MEMS惯性器件低应力封装过渡层研究

封装应力是影响MEMS惯性器件输出性能的主要因素之一，封装应力是由于封装过程中封装对象间材料热特性不匹配所引起的。封装应力除了受封装对象本身的材料性能影响外，还与芯片及基底间的过渡层形式有关。不同的过渡层形式不仅会影响封装应力的峰值，还会对应力的分布情况产生影响。为了研究不同形式的过渡层对三层结构MEMS惯性器件芯片封装应力的影响，首先利用COMSOL有限元仿真分析软件简要地分析了不同材料参数对封装应力的影响，并进一步研究了常见封装形式以及不同封装结构的应力分布规律。结果表明，不同的粘接材料、封装形式和封装结构都会引起封装应力的变化。     

降低陶瓷与陶瓷或金属连接温度的技术

为降低陶瓷与陶瓷或金属的连接温度，目前采用的连接方法有过渡液相扩散连接、兰固态连接、机械连接、粘接、铟封和陶瓷表面低温改性后低温钎焊等。本文从上述连接方法的原理设计、连接材料设计与制备、接头性能及各自的优缺点等方面综述了陶瓷与陶瓷或金属低温连接研究的现状。     

SiC纤维增强钛基复合材料过渡液相扩散焊接头组织研究

针对SiCf/TC4钛基复合材料,进行其过渡液相扩散焊试验,并进行接头组织研究.结果表明:在试验条件下,采用自制的纤维 TiZrCuNi合金的复合中间层,通过合金与纤维的扩散,形成一紧密结合的界面,获得与母材接近的接头组织,实现钛基复合材料的成功连接.     

过渡金属/稀土金属氧化物纳米粒子催化AP热分解研究

1引言纳米材料由于特殊的表面特性而作为催化剂被广泛地研究。按一定的比例将不同的催化剂进行掺杂混合,有可能获得优于单一催化剂的催化性能。如Cu-Zn纳米催化剂就可替代昂贵的铂或钯催化剂实现对某些有机化合物氢化反应的催化[1]。随着纳米技术的发展,纳米过渡金属氧化物[2](     

过渡金属氧化物表面修饰氢气传感器

以SnO2系为敏感材料制备气敏元件,在元件的表面涂敷一层Fe2O3,MnO2或CuO掺杂的活性氧化铝修饰膜,有效地隔离并消除乙醇、烟雾、有机蒸气等杂散气体对元件的干扰.     

程序管制向雷达管制的过渡

程序管制的建立和向雷达管制的过渡以及未来雷达管制向新CNS／ATM系统发展的全过程是自动化应用程度连续发展的过程，尽管其中新技术、新设备的应用重点各不相同。雷达管制的实施实质上就是飞行动态的主动和精确掌握为管制操作技术向精密化方向发展提供了技术平台。     

过渡金属氧化物催化部位的实验研究

采用热分析技术和单幅近距摄影实验,考察了过渡金属氧化物(TMO)对HTPB推进剂凝聚相反应和气相反应的催化作用,讨论了TMO的主要催化部位。     

直接统计模拟位置元方法中的分子表面反射确定论判据

在直接模拟Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ（ＤＳＭＣ）方法的位置元方法中准确判断分子是否与某一表面元相撞,直接关系着气动力热的计算精度,是方法需要解决的关键问题。本文发展的分子表面反射判据,使这个问题得到了有效的解决。此外,还讨论了分子空间位置坐标的记录方法、分子碰撞对的极限距离、网格自适应等实际模拟技术。与圆球自由分子流准确解和过渡领域贴体网格ＤＳＭＣ模拟结果的比较,证明了上述判据和技术的有效性。