一类新的多功能助剂——增强剂210

品名国外叫Isonol,兰州化学公司研究院现已投产,其性能与国外的商品相同.它是聚氨酯型,特别是丁羟固体推进剂和包复层,以及聚氨酯泡沫塑料,涂料和胶粘剂的重要助剂,具有改善产品的力学性能,工艺性能和粘接性能等多功能作用,是不可缺少的组份.实践证     

VO2薄膜制备工艺及电阻开关特性研究

用溶胶－凝胶法在非晶玻璃上制备VO2薄膜，经过熔融、涂膜、烘干和热处理等工艺最后得到电阻相变2－3个量级的VO2薄膜。对烘干温度、熔融温度、膜厚和热处理温度对薄膜电阻开关特性的影响进行了研究。通过XRD（X－ray diffraction)和XPS（X－ray photoelectron spectroscopy）对薄膜的结构和价态进行分析，表明用溶胶－凝胶法制图VO2膜工艺简单，重复性好。     

纳米材料在固体推进剂中的应用

综述了纳米材料在固体推进剂中的应用，介绍了这些纳米材料的性能及制备。     

降低NEPE推进剂燃速的途径探讨

通过对NEPE推进剂燃烧表面的热平衡分析，指出了影响推进剂燃速的3个因素：“嘶嘶”区（fizz）的温度梯度、凝聚相反应热和燃面温度，提高了降低NEPE推进剂燃速的可能途径，研究了某些燃速降速剂的作用及其对推进剂能量的影响。用实验证明了降低燃速几个途径的可行性。     

机动再入飞行器的复合制导方案研究

对机动再入飞行器弧段的复合制导方案进行了研究，首先提出了通过高低空复合制导控制再入飞行器的终端速度和弹道倾角的思路；然后分别给出了高空最优制导律和大气厚再入最优制导律；最后对此复合制导方案进行了数字仿真。仿真结果表明此方案在理论上是可行的。     

铝合金砂铸件镀前浸渗处理

铝合金砂铸件经机加后往往暴露出针孔、疏松、气孔、砂眼等疵病,电镀过程中,槽液渗入,腐蚀,产生腐蚀疵病,为此,选用以可聚合丙烯酸类为主体的浸渗剂浸渗并作催化处理后聚合成不熔不溶的固体物质堵塞微孔,在镀铜、银和氢氧化铍后分别作盐雾试验、抗大气试验,试验证明:当缺陷直径不大于φ0.8mm时,浸渗封闭对防止镀后腐蚀具有明显的效果。     

变形铝合金中微量合金元素研究

分析了微量合金元素在变形铝合金中的作用，论述了微量合金元素与杂质的关系。指出微量合金元素与杂质是不能混淆的两个概念。前者的作用不仅与其种类和含量有关，还与加工方法有关。     

硝化剂五氧化二氮的合成与放大

对五氧化二氮(N2O5)的特性、合成及放大方法进行了概括和分析。同时，结合我国硝化工业的现状，介绍了较为可行的工业化合成路线，以及国外的一些N205生产动态和装置。     

铝/ZN-1阻尼材料复合结构件的粘接技术研究

探讨了胶黏剂黏度、硬铝表面处理方式及硅烷偶联剂KH-560的使用方式等因素对硬铝板/ZN-1阻尼材料复合结构件的粘接性能的影响。研究表明：如果硬铝板表面采用砂纸打磨处理时，采用黏度较低的TC-1环氧树脂胶或者在黏度较高的J-22环氧树脂胶中添加2％的硅烷偶联剂KH-560可以获得优异的粘接效果；当硬铝板表面采用铬酸阳极化处理时，两种胶黏剂均能获得优异的粘接效果。     

Study on the Microstructure and Dielectric Properties of Barium Strontium Titanate Thin Films Prepared by Sol-gel Method

Sr05Ba0.5-xBixTiO3 （BST） thin films were fabricated on a Pt/SiO2/Si substrate by the sol-gel method. Then follows an investigation of the influeoces of bismuth （Bi） on the microstructures and the dielectric properties of Sr0.5Ba0.5-xBixTiO3 （BST） thin films. The microstructures of the BST thin films were examined by the XRD and the TEM techniques. Tetragonal perovskite crystal grains were observed in BST thin films. Increasing Bi^3＋ doping ration in BST will lead to decrease of the grain size. It is found that Bi^3＋ doping decreases the dielectric loss and improves the frequency dispersion of the BST thin films. Not only is compressed the peak of temperature-dependence of dielectric constant of Bi^3＋-doped BST thin films but also moves into the low-temperature region. Moreover, the average Curie tem- perature decreases gradually with the Bi^3＋ contents increasing.