电子电位差计的改值与调试

前言电子电位差计测温仪表应用范围广,产量大,多年来生产的旧分度号仪表遍及全国各地。1986年国家要求1987年停止旧型号的热电偶、热电阻和相关温度仪表的生产,并要求在用的旧型号温度显示仪表在1986～1987年完成改装工作,贯彻 IEC 标准。为此,我们对电子     

箱体零件开裂的分析

某箱体零件在做强度试验时，还未达到强度要求，便在焊缝与母材熔合区发现裂纹。用化学分析和金相分析方法，分析箱体裂纹产生的原因。     

测温方法对高温升燃烧室温度场试验结果影响分析

为了给高温升燃烧室出口温度场测量提供技术支持,以某高温升5 头部扇形燃烧室试验件为试验平台,分析双铂铑热 电偶、铱铑热电偶和燃气分析3 种测温方法对高温升燃烧室温度场试验结果的影响。在油气比为0.027、0.030、0.033 和0.037 下,利 用3 种测温方法获得燃烧室出口的平均温度、热点温度、出口温度分布系数和径向出口温度分布系数,并与理论温度进行对比。结 果表明：燃气分析、双铂铑热电偶和铱铑热电偶测量的温度分别比理论值高0～1.1%、低3.0%～3.5%和低5.0%～6.5%,3 种测温方法 所获出口温度场品质差别不大。     

航空发动机测温晶体的退火特性研究

针对航空发动机关键构件高温测试的技术难题,研究了1种用晶体作为传感器的测温技术,阐述了晶体的退火特性和缺陷观察方法,利用X射线衍射(XRD)研究中子辐照SiC晶体的退火特性,发现辐照后晶体的XRD峰的半高宽(Full Width at Half Maximum,FWHM)增大,又随退火温度的升高,在700～1230℃呈线性规律的回复。基于此发展了1种适合测量高温和复杂温度场的技术方法。采用添加K2CO3的KOH为腐蚀剂,对辐照前、后以及辐照后退火的SiC单晶进行位错腐蚀观察,结果表明:经中子辐照的晶体中位错面积比随退火温度的变化趋势与FWHM的变化趋势基本一致,由此认为经中子辐照所产生的位错可能是导致XRD峰的FWHM变化的1个重要因素。     

基于C8051F996的无线测温节点低功耗设计

针对节点功率消耗问题,介绍利用DS18B20温度传感器、Silicon Labs C8051F996超低功耗核心控制器和nRF905单片无线射频收发器芯片组成的一种无线多点测温系统的设计。简单介绍nRF905无线射频芯片和C8051F996芯片的性能和特点,并给出系统基站和节点的硬件设计和节能设计。节点硬件设计简练,体积小,功耗低,具有相当广阔的应用空间。     

ZSGH4169合金细观力学行为的数值模拟

基于晶体塑性本构理论,利用多晶代表性单元从细观尺度研究了ZSGH4169合金在650℃条件下考虑双轴应力状态的循环应力应变行为.计算结果表明:该合金在双轴拉伸应力控制下存在与低周疲劳试验常用的单轴应力状态一致的棘轮效应.对两种应力状态下的结果进行对比发现,在1150MPa应力单轴循环载荷下初始循环残余应变比双轴应力状态高出3倍,且双轴应力状态下最终循环稳定,残余应变约为1.2%,但在单轴应力状态下是不稳定的.对应力和塑性应变累积不均匀性的分析表明:单轴和双轴拉伸状态下,虽然应力和应变分布的不均匀性都随着循环数的增加而增加,但单轴拉伸状态下平均应力随循环数增加,而双轴拉伸状态下几乎为常数.      

KDP晶体的磁流变抛光工艺研究

研究了磁流变液中水含量对KDP工件表面粗糙度的影响;通过在磁流变液循环系统中控制磁流变液的参数,实现了去除函数的稳定,为修形工艺奠定了基础;在自研的KDMRF-200磁流变机床上进行修形实验,口径为Φ75mm的KDP工件面形精度由0.936λ(PV)收敛到0.321λ(PV),低频误差明显改善。     

CdS纳米晶体的合成与表征

以四甲基二硫化秋兰姆(TMTD)为新型有机硫源,与醋酸镉在不同的反应温度、时间下合成出纳米CDS晶体,用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线粉末衍射(XRD)、傅里叶红外光谱(FT-IR)等手段研究了CDS纳米晶体的结构和形成.结果表明,反应温度、时间对CdS晶体的形貌和组成有影响,随温度升高,晶体形貌从粒子聚集体过渡到花形结构,同时讨论了纳米晶体的形成机理.     

硼粉热特性研究

为了研究硼粒子在不同气氛下热特性,采用TGA/DSC和高压DSC对晶体硼粉和无定形硼粉两种形态,在纯氮、纯氧、空气以及氧氮混合(1∶1)气氛和3种压强下进行热分析实验;利用Kissinger法和Ozawa法计算得到无定形硼在空气气氛下的动力学参数.试验结果表明,纯氮气氛下,无定形硼与氮气会发生反应,其反应速度缓慢,放热量小.无定形硼比晶体硼的氧化反应初始温度低,氧化反应更快且更完全.不同氧气浓度条件下,随着氧气浓度的提高,无定形硼反应起始温度提前,反应速率加快,反应更彻底.增加氧气压强,可降低初始反应温度,加快反应速率,提高反应放热量.最终计算得到无定形硼在空气气氛下的活化能E、指前因子A和反应速率常数K.