基于二维紧凑型四阶格子模型的激波管流动模拟

为了提高格子的稳定性，使用Hermite展开方法，构建了新的二维四阶紧凑型格子模型，即D2Q37A。比较了D2Q37A和与Philippi给出的紧凑型格子模型(D2Q37B)的稳定性。在相同的碰撞频率下，与D2Q37B相比，D2Q37A可以模拟初始密度比更高的一维激波管流动。这表明D2Q37A与现有格子模型相比，具有更好的稳定性。详细给出了适用于高阶格子模型的边界条件实现方式。此边界条件实现方式保留了体现LBM（lattice Boltmann method）粒子特性的迁移 碰撞机制。用以上给出的格子模型和边界条件处理方式模拟激波管流动，得到的模拟结果和解析解吻合得很好。这表明所给出的边界处理方式是可行的。此边界格式同样可以用于其他类型的流动和边界。      

基于半物理的飞管系统集成验证技术研究

本文基于半物理的飞管系统集成验证技术，详细介绍了基于半物理的飞管系统集成验证平台架构与实现，研究了基于半物理试验的飞管系统仿真建模方法，完成了用于飞管系统半物理试验的仿真模型开发。在某型飞管系统集成试验过程中，搭建了基于半物理的飞管系统集成验证平台，在完整的全系统仿真基础上，通过真件与仿真件之间的逐一替换，逐步完成飞管系统集成验证工作。该方法有效的提高了飞管系统集成效率，满足了飞管系统集成验证需求。     

一种高压直采ADC的抗总剂量辐照设计

由于γ射线对SiO2的电离作用，会引起MOS管阈值电压负漂移和二极管死区漏电变化，负漂移和漏电变化程度随MOS管栅氧厚度增加而加大。这样在设计高压直采ADC时，实现稳定基准和低漏电开关是个难点，通常的解决方法是优化电路参数裕量和版图，但很少考虑MOS管的反型和二极管的死区漏电。重点研究了MOS器件阈值和二极管死区漏电流变化对器件参数影响的机理，并提出一种不同电源电压MOS管结合设计思路，同时考虑了减小二极管死区漏电的影响。最后，通过使用不同电源电压MOS管设计和二极管死区漏电流分析，高压ADC在50krad（Si）总剂量条件下仍能达到设计要求。