| 一种高压直采ADC的抗总剂量辐照设计 |
| |
| 作者姓名： | 曹梦琦 王晓晖 高炜祺 |
| |
| 作者单位： | 重庆吉芯科技有限公司，重庆 400060;西安电子科技大学，西安 710071 |
| |
| 摘 要： | 由于γ射线对SiO2的电离作用，会引起MOS管阈值电压负漂移和二极管死区漏电变化，负漂移和漏电变化程度随MOS管栅氧厚度增加而加大。这样在设计高压直采ADC时，实现稳定基准和低漏电开关是个难点，通常的解决方法是优化电路参数裕量和版图，但很少考虑MOS管的反型和二极管的死区漏电。重点研究了MOS器件阈值和二极管死区漏电流变化对器件参数影响的机理，并提出一种不同电源电压MOS管结合设计思路，同时考虑了减小二极管死区漏电的影响。最后，通过使用不同电源电压MOS管设计和二极管死区漏电流分析，高压ADC在50krad（Si）总剂量条件下仍能达到设计要求。
|
| 关 键 词： | 高压直采ADC MOS管阈值电压 二极管死区漏电 总剂量 |
A total dose radiation hardened design of high voltage direct sampling ADC |
| |
| Authors: | CAO Mengqi WANG Xiaohui GAO Weiqi |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
| 点击此处可从《》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《》下载全文 |
