PCVD法工模具表面强化设备的研制

介绍了ＰＣＶＤ表面强化设备的发展概况及一种新研制一切的工业生产型ＰＣＶＤ工模具表面强化设备。用该设备可以制备ＴｉＮ系薄膜和ＴｉＳｉＮ，ＴｉＡｌＮ等元系薄膜；     

谈谈模型自由飞机载系统电磁干扰问题

本文具体分析了模型自由飞试验中，遥控与飞控电磁干扰产生的原因，电磁干扰特性及传输路径，并采取切实有效的屏蔽措施，最终解决了遥控与飞控电磁干扰这一难题，使模型自由飞试验得以顺利进行并取得圆满结果。     

离子非线性极化漂移对动力学Alfvén孤波特性的影响

考虑离子极化漂移中非线性项对动力学Alfven孤波特性的影响，采用双流体模型研究磁化等离子体中低频动力学Alfven稀疏型孤波的特性，所得的结果表明，两种类型的动力学Alfven稀疏型孤波在磁层中大范围内均存在（参数β约为10^-6,0,1,β为等离子体的热压之磁压之比，即β＝20μ0nT/B0^2)，它们或以超Alfven速或以亚Alfven速传播。同时发现在β值较小（10^-6-10^-4)时，离子极化漂移非线性项对动力学Alfven孤波特性有较大的影响，不可忽略，而在较大值时（β－0．1），此修正作用不大，由于动力学Alfven孤波允许平行电场存在，故它对等离子体中带电粒子的加速和能化起重要作用。同时也对离子的横向加速有一定的作用，它使一种新的能量转换机制成为可能。     

涡旋式等离子体反应器流场的试验研究

本文给出了用激光多普勒测速仪（ＬＤＡ）测量涡旋式电弧等离子体化学反应器流场的实验研究结果。实验表明：这类等离子体反应器中，旋流切向速度分量和轴向速度分量径向分布划分成近轴，过渡和近壁区。喷入电弧等离子体射流对等离子体反应器流场的影响区域是近轴区，对过渡区和近壁区没有影响。提高旋流强度，轴向载面上旋流的两个速度分量轻向分布分别呈相似的分布形式，等离子体反应器呈层流流动状态。     

纳秒级脉冲照射下隐身飞行器的隐身效果分析

为研究冲激雷达的反隐身潜力,首先用时域有限差分方法(FDTD)和解析方法计算了电磁波垂直入射时涂敷窄带雷达吸波材料(RAM)和涂敷等离子体的金属平板的反射率,然后用FDTD仿真了在纳秒级双高斯脉冲照射下某金属缩比隐身飞机模型,及其涂敷窄带RAM及涂敷等离子体的散射特性。结果表明,在低频区外形隐身的隐身效果不明显,RAM和等离子体的吸波效果较差。这证实了发射纳秒级脉冲信号的冲激雷达具有反隐身的潜力。     

低纬(海南)电离层等离子体漂移对地磁活动的响应

利用2003-2016年期间子午工程海南站（19.5°N,109.1°E）数字测高仪观测到的电离层等离子体漂移数据,分析了高低两种太阳活动条件下纬向和垂直向漂移对近磁静、中等磁扰和强磁扰三种地磁活动水平的响应特性.结果表明:日间纬向漂移各季节均以西向为主,随地磁活动无明显变化,白天日出附近和夜间漂移在各季节均以东向为主,随地磁活动增强而减弱,减弱程度在分季最大,在夏季最小;日间垂直漂移在零值附近变化,且不受地磁活动和季节影响,日落附近漂移仅在分季受到地磁活动的抑制,午夜前垂直漂移在分季受到抑制,在冬季因强磁扰而反向,夏季无明显规律,子夜至日出后垂直漂移在各季节随地磁活动增强而减小.与赤道区Jicamarca相比,两地漂移对地磁活动的响应相近,但在幅度和相位上存在差异,这可能是两地区的地理位置、背景电场和风场结构等不同造成的.      

面向深空探测的电磁帆推进技术研究进展

电磁帆是一类利用太阳风驱动的无工质或少工质新型推进技术,在需要推力器长时间工作的深空探测任务中具有非常广阔的应用前景。首先介绍了电磁帆的基本概念和主要分类,其次分别介绍了电帆、纯磁帆和磁等离子体帆三类推进方式的系统组成和工作原理,重点介绍了各自的研究现状,并梳理出了相关关键技术,同时介绍了等离子体磁罩技术。最后对电磁帆推进技术研究进展进行了总结,为国内开展此方面研究提供了研究方向和发展思路。