氰酸酯基耐高温低介电载体胶膜的制备与性能

为了满足现代高性能雷达天线罩结构粘接的要求,本文研制了氰酸酯基耐高温、低介电栽体结构胶膜.以烯丙基化酚醛/双马树脂改性,在保持该胶膜耐高温性能的同时,改善了室温力学性能.通过加入贮存稳定荆解决了胶膜常温贮存期差的问题.胶膜在380℃下的剪切强度大于5 MPa.测试频率为9 375 MHz时,胶膜在380℃下的介电常数变化率小于5%.实验结果表明,该胶膜可用于耐高温透波材料的结构粘接.     

聚(2-丙稀酰胺-2-甲基丙磺酸)-聚苯胺共聚物膜电磁屏蔽性能

用溶液法在ITO玻璃上依次沉积了稀硫酸掺杂聚苯胺(PANI)膜和聚(2-丙稀酰胺-2-甲基丙磺酸)-聚苯胺共聚物膜,利用SEM和FTIR对两种薄膜的表面形貌及分子链基团结构进行了分析,讨论了薄膜的电导率和电化学性能.结果表明:聚(2-丙稀酰胺-2-甲基丙磺酸)-聚苯胺共聚物膜有较理想的物理化学性能,电化学性稳定,循环100次后,循环伏安曲线变化较小;当PAMPS-PANI膜的厚度为230 nm时,它的电导率可达到0.398 S/cm,室温时电导率可调,是较理想的电磁屏蔽材料.     

等离子体微弧氧化技术概述

等离子体微弧氧化技术是一种直接在有色金属表面原位生长陶瓷层的新型表面改性技术.其生成的膜层具有显微硬度高、耐磨损性能、耐热性、耐腐蚀性和良好的绝缘性能,现已成功的应用在汽车、飞机、医学等领域,并展现出广泛的应用前景.     

Ti6Al4V钛合金表面羟基磷灰石陶瓷膜的制备

Ti6Al4V钛合金在不同钙磷浓度电解液体系中进行微弧氧化制得氧化膜,并进行水热处理。采用SEM观察微弧氧化膜微观形貌,使用EDS、XRD分析膜层成分和相组成。结果表明:电解液中钙磷浓度直接影响其在膜层中的含量,且钙离子主要靠扩散作用进入膜层,而磷离子靠电迁移进入膜层;微弧氧化膜中的钙盐、磷盐水热处理后转化成具有生物活性的羟基磷灰石,但处理温度过高,会出现晶粒粗大,适宜的水热处理工艺是200℃水热处理12小时。     

电热破膜激波管及其PLIF测量系统的研制

探讨了用Nd：YAG脉冲激光器作为泵浦光源对激波管内瞬态非定常流场进行平面激光诱导荧光（Planar laser induced fluorescence,PLIF）测量的时序同步问题。由于该激光器需要预热以获得稳定的倍频输出,作者研制了低压大电流的电热破膜装置,实现对激波产生时机的控制。在大尺寸矩形截面的激波管上搭建了PLIF测量平台,并在此平台上进行了丙酮示踪流场显示和氢氧基分布测量。     

氧化时间对7A55铝合金微弧氧化膜的影响

采用恒流微弧氧化法在碱性硅酸盐-磷酸盐体系电解液中对7A55铝合金进行了微弧氧化处理,研究了氧化时间对微弧氧化膜表面形貌、厚度和相组成的影响.研究结果表明,在恒定的电参数(电流密度为6A/dm2,占空比均为30%,频率为1000Hz)条件下,随着氧化时间的延长,阳极电压逐渐增大,氧化膜表面微孔孔径逐渐增大,微孔数量逐渐减少,膜层厚度随氧化时间近似呈线性增加;膜层主要由γ-Al2O3相组成.     

纳米SiO_2复合处理对7A52铝合金微弧氧化陶瓷层孔隙率及性能的影响

通过向电解液中添加纳米二氧化硅颗粒（n—SiO2）,经微弧氧化,在7A52铝合金表面制备n—SiO2复合陶瓷层,研究n—SiO2复合处理对陶瓷层孔隙率及性能的影响。结果表明,经n-SiO2复合处理后,陶瓷层孔隙尺寸减小,孔隙率降低,致密性提高,因而陶瓷层显微硬度和抗盐雾腐蚀性能显著提高。n—SiO2在放电通道处沉积是陶瓷层致密性提高的主要原因。     

钛合金阳极化工艺及膜层性能测试

运用表面处理技术对钛及其合金进行表面改性,从而得到多种彩色膜和厚膜,同时对氧化膜的各种性能进行测试和分析,为钛合金阳极化的进一步研究提供了一定的技术基础。     

C/C刹车材料用抗氧化涂层性能

研制了一种以磷酸、磷酸盐、硼化物等为原材料的磷酸盐涂料,在不同温度下烧结处理后,对其抗氧化性能及表面微观形貌进行研究.结果表明:650℃烧结的涂层氧化防护性能明显优于900℃烧结的;在700℃氧化30 h后,最小氧化失重率仅为1.76%,氧化后涂层仍然保持完整致密;经过900℃、3 min<=>室温、2min循环30次和l 100℃、3 min<=>室温、2 min循环10次的连续热震后,失重率为1.97%,涂层与C/C基体结合良好,涂层的热性能稳定.     

激波与氦气泡相互作用的实验与数值研究

提出了一种在激波管中实现运动激波与球形气一气界面相互作用的研究方案。以肥皂膜作为气体交界面,高压火花为光源,采用阴影法,在马赫数M=1．2的情况下,在矩形激波管中开展了一系列的实验研究,获得了激波作用下球形氦气泡界面发展变化的相关实验结果。还通过求解二维轴对称的Euler方程,结合网格自适应策略,对实验过程进行了数值模拟。通过与实验结果的对比分析,证实了涡量的产生和分布对于界面的变形和发展有着重要意义。