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411.
采用激光气体氮化与同步送粉相结合的工艺方法,在Ti-6Al-4V合金表面原位合成了Tix Aly-TiN复合涂层。通过XRD,SEM,OM,EDS,显微硬度测试等手段研究了该复合涂层的物相组成、显微组织、元素分布及显微硬度。结果表明:涂层主要由TiN和Tix Aly 金属间化合物组成;沿激光熔深方向TiN含量下降;Tix Aly 金属间化合物含量上升;涂层无裂纹和孔隙,厚度较均匀,涂层与基体间形成良好的冶金结合;沿激光熔深方向N、Al元素的分布均匀;涂层显微硬度得到显著提高,且从涂层到基体逐渐降低。 相似文献
412.
建立了用于模拟Al-4.7% Cu(质量分数)单相固溶体合金凝固过程温度场、流场、溶质场以及微观组织模拟的元胞自动机-格子玻尔兹曼方法(CA-LBM)数值模型,分析对流作用下枝晶生长的形貌与成分变化.模型处理溶质场计算中固液(S/L)界面处溶质的分配过程,使浓度场的变化和实际的传输过程更加相符.计算结果表明,与不计入流动过程的纯扩散型合金凝固过程相比较,对流对合金枝晶形貌的影响显著,呈现非对称生长形貌.在强制对流条件下,枝晶晶粒大小呈均匀化趋势,枝晶间的局部区域的成分更加均匀,在整体凝固区域内的成分呈现出上游到下游的一定的梯度化趋势. 相似文献
413.
观察了1260℃与1240℃固溶温度热处理后DZ8合金的显微组织,比较了两者的拉伸与持久性能.结果表明:采用1260℃固溶温度热处理,DZ8合金存在少于1%的γ+γ'共晶相,但富Hf相发生初熔;采用1240℃固溶温度热处理,合金未发现初熔但仍存在12%左右的γ+γ'共晶相.DZ8合金分别采用1260℃与1240℃固溶温度热处理后,室温、700℃与980℃拉伸性能以及980℃/205 MPa持久性能相当,但采用1260℃固溶温度热处理的D28合金其760℃/725 MPa持久性能较采用1240℃固溶温度热处理的有所下降. 相似文献
414.
对两种61mm厚的7050-T7451铝合金板材进行对比分析,探讨工艺-组织-性能的关系。采用光学显微镜、扫描电镜进行组织观察,并进行室温拉伸、断裂韧性、剥落腐蚀等性能测试,实验表明:两种板材的综合性能均满足AMS 4050H标准的指标要求,但一种板材的强度、断裂韧度略低于另一种相同规格的板材,而剥落腐蚀性能略好。两种产品性能差异的主要原因在于,更系统的工艺控制使板材保持较好的组织均匀性、较小的再结晶比例,仅残留较少的小尺寸且均匀分布的Al7Cu2Fe相,基本无Al2Cu Mg相。 相似文献
415.
416.
金属在热塑性成形过程中微观组织发生晶粒形核、长大、相变、再结晶等一系列的复杂变化,直接影响加工过程与产品的机械性能。本文对目前应用在热成形微观组织演变模拟方面的主要模拟技术作了比较全面的评述,对比了不同微观组织模拟方法,总结了利用各种模拟技术所取得的最新研究成果。 相似文献
417.
418.
以等温凝固试验为基本手段 ,研究了四种不同 B含量 ( wt% ) (无 B,0 .0 2 B,0 .0 4 B,0 .0 7B)IC6合金的凝固行为 ,明确了 B含量对 IC6合金凝固过程的影响。研究结果表明 ,B含量对合金液相线、次生γ′的析出次序与析出温度影响不大 ,但能使合金固相线显著下降 (从而使合金的凝固范围变宽 ) ;同时 ,B含量的增加还促进了合金中低熔点相 M3B2 的析出并使合金枝晶间的液池在很宽的温度范围内保持连通。此外 ,经等温凝固分析 ,高硼 ( 0 .0 7wt% ) IC6合金理论上具有最佳可铸性。 相似文献
419.
李向阳 《北京航空航天大学学报》1994,(2)
γ-TiAl基合金的工艺、组织、性能三者关系极其密切,显微组织的控制是改善γ-TiAl基合金性能缺陷的重要途径之一.而适当的加工工艺又是实现显微组织控制的手段.按照工艺、组织、性能这个关系,本文旨在阐述几种典型工艺下的γ-TiAl基合金的显微组织特征,为试图通过组织控制来改善γ-TiAl基合金的性能缺陷提供参考. 相似文献
420.
掺杂硅再结晶石墨微观结构及其性能的研究 总被引:5,自引:1,他引:5
用煅烧石油焦作填料、煤沥青作粘结剂、硅粉作添加剂 ,采用热压工艺制备了一系列不同质量配比的掺杂硅再结晶石墨。考察了不同质量配比的添加硅对再结晶石墨的热导率、电阻率和抗弯强度的影响以及微观结构的变化。结果表明 :与相同工艺条件下制备的纯石墨材料相比较 ,掺杂硅再结晶石墨的导热导电性能均有较明显的提高 ,而力学性能却有所降低。与纯石墨材料相比较 ,当硅掺杂量为 4wt%时 ,再结晶石墨电阻率可降低 2 5 % ;而当硅掺杂量超过 4wt%时 ,对再结晶石墨的电阻率影响不大。室温下 ,RG-Si-6再结晶石墨的层面方向热导率可达 3 2 5 W/ (m·K)。微观结构分析表明 ,随着硅掺杂量的增加 ,石墨微晶的石墨化度以及微晶尺寸均增大 ,晶面层间距 d0 0 2 降低。原料中掺杂硅量为 6wt%时 ,再结晶石墨的石墨化度为 94.3 % ,微晶参数 La/为 1 94nm。 XRD分析表明 ,硅元素在再结晶石墨中以 α-Si C的形式存在。硅对再结晶石墨制备过程的催化作用可以用碳化物分解机理来解释 相似文献