C波段5瓦GaAs场效应晶体管功率放大器

研制成一种C波段5W GaAs FET(砷化镓场效应晶体管)四级功率放大器。该放大器工作频段为3.7～4.2 GHz,1分贝点带宽约300 MHz;在中心频率处,饱和输出功率为4.67W,增益大于26dB,总效率约14％。本文还介绍了利用浅漏偏置条件下的小信号S参数代替大信号S参数设计匹配电路的情况。     

利用秩统计方法确定不完全S-N数据的p-S-N曲线

本文依据结构不同可靠度下的S—N曲线形状参数相同的观点，利用复合材料结构的不完全S—N数据，得到一组不完全疲劳极限数据，并采用秩统计方法，求得结构的p—S—N曲线，最后，给出了两个应用实例，通过对比分析了本文方法与假定完全寿命法的处理结果，发现本文方法充分利用了数据信息，能给出更好的疲劳性能。     

一类非线性演化方程族的可积耦合

寻求孤立于理论中的可积系统是可积系理论中的一个重要研究课题，其一般模式是现行的屠规彰格式，但寻求耦合系统的可积性问题，也仅是由马文秀博士研究的一个孤立子方程的可积耦合，对于一族孤立子方程的可积耦合目前尚未研究。本文通过构造一个新的Loop代数^～G和作一个恰当的Lax对变换，得到了一类非线性演化方程族的可积耦合。作为例子说明，本文求得了一类AKNS（4个人名字：Ablowitz Kaup,Newell Segur）族的可积耦合。     

混气电解加工中两相流音速及阻塞机理研究

着重分析研究气液两相流音速特性及其阻塞机理。通过测量由小药量电雷管爆炸而产生的压力波传播速度，然后修正到音速。试验结果表明，气液两相流音速与气泡率、当地压力及其流型有关。由于气液混合物强烈的压缩性，混气电解加工间隙中易于出现类似可压缩气体的阻塞现象。     

π／2—TFDPSK时频调制信号的研究

本文介绍了π/ 2-TFDPSK时频调制信号的工作原理和电路框图，同时论述了如何利用计算机来仿真整个系统。通过对仿真系统的分析，给出了相移时频调制的结论。     

非结构网格二维理想MHD绕流逆风格式解法

在非结构网格上发展了针对二维理想磁流体方程组的逆风格式求解方法.控制方程中的对流项采用AUSM格式处理,时间推进采用显式5步龙格-库塔方法.为了消除计算中产生的磁场散度的影响,引入了双曲型散度清除方法.通过对磁流体激波管问题的求解验证了该方法对激波的捕捉能力,对有均匀磁场干扰下的喷管流动情况进行了数值模拟,并与文献中结果进行了对比.计算结果显示了磁场对磁流体流动的干扰效应,该结果与参考文献中的数值模拟结果相吻合.     

称重传感器的一种新的滞后补偿方法

通过对电阻应变式称重传感器在各种加载卸载情况下的滞后特性的分析,建立了其相应的数学模型,并初步探讨了一种可以通过程序在仪表中对传感器的重要指标-滞后进行补偿从而提高整个传感器的精度的方法.最后,对以上方法进行了验证性试验,证明了补偿方法的可行性.     

尾支杆干扰非线性修正方法的初步研究

利用CFD方法 ,采用两套网格重叠的形式 ,研究了一种对尾支杆干扰进行修正的非线性方法。运用本方法 ,研究了尾支杆等直段长度、直径和锥角对模型气动特性的影响 ,研究了四个模型有攻角时的尾支杆干扰 ,并对GBM 0 4A模型的零阻进行了尾支杆干扰的修正。     

Lyapunov矩阵方程的一种数值解法及部分并行处理

本文设计了求解Lyapunov矩阵方程的一种新方法。所考虑的矩阵方程是 AX—XB=C(1)其中A,B,C分别是m×m,n×n和m×n的已知矩阵。 该方法首先是将系数矩阵A,B初等相似约化为三对角矩阵,即存在可逆矩阵U,V,使U~(-1)AU=A,V~(-1)BV=B,其中A,B为三对角矩阵。然后设计了矩阵方程AY—YB=C的公式解法,分三步: 1)求f(λ)=det(λI—A)的λ各次幂的系数a_0,…,a_m; 2)计算sum from i=1 to m (A_(m-i)-CB~(m-i)),f(B); 3)求解Y。解方程AY—YB=C的方法称为THR算法。 最后经逆变换获得原矩阵方程(1)的解X。 求解矩阵方程(1)的方法称为R—THR算法。该方法的计算量约为m~3+4/3n~3+7m~2n+5nm~2+m~2。 本文给出了R—THR的串行计算的数值例子,并给出了THR算法的并行计算格式。最后通过几种数值方法的比较,表明该方法是可行的,也是有效的。     

S、C和X波段雷达系统的T／R“芯片”

介绍了三种MMIC芯片的设计和测量结果。这些芯片包括T／R转换开关、多位衰减器、多位移相器、放大器和LVTTL逻辑电路，用于测试S、C和X波段相控阵雷达系统。这组芯片采用标准pHEMT工艺，显示出良好的初通结果：RMS衰减器和相位误差小、增益变化小和平均50％的RF指标一次通过率。对设计和工艺做一些调整。相信未来的芯片生产实现70％的RF指标合格率是可能的，因而这组芯片对低成本相控阵T／R模块是非常具有吸引力的。