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81.
为克服研制磁悬挂天平电感式位置传感器的不足,继而又研制了五维光电位置传感器。它除了改善信号采集的方式外,还可以在控制绕组中使用PWM供电方式,降低装置的功耗。本文介绍了这种传感器的工作原理,同时给出了用CCD线阵列做传感器的方法。 相似文献
82.
随着现代科学与技术的高速发展,高精度传感器的应用日趋成熟。MAX1452作为一种高度集成的模拟传感器信号处理器,具有16引脚SSOP封装、全模拟信号通道、低功耗、温度范围宽等特点,可用于硅压阻压力传感器的数字补偿。硅压阻压力传感器输出的信号经过MAX1452校准补偿版输出模拟信号,再经过A/D转换器输出数字信号,在这个过程中,MAX1452全模拟信号通道没有引入量化噪声,利用16位DAC实现数字化校正,16位DAC对信号的偏移量和跨度进行校准,实现硅压阻压力传感器的数字补偿。 相似文献
83.
以含硅芳炔树脂为先驱体ꎬ采用先驱体浸渍法(PIP) 制备了C/ C-SiC 复合材料ꎮ 首先通过炭化
T300/ 含硅芳炔树脂(CFRP)制备了多孔C/ C-SiC 预制体ꎬ并探究了炭化工艺对所得多孔C/ C-SiC 预制体性能
的影响ꎬ制得的多孔C/ C-SiC 预制体弯曲强度为98 MPaꎻ然后以含硅芳炔树脂溶液为浸渍剂ꎬ浸渍多孔C/ CSiC
预制体ꎬ经过4 次浸渍、固化、炭化后ꎬ得到致密的C/ C-SiC 复合材料ꎬ其弯曲强度提升到203 MPaꎬ同时用
XRD、SEM、TEM 等手段表征了复合材料的微观结构ꎬ所得C/ C-SiC 复合材料主要成分为β-SiC 及无定型碳ꎮ
相似文献
84.
低密度硅基材料烧蚀机理分析与工程计算 总被引:1,自引:0,他引:1
从低密度硅基材料烧蚀机理分析这一角度出发,阐述载人飞船返回舱大面积防热结构的设计思想,并给出了经过地面试验检验的计算结果。论述的主要内容:(1)分析了神州一号返回条件下,材料的烧蚀机理;(2)优化出影响材料的烧蚀性能的主要参数;(3)指导了烧蚀材料的研制,对烧蚀材料有明确的性能要求;(4)确定了防热结构在载人飞船返回条件下,大面积防热结构的厚度。此分析用于载人飞船飞船的研制,并为飞行试验所验证。 相似文献
85.
论述了高硅氧纤维布和钡酚醛树脂制成的耐高温烧蚀层被烧蚀破坏的机理,为解决发射筒内衬耐高温烧蚀问题,采用了两种材料进行试验,结果证明:“Ⅴ一Ⅲ”特殊耐高温烧蚀材料能满足ST-5发射筒的要求。 相似文献
86.
采用CO2连续激光器对Al-Si合金进行表面合金化处理。采用近代测试手段对表层的组织结构、相组成、合金化元素的分布及显微硬度进行测试和分析。结果表明,合金化元素和其它一些硬质相固溶到α-Al中,表面层的显微结构明显细化,显微硬度由基体的80~90提高到250~280。 相似文献
87.
本文介绍一种芯片上带有信号调节功能的硅压力传感器。制作时,在标准的3μmCMDS工艺过程中加入了微机械加工工艺,利用带电化学阻蚀剂的各向异性腐蚀技术,在(100)取向硅片上进行腐蚀。控制膜片厚度,使厚度容差小于0.5μm。在同一膜片上,集成了完整的CMDS测量电路。带压阻元件的惠氏电桥的输出信号由一个仪器放大器放大。该放大器的放大率和温度有关,以便补偿灵敏度随温度的变化。另外,灵敏度本身的变化、偏置和偏置随温度的变化亦予以补偿。芯片还具备微调功能,以便在-40~+125℃范围内对所述各参数进行调节。 相似文献
89.
现已研制成功一种具有脉冲调制输出的单片集成热式气体流量传感器,其输出脉冲宽度比和流速有关。制造这种传感器时,除使用EDP各向异性刻蚀剂制作传感器外形之外,其余均采用标准的CMOS工艺。传感器的加热部分和非加热部分之间用聚酰亚胺隔热。传感器具有内部气体温度补偿装置。在2~30m/s流速范围内,传感器的灵敏度为0.03m/s。按传感器的设计。本传感器也适合于双线式结构形式 相似文献
90.
通过胺解反应合成了二(3-乙炔基苯胺)-甲基乙烯基硅烷(SZMV),并对其物理结构进行了表征。将SZMV与含硅芳炔(PSA)树脂通过熔融共混的方法制备了改性PSA树脂(PSA/SZMV)。考察了改性PSA树脂的黏度、固化特性、耐热性能、介电性能以及复合材料的力学性能。研究结果表明SZMV的加入有效降低了树脂的黏度,使其加工工艺性能得到改善,氮气条件下树脂固化物的T5d高达571℃,仍保持良好的耐热性能,改性树脂的介电常数为2.9,复合材料的弯曲和层剪强度分别提高了45%和33.6%。 相似文献