧体表面δmax从2.672降至1.312。实验证明激光加工制备的微米结构能大幅降低材料表面SEY，从而有效降低材料表面发生微放电的风险。     

大功率条件下的无源互调干扰问题综述

随着各类无线通信系统朝着高功率发射机、高灵敏度接收机的方向进一步发展,以及各类无线应用的日益增多导致频谱资源日趋紧张,这使得无源互调问题越来越引起人们的重视。文章系统论述了国外无源互调领域的研究情况,包括无源互调的测试研究、频谱算法研究、多种典型微波器件的无源互调研究,并在此基础上对无源互调产生的物理机制研究进行了综述分析。最后,展望了该方面未来的几个关键研究方向。     

一种基于调零理论检测低气压放电效应的方法

随着我国航空航天事业的飞速发展，对微波器件的功率容量要求也变得越来越高，其受低气压放电效应影响的问题也越来越突出，建立有效的低气压放电检测方法也就变得尤为重要和迫切。为提高低气压放电效应检测的灵敏度，文章研究了一种利用调零系统搭建的低气压放电效应测试平台来检测微波器件是否发生低气压放电的方法。首先，基于相位相消理论分析了调零系统应用于低气压放电测试的工作原理；其次，通过同频信号相位叠加实验对理论计算结果进行了验证，结果表明：相比于直接检测待测件反射信号幅度变化的传统低气压放电效应检测方法，调零法具有灵敏度显著增强的优点；最后，在100Pa~4500Pa的气压范围内，利用所搭建的测试平台对S波段的微带带通滤波器进行了低气压放电测试，结果表明：该测试平台可以根据调零信号的变化，有效实现对微波器件的低气压放电效应进行检测。     

模拟分析随机粗糙金属表面的二次电子发射特性

近年来，金属表面的二次电子发射系数（SEY）受表面形貌影响的研究得到了广泛关注。针对真空电子器件表面均为随机粗糙表面的实际情况，建立了基于二次电子发射唯象模型的随机粗糙表面SEY模拟仿真方法。以典型高斯分布型表面为例，针对表面粗糙度对SEY的影响规律进行了研究。结果表明，随机粗糙表面的SEY随初始电子入射能量变化的曲线，相比于理想光滑表面发生了右移（朝向高能端移动），且SEY与粗糙度之间不存在单调依赖关系。采用该模拟方法所得的SEY与粗糙度间的依赖规律与已报道的基于蒙特卡罗模拟方法所得规律一致，证实了该方法的合理性。     

利用微加工工艺提高空间行波管收集极效率

针对二次电子发射系数对空间行波管收集极效率的影响,通过降低二次电子发射系数的方法,提高收集极的效率。并以无氧铜为例,使用化学刻蚀的方法对无氧铜样片进行表面处理,得到规则微孔阵列结构。使用二次电子发射测试平台对有无表面处理的无氧铜样片进行测量。测量结果显示,经化学刻蚀处理后的样片的最大二次电子发射系数由1.33减小到0.96,二次电子发射抑制效果明显。将测得的两个二次电子发射系数曲线用于空间行波管收集极的模拟设计中。选用已有的3个收集极结构模型,使用模拟软件进行仿真并计算收集极效率。结果表明,3个收集极结构模型的效率分别由原来的80.1%、57.5%、42.1%提高到82.55%、62.6%、59.2%。该结果对于空间行波管收集极的设计具有重要参考价值。     

一种基于偶极子近场耦合法测量无源互调的方法

无源互调（PIM，Passive Intermodulation）是影响微波通信系统可靠性的关键问题之一。该文提出并实现一种利用近场耦合原理诊断接触结构待测件的PIM测量方法。该测量方法通过缝隙波导激励开口缝隙附近的接触结构，并同时在波导端面接收所产生的PIM信号，从而能方便地对不同物理接触状态的接触结构的PIM产物进行测试分析。并应用电磁商业仿真软件CST对PIM测试工装进行仿真验证，结果与基于偶极子的理论分析结论一致。最后利用铝合金接触结构开展了实验验证研究，获得了三、五阶PIM产物随载波功率的变化特性，实验验证了三阶和五阶PIM产物之差随载波功率降低而增大的变化规律。     

基于热电子发射非线性的波导结无源互调机理研究

文章通过建立微波波导连接结的金属-半导体-金属(MSM)结构模型来探讨其无源互调(PIM)产生机理。首先,依据实际镀银波导钝化工艺过程建立了波导连接结的MSM结构模型及其等效电路,然后分析了MSM结构的非线性热电子发射电流特性,最后对MSM结构的三阶PIM进行了理论计算。研究结果表明:PIM随着波导连接压力的增加而呈现出较为复杂的变化规律,并且在106Pa附近存在极小值;PIM随输入功率的增加而增加,尤其是在大的接触压力条件下,增幅更明显;钝化层掺杂浓度的增加总体上使PIM减小,但在1016cm-3～1018cm-3的掺杂范围内存在极小值点。文章理论结果对探讨PIM产生机理及工程实践具有借鉴意义。     

金属柱状阵列结构二次电子发射系数模拟研究

二次电子发射系数（secondary electron yield,SEY）的抑制对提高空间大功率微波部件的微放电阈值、降低粒子加速器发生电子云效应的风险等具有重要意义。针对现有圆柱形柱状阵列SEY抑制方法，未考虑实际加工工艺可能导致柱体形貌偏差，进而影响SEY抑制效应的问题，结合二次电子发射唯象概率模型和电子运动轨迹射线追踪法，研究了圆形、方形、圆锥形、截断圆锥形、方锥形、沙漏形及螺纹形柱状阵列的SEY。模拟结果表明：与理想圆柱形柱状阵列相比，方形、方锥形、螺纹形柱状阵列的SEY抑制效应与圆柱阵列基本相同（差异小于~6%），而其余几种形状的柱状阵列的SEY抑制效应略逊于理想圆柱阵列。因此，从SEY抑制效应角度看，圆柱形柱状阵列具有较好的工艺容差性能。研究结果为柱状阵列结构在SEY抑制领域的工程化研究与应用提供了参考。     

无源互调测试误差分布特性初探

无源互调干扰是卫星通信与移动通信共同面临的棘手问题，无论是无源互调效应的基础研究还是其工程应用，均离不开无源互调测试。无源互调测试误差与载波功率精度、测试系统残余互调电平、接收机检测精度等因素息息相关。然而，现有的无源互调误差评估方法只考虑了误差的上下限，未考虑误差分布特性。基于信号矢量合成理论和蒙特卡罗模拟，研究了无源互调测试误差的分布特性，并开展了初步的实验验证。理论与实验结果均表明：当待测互调电平接近系统残余互调电平时，无源互调测试误差具有非对称分布特性，且出现正误差的概率较大；当待测互调电平显著高于残余互调电平时，误差分布呈现出对称性，出现正误差和负误差的概率基本相当。研究结果对于精细化评估无源互调测试结果具有借鉴意义。