AB型聚酰亚胺单体的合成及气相沉积聚合研究

合成了三种AB型聚酰亚胺单体:4-(4-氨基苯氧基)邻苯二甲酸(单体4),4-(3-氨基苯氧基)邻苯二甲酸(单体7)和对(间)乙基4-(3-氨基苯氧基)邻苯二甲酸酯(单体8或9)。利用热失重分析(TGA)对比研究了这三种AB型聚酰亚胺单体的热行为。结果表明,单体4、单体7和单体8(9)在升温的过程中能发生热聚合生成聚酰亚胺。将单体4用于气相沉积聚合设备,得到了均匀透明的聚酰亚胺薄膜。对分子结构的修饰使单体8(9)较之单体7有更好的挥发性。     

气膜出流条件下回转通道流动特性的实验研究

采用实验方法研究气膜出流条件下带肋回转通道流动特性,其中回转通道为带90°直肋变截面通道。根据研究问题的特点,利用单元分析方法,定义了壁面有效压力及单元有效压力系数。结果表明:通道出口段存在气膜出流与无气膜出流情况相比出口段有效压力分布发生变化,并且使整个通道的流阻下降。影响流动的主要因素是通道的阻塞比、长径比、宽高比、气膜出流比和进口雷诺数。     

薄膜温度传感器的研制及应用

一种新型的薄膜温度传感器,采用真空镀膜的方法制作在涡轮叶片表面,两者构成一体,可以真实反应表面温度。传感器的质量小、响应快,对叶片内部换热和表面燃气流无干扰。 传感器的敏感元件为铂姥_(10)-铂热电偶,测温上限可达1000℃,测量精度为±3％。     

高能CO2激光腔镜高反介质薄膜的传输特性

为了获得适用于高能CO2激光器的高抗破坏阈值高反薄膜,以10.6μm高反膜ZnSe/YbF3,PbTe/BaF2膜系为例,数值模拟了激光在高反介质膜中的传输的场特性;给出了激光在多层介质膜中的场强分布、温度场分布及热应力分布。结果表明硅镜基体上的PbTe/BaF2膜系所需膜层厚度小、膜层数少,反射率可高达99.98%。     

涡轮叶片表面气膜冷却效率的实验研究

采用放大的叶片模型，利用大尺寸低速线性叶栅风洞进行实验，测量了涡轮导向叶片表面不同位置单排气膜孔的气膜冷却效率，研究了孔排位置、吹风比及来流雷诺数的影响。风洞实验段由3个叶片组成，其中中间的叶片为试验叶片，由优质木材制成。试验叶片表面上开有15排气膜孔，其中吸力面3排，前缘区6排，压力面6排。实验的参数变化范围是：基于叶片弦长的来流雷诺数250000-450000，吹风比0．5-2．5。结果表明，由于气膜孔排位置的不同，其下游冷却效率受来流雷诺数及吹风比影响的变化趋势也有所不同。     

气膜冷却流场的实验研究和数值模拟的分析

用Ｘ型双丝热线探头对扇形气膜孔射流下游流场的测量结果表明，湍流因射流的注入而显著增强，并存在十分明显的各向非同性。传统的应力和速度梯度的涡粘关系仍然适用于气膜冷却流场，但应该在不同的方向上分别对湍流粘性系数进行修正。标准ｋ－ε湍流模型可成功地模拟孔内流动和流向倾角α较小时的掺混气膜冷却流场，但在α较大时的孔中线附近区域内的流场模拟是不成功的，并导致冷却效率的模拟失败。     

数据格式转换技术在精密测量中的应用

叙述了为提高数据传输可靠性,在接收精密仪器所采集的数据过程中考虑将原有RS232串口通信,改进为USB接口通讯。但是接收到的信号出现了不明原因的周期性强干扰。为此,通过分析USB/RS232转换原理及A/D采集输出数据特点,对原软件的数据采集部分增补了具有特殊功能的子程序,使得应用程序可以自行恢复数据的完整性。此方法具有通用性,可在不同软件编辑环境中实现,且不影响硬件组成。文中又详细介绍了在薄膜厚度在线测量中应用上述USB接口通信的情况,实测结果表明试验取得了预想的效果。改进后的电容测量系统具有更为广泛的应用前景。     

栅极偏压对纳米金刚石薄膜沉积过程的影响

在HFCVD系统中施加栅极偏压和衬底偏压,采用双偏压成核和栅极偏压生长的方法成功制备了高质量的纳米金刚石薄膜.采用显微Raman高分辨率SEM和AFM等现代理化分析手段分析纳米金刚石膜的微结构,结果表明双偏压显著促进了金刚石的成核密度,平均晶粒尺寸在20 nm以内.试验观察和理论分析表明栅极偏压促进了热丝附近的等离子体浓度,提高了衬底附近的碳氢基团和氢原子浓度,提高了金刚石的成核密度、在保持晶粒的纳米尺寸的同时保持了较高的成膜质量和较低的生长缺陷.     

过滤式阴极电弧沉积类金刚石薄膜工艺研究

研究了过滤式阴极电弧沉积系统的稳弧工艺参数,通过正交试验获得最佳稳弧参数。并且研究了弯管内置挡板对宏观粒子过滤效果的影响。采用喇曼光谱研究了偏压对生成的类金刚石薄膜性能的影响,证明－１００Ｖ偏压下获得的类金刚石薄膜有最佳的ＳＰ３含量。扫描电镜测试表明,在（１１１）硅基片上获得致密的膜,但在高速钢基体上沉膜堆积现象比较严重,不易获得优质类金刚石膜。同时也给出了类金刚石的原子力显微照片（ＡＦＭ）,表明稳弧参数对类金刚石薄膜表面形貌有较大的影响。     

碟形弹簧的弯曲效应问题

以采用壳体非线性无矩理论所确定的碟形弹簧薄膜位移与薄膜应力作为初始状态,采用壳体线性有矩理论对碟形弹簧进行了弯曲位移与弯曲应力分析.分析表明:与薄膜应力相比,弯曲应力是不能略去的;而与薄膜位移相比,弯曲位移是可以略去的.因此,对碟形弹簧而言,以壳体非线性无矩理论确定位移是合理的,而以壳体线性有矩理论确定附加弯曲应力也是可行的,同时也是必要的.