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采用针刺及细编穿刺结构分别引入热解碳和沥青碳的多孔C/C坯体,通过反应熔渗工艺(RMI)与熔融金属Zr反应制备了C/C-ZrC复合材料。研究了预制体结构和基体碳类型对C/C-ZrC复合材料微观结构及力学性能的影响。结果表明:材料熔渗后只由C,ZrC两相组成,孔隙率5%~10%,ZrC质量分数53%~63%。针刺结构的C/C坯体熔渗效果更好,制得的C/C-ZrC复合材料密度最高达到3.21 g/cm3;ZrC质量分数达到62.8%。热解碳基体在熔渗过程中对纤维保护作用更好,C/C-ZrC复合材料的弯曲强度达到148 MPa,压缩强度达到408 MPa。 相似文献
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以多向编织C/C复合材料为研究对象,对其内部组织结构进行了CT扫描,通过对投影旋转中心校正、噪声抑制、环状伪影校正等数据进行了处理.结果表明:经过处理数据,图像质量明显改善,提高了材料内部微结构细节的辨识程度,为C/C复合材料内部微结构三维重构提供了良好的基础. 相似文献
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掺杂锆再结晶石墨微观结构及其性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
用煅烧石油焦作填料、煤沥青作粘结剂、锆粉作添加剂,采用热压工艺制备了一系列不同质量配比的掺杂锆再结晶石墨。考察了不同质量配比的添加锆对再结晶石墨的热导率、电阻率和抗折强度的影响以及微观结构的变化。实验结果表明,与相同工艺条件下制备的纯石墨材料相比较,掺杂锆再结晶石墨的导热、导电以及力学性能均有较大的提高。当锆掺杂量为6wt%时,再结晶石墨电阻率有明显的降低;而当锆掺杂量超过6wt%时,对再结晶石墨的电阻率影响不大。室温下,RG-Zr-12再结晶石墨的层面方向热导率可达410W/(m·K)。微观结构分析表明,随着锆掺杂量的增加,石墨微晶的石墨化度以及微晶尺寸增大,晶面层间距降低。原料中掺杂锆量为12wt%时,再结晶石墨的石墨化度为97.7%,微晶参数La为475nm。XRD及SEM分析表明,锆元素在再结晶石墨中以碳化锆的形式存在。锆对再结晶石墨制备过程的催化作用可以用液相转化机理来解释。 相似文献
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宋永忠%孙宝珍%李贵生%翟更太%刘朗 《宇航材料工艺》2004,34(2):49-53
用中间相碳微球(MCMB)做原料,冷模压成型后再经过热处理后得到高密高强模压碳/石墨材料,考察了不同热处理温度对制品的力学性能的影响以及微观结构的变化。实验结果表明,与常规方法制备的碳/石墨材料相比,经过热处理的MCMB模压制品具有更高的力学性能。1300℃热处理后MCMB模压制品的压缩强度可以达到240.8MPa,弯曲强度达到86.1MPa。微观结构分析表明,经过900℃热处理后的制品具有极为密实的结构,虽然在更高的温度热处理后,制品表面存在着一些小孔和微裂纹,但相对于常规碳/石墨材料而言,它们是非常微小的。另外,从高倍数SEM分析表明,MCMB是比较容易石墨化的碳材料原料。 相似文献
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掺杂硅再结晶石墨微观结构及其性能的研究 总被引:5,自引:1,他引:5
用煅烧石油焦作填料、煤沥青作粘结剂、硅粉作添加剂 ,采用热压工艺制备了一系列不同质量配比的掺杂硅再结晶石墨。考察了不同质量配比的添加硅对再结晶石墨的热导率、电阻率和抗弯强度的影响以及微观结构的变化。结果表明 :与相同工艺条件下制备的纯石墨材料相比较 ,掺杂硅再结晶石墨的导热导电性能均有较明显的提高 ,而力学性能却有所降低。与纯石墨材料相比较 ,当硅掺杂量为 4wt%时 ,再结晶石墨电阻率可降低 2 5 % ;而当硅掺杂量超过 4wt%时 ,对再结晶石墨的电阻率影响不大。室温下 ,RG-Si-6再结晶石墨的层面方向热导率可达 3 2 5 W/ (m·K)。微观结构分析表明 ,随着硅掺杂量的增加 ,石墨微晶的石墨化度以及微晶尺寸均增大 ,晶面层间距 d0 0 2 降低。原料中掺杂硅量为 6wt%时 ,再结晶石墨的石墨化度为 94.3 % ,微晶参数 La/为 1 94nm。 XRD分析表明 ,硅元素在再结晶石墨中以 α-Si C的形式存在。硅对再结晶石墨制备过程的催化作用可以用碳化物分解机理来解释 相似文献
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宋永忠%翟更太%宋进仁%邱海鹏%刘朗 《宇航材料工艺》2001,31(6):31-33,39
对采用热压一次成型方法制备的C/BN复合材料、热压成型的C/BN复合材料用热固性配醛对脂浸渍后的材料和用硼酸浸渍过的普通石墨材料等三种材料作了不同温度、不同时间的氧化实验,考察了他们的抗氧化能力。结果表明热压成型的C/BN复合材料作坯体,经热固性酚醛树脂浸渍、碳化后的材料具有良好的抗氧化性能。 相似文献
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